[中报]华灿光电:2018年半年度报告
华灿光电股份有限公司 2018年半年度报告 股票代码：300323 公告编号：2018-102 2018年08月 第一节重要提示、释义 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证本报告所载资料不存在任何虚假记载、误导性陈 述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性承担个别及连带责任。 所有董事均已出席了审议本报告的董事会会议。 公司负责人俞信华、主管会计工作负责人刘榕及会计机构负责人(会计主管人员)姬小燕声明：保证半年度 报告中财务报告的真实、准确、完整。 公司计划半年度不派发现金红利，不送红股，不以公积金转增股本。 本报告中如有涉及未来的计划、业绩预测等方面的内容，均不构成本公司对任何投资者及相关人士的承诺， 投资者及相关人士均应对此保持足够的风险认识，并且应当理解计划、预测与承诺之间的差异。 公司需遵守《深圳证券交易所创业板行业信息披露指引第9号——上市公司从事LED产业链相关业务》的 披露要求。 重大风险提示： 1、市场竞争风险 公司所处的LED芯片行业厂商集中度的不断提升，使得竞争逐渐趋于理性。但是由于2018年重点厂商的 持续扩产，随着产能的进一步释放，2018年上半年整体市场价格有所下降，且存在未来再次出现市场价格非理 性竞争进而导致公司盈利能力下降的风险和可能性。同时公司的蓝宝石衬底片业务，尽管具有较好的技术、成 本、规模、渠道等优势，但受LED整体的供需影响较大，LED下游行业的投资增加、竞争加剧会导致上游的衬 底片业务出现一定的产能富裕和价格下降，使得公司面临盈利能力下降的风险。 2、产品质量风险 LED芯片质量对下游封装环节或终端产品的质量有较大的影响，客户对LED芯片的一致性、稳定性、光衰 等指标有较高的要求。若芯片在上述指标中出现任一问题，均有可能对质量产生较大的不利影响，由此可能导 致下游客户的索赔，承担远高于销售芯片价值的赔偿。 3、应收账款集中的风险 随着LED行业集中度的提升，公司的客户结构发生较大的变化，主要大客户的收入贡献占比较高，客户集 中度提升。公司对较为重要客户依据信用水平均有一定的账期政策，但是随着客户销售规模的扩大，单一客户 的应收账款赊销数额也不断增加，使得公司的应收账款总体上面临着一定的行业系统性风险。公司已制定完善 的应收账款管理制度并已按会计准则要求充分计提坏账,若LED行业出现重大下行波动或者重要客户出现战略 失误等导致其财务状况发生不利变化，则会对公司的应收账款收回造成较大的风险。 4、技术持续创新风险 LED技术创新活跃，新材料、新工艺不断涌现，发光效率不断提高，芯片尺寸不断缩小，产品升级较快。 不断更新的技术升级和新技术的出现也给LED外延和芯片厂商的技术创新能力提出了更高的要求。如果未来产 品研发工作跟不上行业新技术新应用崛起的速度，将对本公司的综合竞争力造成影响。 5、汇率变动带来的财务风险 受国内外经济形势的影响，外汇汇率过去一年内变动剧烈。由于公司存在着较大数额的短期及中长期美元 借款。尽管公司密切跟踪外汇市场的变动并适度对外汇风险做了一定的套期管理，但外汇汇率的波动依然使得 公司损益会产生较大的波动风险。 6、政府补贴减少或政策调整风险 公司因为新项目的建设，取得了较多的当地政府补贴。依据补贴政策，公司预计在本年度内政府补贴的金 额依然较大。公司取得的政府补助按照<<企业会计准则第16号——政府补助>>确认为与损益相关的政府补助 以及和资产相关的政府补助。由于公司2018年上半年取得较多与收益相关的政府补助，如未来建设中的项目 投产后，补贴方式、补贴政策发生改变，将一定程度影响公司的总体利润水平。 7、银行承兑汇票为主的收款结算方式引致短期贷款增高的风险 公司营业收款主要以银行承兑汇票为主，但公司的经营性活动中的工资、水电、贵金属、税费等占比较高 且需要以现金形式支付，为解决经营收款和经营支付资金方式的不匹配，公司以银行承兑汇票质押贷款方式解 决经营活动中现金部分的实际需求，导致公司的短期贷款余额较大，且随公司的规模增长存在继续上升的可能。 目录 2018年半年度报告 ............................................................................. 1 第一节重要提示、释义 ................................................................................................................................................... 2 第二节公司简介和主要财务指标 ................................................................................................................................... 7 第三节公司业务概要 ..................................................................................................................................................... 11 第四节经营情况讨论与分析 ......................................................................................................................................... 45 第五节重要事项 ............................................................................................................................................................. 63 第六节股份变动及股东情况 ......................................................................................................................................... 83 第七节优先股相关情况 ................................................................................................................................................. 90 第八节董事、监事、高级管理人员情况 ....................................................................................................................... 91 第九节公司债相关情况 ................................................................................................................................................. 93 第十节财务报告 ............................................................................................................................................................. 94 第十一节备查文件目录 ............................................................................................................................................... 193 第十二节其他报送数据 ............................................................................................................................................... 194 释义 释义项 指 释义内容 华灿光电、公司、本公司、母公司 指 华灿光电股份有限公司 股东大会、董事会、监事会 指 公司股东大会、董事会、监事会 公司章程 指 《华灿光电股份有限公司章程》 元、万元 指 人民币元、人民币万元 LED 指 LightEmittingDiode（发光二极管），是由III-V族半导体材料等通过半导体工艺 制备的可将电能转化为光能的发光器件 衬底/衬底片 指 LED外延生长的载体，用于制造LED外延片的主要原材料之一，主要有蓝宝石、 碳化硅、硅及砷化镓 PSS衬底 指 图形化蓝宝石衬底（全称PatternedSapphireSubstrate），指在蓝宝石抛光衬底 片之上进行表面图形粗糙化处理后的衬底片，可提高出光效率 外延片 指 LED外延生长的产物，用于制造LED芯片的基础材料 芯片 指 LED中实现电-光转化功能的核心单元，由LED外延片经特定工艺加工而成 MOCVD设备 指 采用金属有机化学气相淀积法生产LED外延片的专用设备 上海灿融 指 上海灿融创业投资有限公司 天福华能 指 义乌天福华能投资管理有限公司 JingTianI 指 Jing Tian Capital I,Limited JingTianII 指 Jing Tian Capital II,Limited 浙江华迅 指 浙江华迅投资有限公司 苏州子公司、苏州华灿 指 华灿光电（苏州）有限公司，为公司全资子公司 香港子公司 指 HCSemitekLimited，为公司全资子公司 浙江子公司、浙江华灿 指 华灿光电（浙江）有限公司，为公司全资子公司，原义乌睿景光电科技有限公 司 蓝晶科技 指 云南蓝晶科技有限公司，为公司全资子公司 恒达钢构 指 云南省玉溪市恒达空间钢结构有限公司 义乌蓝晶 指 蓝晶科技（义乌）有限公司 NSL、NewSure 指 New Sure Limited 和谐光灿 指 义乌和谐光灿企业管理咨询合伙企业（有限合伙） 和谐光电 指 和谐芯光（义乌）光电科技有限公司，为公司全资子公司 和谐芯光 指 义乌和谐芯光股权投资合伙企业（有限合伙） MEMSIC、美国美新 指 MEMSIC,Inc.，TFL子公司，美新半导体的母公司 美新半导体、无锡美新 指 美新半导体（无锡）有限公司，MEMSIC子公司 TFL 指 TotalForceLimited，为和谐光电全资子公司 第二节公司简介和主要财务指标 一、 公司简介 股票简称 华灿光电 股票代码 300323 变更后的股票简称（如有） 股票上市证券交易所 深圳证券交易所 公司的中文名称 华灿光电股份有限公司 公司的中文简称（如有） 华灿光电 公司的外文名称（如有） HC SemiTek Corporation 公司的外文名称缩写（如有） HC SemiTek 公司的法定代表人 俞信华 二、联系人和联系方式 董事会秘书 证券事务代表 姓名 姬小燕 李琼 联系地址 武汉市东湖开发区滨湖路8号 武汉市东湖开发区滨湖路8号 电话 027-81929003 027-81929003 传真 027-81929091-9003 027-81929091-9003 电子信箱 zq@hcsemitek.com zq@hcsemitek.com 三、其他情况 1、公司联系方式 公司注册地址，公司办公地址及其邮政编码，公司网址、电子信箱在报告期是否变化 □适用 √不适用 公司注册地址，公司办公地址及其邮政编码，公司网址、电子信箱报告期无变化，具体可参见2017年年报。 2、信息披露及备置地点 信息披露及备置地点在报告期是否变化 □适用 √不适用 公司选定的信息披露报纸的名称，登载半年度报告的中国证监会指定网站的网址，公司半年度报告备置地报告期无变化，具 体可参见2017年年报。 3、注册变更情况 注册情况在报告期是否变更情况 √ 适用 □ 不适用 注册登记日期 注册登记地点 企业法人营业执照注册号 报告期初注册 2017年11月21日 武汉市工商行政管理局 914201007819530811 报告期末注册 2018年05月31日 武汉市工商行政管理局 914201007819530811 临时公告披露的指定网站查询日 期（如有） 2018年05月31日 临时公告披露的指定网站查询索 引（如有） http://www.cninfo.com.cn,公告编号：2018-074 4、其他有关资料 其他有关资料在报告期是否变更情况 □适用 √不适用 注：其他有关资料报告期发生变更并已在临时报告披露的，公司应当列明披露相关信息的指定网站查询索引及日期。 四、主要会计数据和财务指标 公司是否因会计政策变更及会计差错更正等追溯调整或重述以前年度会计数据 □是 √否 本报告期 上年同期 本报告期比上年同期增减 营业总收入（元） 1,622,113,248.94 1,193,033,482.16 35.97% 归属于上市公司股东的净利润（元） 313,443,151.17 216,024,345.59 45.10% 归属于上市公司股东的扣除非经常性损 益后的净利润（元） 191,382,983.25 127,457,436.23 50.15% 经营活动产生的现金流量净额（元） 260,330,605.95 -34,590,155.37 852.61% 基本每股收益（元/股） 0.34 0.26 30.77% 稀释每股收益（元/股） 0.34 0.26 30.77% 加权平均净资产收益率 6.77% 6.08% 0.69% 本报告期末 上年度末 本报告期末比上年度末增 减 总资产（元） 12,467,709,341.03 9,902,366,902.01 25.91% 归属于上市公司股东的净资产（元） 5,814,047,270.39 3,924,973,868.55 48.13% 五、境内外会计准则下会计数据差异 1、同时按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况 □适用 √不适用 公司报告期不存在按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。 2、同时按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况 □适用 √不适用 3、境内外会计准则下会计数据差异说明 □适用 √不适用 注：对已经境外审计机构审计的数据进行差异调节的，应注明该境外机构的名称。 六、非经常性损益项目及金额 √适用 □不适用 单位：元 项目 金额 说明 非流动资产处置损益（包括已计提资产减值准备的冲销部分） -1,481,959.86 计入当期损益的政府补助（与企业业务密切相关，按照国家统 一标准定额或定量享受的政府补助除外） 150,504,344.03 除上述各项之外的其他营业外收入和支出 -4,777,950.88 其他符合非经常性损益定义的损益项目 减：所得税影响额 22,184,265.37 少数股东权益影响额（税后） 合计 122,060,167.92 -- 对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目，以及把《公 开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说 明原因 □适用 √不适用 公司报告期不存在将根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义、列举的非经常性损益项 目界定为经常性损益的项目的情形。 第三节公司业务概要 一、报告期内公司从事的主要业务 公司是否需要遵守特殊行业的披露要求 是 LED产业链相关业务 （一）公司主营业务开展情况 1、从事的主要业务情况 公司自设立以来一直从事化合物光电半导体材料与电器件的研发、生产和销售业务，主要产品为LED外延片及全色系LED 芯片。LED芯片经客户封装后可广泛应用于全彩显示屏、背光源及照明等应用领域。2016年公司成功并购云南蓝晶科技，并 入蓝宝石相关业务，主要为蓝宝石单晶、外延衬底以及其他蓝宝石窗口材料业务。此外，2018年公司并购美新半导体，积极 切入物联网核心器件MEMS传感器，实现LED和传感器双主业发展，公司的并购着眼于行业前沿技术及产业链上下协同， 未来将继续推进国际合作及并购。 2、主要产品及其用途 公司LED行业主要产品为高亮度LED外延片及全色系LED芯片、蓝宝石单晶、外延衬底、其他蓝宝石以及窗口材料。 LED芯片经客户封装后可广泛应用于全彩显示屏、背光源及照明等应用领域。后期会向化合物半导体领域延伸，包括激光器、 光通讯器件、射频、滤波器、电子电力、车用半导体等。蓝宝石材料是LED、大规模集成电路SOI和SOS及超导纳米结构 薄膜等最为理想的衬底材料，还可以用于消费电子领域，以及应用于红外军事装置、卫星空间技术、高强度激光的窗口材料。 在MEMS传感器领域，公司子公司美新半导体的加速度传感器在工业领域被用于汽车自稳控制系统，在消费领域用于智 能手机、平板电脑等消费电子产品。高精度磁传感器被用于智能手机、平板电脑、无人机等领域。 3、公司所处的行业地位 目前公司为全球领先LED芯片供应商，在报告期内，在稳固LED显示屏芯片市场领先地位的基础上，保持高光效照明 市场占有率，大力开拓背光、灯丝市场，着力开发背光以及FLASH产品，进一步提升倒装产品市场占有率，随着产品技术不 断提升，公司已稳固国内白光照明市场前两位供应商地位。受益于并购协同效益的发挥，公司蓝宝石衬底产销规模也得到显 著增长，稳居行业领导地位。 美新半导体是全球领先的高科技半导体MEMS企业，为全球MEMS传感器主流供应商之一，MEMSIC原创开发了基于标 准CMOS 流程的集成微机械系统和全球领先的制造工艺，并成功研发出20多种型号的加速度传感器、磁传感器。美新是少数 几家实现高端MEMS器件及系统产品大规模产业化的公司之一，年销量超过2亿颗，美新的研发技术、生产工艺及量产能力 在加速度传感器、磁传感器两个领域处于世界领先水平。 4、经营模式 （1）生产模式 LED芯片---公司LED产品分蓝宝石衬底，外延及芯片三个环节组织生产。公司建立了以客户需求为导向并可与客户协同 开发生产的研发及生产体系。公司每月召开销售、运营及生产协调会，通过对客户需求进行预测分析并考虑产品库存和产能 情况，形成相应生产计划。生产部门负责生产计划的具体组织和实施，在计划执行过程中，公司会根据客户需求变化和产出 情况对生产计划作出适当调整，以提高产品产销率。 MEMS传感器---公司MEMS传感器产品主要的生产环节如下：传感器单元设计→圆片加工→形成MEMS结构→圆片级 封装→可靠性测试→客户试用→量产，美新生产采取自主生产和外包代工相结合的模式。无锡美新根据美国美新提供的销售预 测（一般为6-12个月，每月滚动更新）和订单来安排其自身产品的生产计划，主要包括原材料采购计划、产程计划、产能计 划、订单管理等流程。同时，无锡美新会根据现有原材料和现有存货水平向供应商下单。此外，受产能所限，无锡美新会将 部分产品或工序委托第三方代工厂进行生产，并对代工厂的生产进度和质量控制进行严格的监督管理。 （2）销售模式 LED芯片---公司LED芯片业务已经建立了完善的营销体系，公司年度依据市场情况和经营计划制定大的销售战略、产品 战略和竞争策略，营销中心负责具体的实施。公司营销的主要策略是增值服务型销售，主要采取直销模式，营销网络布局合 理，客户覆盖国内外主流的LED封装厂商和部分应用厂商。公司通过跟踪市场的总体需求趋势、战略客户的发展方向和发展 战略，结合对客户的定期拜访、对客户研发生产团队的交流等与客户保持持续的沟通，以市场为导向，以客户的需求为核心， 为客户提供芯片及综合解决方案。公司用优质的产品和有力的技术支持以及战略合作等满足客户需求，取得与客户的战略共 赢。随着公司技术水平不断的提高，产品系列的不断完善，国内外市场的销售份额正持续提升。 MEMS传感器---美新半导体主要产品为各种类型的MEMS传感器，主要销往北美、欧洲和亚洲地区，销售方式是通过代 理商进行分销或直接销售给客户，MEMSIC在十多年的发展中，在MEMS传感器领域得到广泛的行业认可，与多家下游国际 知名企业建立了长期合作关系。 （3）研发模式 公司的研发是公司的核心竞争力之一，依托公司发展战略，研发主要分为中长期平台型技术方向型研发，和中短期的技 术和市场化研发。公司密切跟踪长期产业技术的发展方向，如Micro-led的转移技术和市场化应用、UVLED、VCSEL、化合 物半导体功率器件已经多种MEMS传感器产品等未来的战略布局型研发，也同时着眼于提升市场已导入的产品和量产产品的 性能和升级换代，缩短和竞争对手的技术差距，树立市场竞争优势。根据自身条件和特点，公司也形成与上下游企业、国内 重点高等院校、中科院研究所等科研机构联合合作机制。 技术中心拥有一支高效高素质的企业技术创新团队，是企业技术中心的核心，拥有留美博士数十名，在LED外延技术开 发、芯片技术开发和MEMS传感器技术开发方面均具有丰富的经验。他们主导的LED新技术和新产品、LED芯片精细加工 工艺和MEMS传感器技术工艺等均达到国内先进水平和领先地位。公司采取以科技进步为标准，结构调整为主线，营造科技 进步大环境，公司全方位培养、选拔各类专业人才。公司加大高水平的专业技术人员的引进力度、加强自身培养高素质的工 程技术人员的强度，通过完善的用人制度、评价制度、奖励制度等来吸引先进的有专业特长的科技人才。积极开展“产学研” 使企业在新产品开发和技术科技攻关方面少走弯路。 5、主要业绩驱动因素 报告期内，公司业绩快速增长，主要驱动因素分三大方面： 第一方面LED 芯片市场下游需求保持10%以上稳定的年复合增长，LED芯片价格虽然有所下降，但龙头企业成本在快 速下降，技术在快速提升，并且产业集中度仍在加速提升，客户资源和订单向以公司为代表的优质大型龙头企业聚集，同时 公司及时的产能扩充投资决策使得销售收入显著成长。 另一方面公司内部产品竞争力得到大幅提升，得益于公司持之以恒的大规模研发投入，公司LED芯片产品发光效率进步 显著，同时随着新增高效产能的投产以及规模效益的体现，成本竞争力也得到了明显提升，报告期内LED芯片价格虽然有所 下降，受益于公司产品光效的持续提升和成本的持续下降，加上海外市场扩展使得公司产品结构不断优化改善，公司盈利能 力保持稳定。 C:\Users\wangking\AppData\Local\Temp\1534128150(1).png 2105 2454 2969 3415 4029 4614 16.6% 21.0% 15.0% 18.0% 14.5% 0% 20% 40% 0 5000 2015年 2016年 2017年 2018年F 2019年F 2020年F LED照明行业产值规模及预测/亿元 此外公司2018年上半年已经正式完成对MEMSIC Inc.的重组，成功进入高成长性的MEMS传感器领域。该领域技术门 槛和市场门槛均较高，有着较高的进入壁垒，主要竞争者均为国外领先的半导体公司，美新半导体在加速度传感器、磁传感 器等领域处于世界领先水平，美新二季度实现部分并表也对公司2018年上半年业绩快速增长有一定的贡献。 通过并购云南蓝晶科技，公司向LED产业链上游延伸，持续提升产业集群优势和规模优势。公司的海外市场业务持续稳 步增长，海外代工以及韩国市场高端外延片销售额不断提高，欧美市场同步开发中，覆盖优质海外客户，公司在海外市场的 竞争力以及品牌影响力不断提升。随着公司与重点客户的合作深入，未来将更多承接海外市场的产业转移，未来成长可期。 （二）、行业的基本情况 1、行业现状及未来发展趋势 报告期内，我国LED产业保持稳定增长，其中小间距LED显示屏需求的高速增长，LED普通照明渗透率的持续提升， 汽车LED照明高速增长，大陆背光保持承接国际产业转移的趋势，在此基础上，新兴应用快速增长将成为后期市场成长的新 动能，如不可见光UV&IR，车用照明，光通讯，植物照明等应用逐渐兴起。 （1）LED下游最大应用领域LED照明渗透率稳步提升，未来几年有望保持10%或以上的年复合增速。 资料来源：高工产研所 （2）LED显示屏为LED下游第二大应用领域，其创新性产品小间距LED近年来发展迅速，已经成为LED显示屏行业 的主要增长动力。小间距LED产生于2012-2013年，2014年以后小间距LED快速渗透，2016年全球小间距LED市场规模 已达40亿元，2017年小间距市场规模同比增长50%，达到60亿元，在专用显示市场渗透率已达到30%。预计随着小间距 LED在专用市场渗透率的快速提升，以及商用市场的爆发，和电影荧幕以及高端家用等新领域的开拓，小间距LED行业未来 三年复合增速仍有望达到40%。 0 50 100 150 200 2016年 2017年 2018年 2019年E 2020年E 全球小间距市场规模（亿元） 0 200 400 600 800 1000 2016年 2017年 2018年E 2019年E 2020年E 2021年E 2022年E 国内LED汽车照明市场规模和预测（亿元） 9% 10% 16% 28% 33% 37% 42% 47% 49% 53% 0% 20% 40% 60% 80% 100% 0 1,000 2,000 3,000 4,000 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 中国 台湾 日韩 欧美 资料来源： LEDinside （3）汽车LED照明发展也正如火如荼，随着近年来中国市场的汽车消费量发展迅速，将会连带车灯产业发展迅速，LED 汽车照明将凭借其独特的优势，不断发展壮大，据OFweek研究显示，国内LED汽车照明市场规模将会从2016年的53亿 扩大到2022年的766亿，车用LED成为推动LED产业增长的一股强大的动力。虽然中国国内LED汽车照明发展迅速，但 在渗透率方面远低于国际平均水平，2016年国内LED汽车照明渗透率约为12%，预计未来几年中国LED汽车照明渗透率将 快速提升，中国汽车LED照明未来几年也有望保持快速增长。 资料来源：Ofweek 从全球来看，中国现如今成为世界最主要的LED芯片制造基地，2017年中国占全球LED芯片比例达到了37.1%，这一比 例每年还在不断提升。在产业集中度加速提升的趋势下，客户资源和订单向优质大型龙头企业聚集。同时国内企业的技术已 经达到世界先进水平，国外LED大厂因为成本控制不及中国芯片厂商，海外客户倾向于通过外采芯片满足需求，国内大型LED 厂商在国际竞争中综合优势日益明显。 资料来源：LEDinside 2、公司所处的行业地位 1）公司为全球领先的LED芯片供应商 目前公司为全球领先LED芯片供应商，报告期内，公司在稳固全球显示屏芯片市场领先供应商地位的基础上，大力开拓 高光效白光照明市场以及背光市场，着力开发高压产品以及灯丝产品，加快倒装产品的扩产和放量，随着产品技术不断提升， 已稳固国内前两名供应商地位。受益于并购协同效益的发挥及持续扩产，公司蓝宝石衬底产销规模也得到显著增长，稳居行 业领导地位。 报告期内，在新兴市场方面，公司Mini LED产品率先批量进入市场的基础上，进一步扩产放量，目前公司Mini RGB 芯 片产品出货稳定，市场份额稳步提升，深度挖掘海外客户，海外市场拓展迅速。背光Mini LED芯片已经和国际一线模组厂签 订了战略合作协议，为后续大批量起量奠定好了渠道基础。Micro LED积极与国际厂商进行紧密配合开发，研发进度处于行 业领先水平。车灯已经配合重点客户进行全线研发开案，已进入后装市场并稳定出货，Flash产品已顺利进入主流手机供应链。 红外LED小批量量产中，公司对激光器和深紫外的研发均在积极部署中。 在LED显示屏芯片市场上，小间距LED显示趋势以及高端显示屏需求放量将大幅增加该市场领域的外延片及芯片需求 量，这将是未来LED显示屏市场增长的重要推动力。公司将持续保持全球LED显示芯片领先供应商地位，并在稳定蓝绿芯 片产量的基础上，公司进一步提升红光产品产量，使全色系RGB芯片供应商产品配套优势更为显著。 在白光芯片市场上，公司白光产品与客户协同开发，更好地适应终端市场的需求，公司在提供芯片级解决方案，包括高 光效照明芯片解决方案、高压芯片解决方案、倒装芯片解决方案、灯丝芯片解决方案和背光芯片解决方案。为满足不同细分 市场需求，各系列产品均在持续开发，不断丰富产品线。2018年上半年公司白光五大系列产品都受到封装客户以及终端应用 客户的认可，公司芯片市场份额位居国内前二，且进入国际一线灯具品牌厂。电视背光产品已经为国内一线电视机厂稳定供 货，且顺利打入台湾和韩国等国际一线背光封装厂。公司产品技术不断创新和优化，目前已达国内一流技术水平，公司配合 封装客户和应用客户，从应用出发，从设备、材料、结构、工艺方法方面进行系统创新，为客户提供客制化的芯片及解决方 案。 2）公司为国内MEMS传感器龙头企业 随着自动驾驶，物联网，智能终端时代的到来，传感器发展进入黄金期。公司2018年上半年已经正式完成对MEMSIC Inc.的重组，未来将成功进入高成长性的MEMS传感器领域。该领域技术门槛和市场门槛均较高，有着较高的进入壁垒，主 要竞争者均为国外领先的半导体公司，美新半导体为国内MEMS传感器龙头企业。美新是中国大陆少数能够采用标准CMOS 工艺实现MEMS大规模量产的公司之一，拥有非常丰富的设计与工艺经验，以及一定的封装测试生产能力。公司优越性主要 体现在以下三点：其一，产品实现能力强，能够生产加速度传感器、磁传感器，并拥有陀螺仪、多轴惯性传感器的技术储备； 其二，技术实力雄厚，拥有目前业界领先的晶圆级封装、单芯片集成的制造工艺技术；其三，拥有良好的客户美誉和客户关 系，通过多年经营，积累了一批核心客户。因此，公司将坚守优势，立足于MEMS业务，开发更多品种、更高性能的MEMS 芯片，通过建立技术门槛确保丰厚的利润，持续进行研发和设备的投入。 C:\Users\wangking\AppData\Local\Temp\1533275237(1).png 资料来源：LEK 3、主要竞争对手情况 公司主要竞争对手包括：LED领域主要为三安光电、EPISTAR(台湾晶电)，MEMS传感器领域主要为博世、意法半导体 及旭化成微电子等。 （1）三安光电：公司主要从事Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的研发与应用，外延、芯片为核心主业，分为可见光、不可见 光、通讯以及功率转换等领域。根据该公司2017年年报以及2018年一季报，2017年营收83.9亿元，2018年一季度营收 19.45亿元。 （2）EPISTAR(台湾晶电)：主要从事LED业务，覆盖手机屏幕、笔记本电脑和电视等领域的LED应用技术，以及普通 照明领域。根据其2017年年报，2017年营收252.7亿元新台币。 （3）博世（Bosch）：博世是全球领先的微机电系统（MEMS）传感器解决方案供应商，产品应用覆盖汽车电子、消费电 子和物联网领域。自1995年以来，博世已经生产了60多亿个MEMS传感器，共拥有1,000多项与MEMS相关专利技术。截 至2015年12月31日，博世拥有约375,000名员工， 2015财政年度创造了超过700亿欧元的销售业绩。博世业务划分为4 个业务领域，涵盖汽车与智能交通技术、工业技术、消费品以及能源与建筑技术领域。 （4）意法半导体（ST）：意法半导体集团于1988年6月成立，是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公 司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics将公司名称改为意法半导体有限公司。意法半导体是世界最大的半 导体公司之一。意法半导体旗下产品包括加速度计、陀螺仪、数字罗盘、惯性模块、压力传感器、湿度传感器和麦克风、智 能传感器、Sensor Hub、温度传感器和触摸传感器等。 （5）旭化成微电子株式会社（AKM）：旭化成集团是创立于1922年的综合化学厂家，如今已扩大至3个领域：纺织化 学电子材料业务组成的“材料”领域、住宅建材业务组成的“住宅”领域、医药医疗急救业务组成的“健康”领域。旗下旭化成微电 子株式会社是家用、通讯及汽车电子设备的混合信号集成电路及磁敏传感器解决方案的主要供应商。旭化成微电子的主营业 务为霍尔元件、半导体集成电路等的生产及销售。 二、主要资产重大变化情况 1、主要资产重大变化情况 主要资产 重大变化说明 股权资产 主要为新增股权投资，报告期公司为拓展倒装芯片产品的外延片和芯片海外销售与韩国 SemiconlightCompanyLtd共同设立合资公司Semiconlight(China)CompanyLimited。 固定资产 未发生重大变化。 无形资产 未发生重大变化。 在建工程 比期初增加56.71%，主要系因报告期内公司按照既定计划，推进项目建设实施投资所致。 2、主要境外资产情况 √适用 □不适用 资产的具体 内容 形成原 因 资产规模 所在地 运营模式 保障资产安全 性的控制措施 收益状况 境外资产占 公司净资产 的比重 是否存在重 大减值风险 MEMSIC Inc. 收购 58,908.06 万元 美国 并购后制定中长期战略规 划，每季度召开董事会， 制定年度经营预算目标， 拟定考核措施，实行管理 层负责制。每季度召开监 事会要求董事会的经营情 况进行汇报并对其监督。 统一财务数据 报送体系；定 期实施财务内 控审计；派驻 主要财务人员 管理 2,698.21万 元 10.13% 否 其他情况说 明 无 三、核心竞争力分析 公司是否需要遵守特殊行业的披露要求 是 LED产业链相关业务 （一）核心竞争力 1、最优质的客户资源 公司汇聚了国内外最优质的客户资源，在LED领域成为国内外主流LED封装企业及应用企业的主要LED芯片供应商，在 MEMS传感器领域具有较好的海外汽车电子市场客户，和国内主流的手机和可穿戴设备客户，近年来，公司的海外市场业务 持续稳步增长，公司在海外市场的竞争力以及品牌影响力不断提升。随着公司与国内外重点客户的合作深入，各大客户长期、 稳定的战略合作关系有助于公司充分分享LED 下游应用领域的广阔市场，促进公司业务的快速增长。 2、细分市场的领先地位 LED显示屏芯片领域保持全球领先的市场地位，背光/照明领域的市场保持国内前二的市场地位，MEMS传感器领域处于 全球领先的市场地位，Mini LED产品率先批量进入市场，进一步提升公司高端显示屏以及背光市场的占有率，Micro LED积极 与国际厂商进行紧密配合开发。红外LED小批量量产中，车灯已经配合重点客户进行全线研发开案，部分产品批量量产中， 公司对激光器和深紫外的研发均在积极部署中。公司已成立半导体新材料器件研究院，致力于半导体材料和器件产业共性技 术、关键技术和前瞻性技术的引进吸收和自主研发。 3、具有国际水平的技术团队 公司高度重视技术创新，大力推进技术团队的建设，已经打造了一支具有国际水平的技术研发团队，核心成员由多位具 有资深化合物半导体专业背景、资深MEMS传感器专业背景和丰富产业经验的归国博士、台湾专家及资深业内人士组成。核 心技术人员多年来一直在国内外著名高校及知名LED企业、MEMS传感器企业中从事相关领域技术研发工作，具有国际领先 水平的基础技术研究和产品开发、应用能力。 4、高度重视技术创新 自公司创立之初，本公司管理层便认识到创新的重要性，投入了相当大资源进行研发工作，积极鼓励员工进行研发并申 请专利，以保证公司产品的创新性，避免产生专利侵权风险。报告期内，公司研发项目总支出7,938.18万元，较去年同期增 长46.36%，研发总支出占营业收入的比例为4.89%。对于项目的研究开发，公司拥有了多项具有自主知识产权核心技术。截 至2018年6月30日，公司被授权专利数量为410项，其中335项发明专利，1项外观设计，74项实用新型。其中，2018年 上半年被授权的专利数量为87项，其中发明专利77项，实用新型10项；这些发明专利涵盖了外延生长、芯片加工以及封装 工艺、晶圆级封装结构及其制造方法、具有螺旋重置线圈的磁场传感器、具有自检重置导线的磁场传感器等方面的技术。获 得上述发明专利进一步完善了公司的知识产权布局，同时更有利于拓展海外业务。公司将持续投入研发经费，积极引进高端 人才，开展自主研发、持续技术创新，同时加大新技术研发方面的投入，积极拓展新技术和新产品。 5、海外市场的影响力日益扩大 公司的海外市场业务持续稳步增长，通过近年来的不懈努力，与客户达成了从技术到市场营销等方面的全方位的合作， 开拓了海外代工和韩国市场,公司得以逐步建立起了高品质 LED 芯片制造商的良好品牌形象，在广大客户中积累了良好的口碑 和市场美誉度，公司产品也日益获得下游封装和应用客户的广泛认可。美新半导体长期在汽车电子领域的海外客户渠道资源， 以及在海外市场的经验积累，也将有助于上市公司扩大海外市场的影响力。 （二）无形资产情况 公司账面无形资产为土地使用权、商标、专利、软件，期末净额为72,629.87万元。 1、土地使用权情况如下： 序号 证书编号 土地座落 土地面积 （平方米） 用途 权利终止日期 他项权利 1 武新国用（2007）第005号 东湖开发区武大科技园 65,050.57 工业用地 2056.07.31 已抵押 2 武新国用（2008）第070号 东湖开发区滨湖路以北，火炬路以东 34,738.31 工业用地 2057.08.22 已抵押 3 张国用（2016）第0065027号 张家港市经济技术开发区晨丰公路28号 112,015.20 工业用地 2062.10.21 已抵押 4 苏（2018）张家港市不动产第 0004261号 高新区港城大道西侧 66,798.25 工业用地 2068.1.11 5 浙（2016）义乌市不动产权第 0007335号 义乌工业园区EQ-05-11-A地块 62,669.85 工业用地 2066.06.05 已抵押 6 浙（2016）义乌市不动产权第 0030853号 义乌工业园区EQ-05-11-B地块 30,610.90 工业用地 2066.12.12 已抵押 7 浙（2016）义乌市不动产权第 0030854号 义乌工业园区 95,712.63 工业用地 2066.12.12 8 玉国用（2005）第1120号 玉溪市红塔区北城镇皂角营红龙路 51,950.50 工业用地 2055.01.13 已抵押 9 玉红国用（2012）第1339号 玉溪市红塔区北城街道办事处红龙路 110,344.90 工业用地 2062.03.14 已抵押 10 玉红国用（2012）第1340号 玉溪市红塔区北城街道办事处红龙路 5,393.80 工业用地 2062.03.14 已抵押 11 锡新国用（2003）字第172号 无锡新区新华路华扬工业园107号 34,857.8 工业用地 2051.4.19 已抵押 2、商标 截至报告期，公司拥有注册商标31项，具体如下： 序号 商标栏 注册号 类号 有效期限 1 5935711 7 2009.11.7-2019.11.6 2 5935712 7 2009.11.7-2019.11.6 3 5935713 4 2010.1.28-2020.1.27 4 5935714 4 2009.12.28-2019.12.27 5 5935715 4 2009.12.28-2019.12.27 6 5935716 4 2009.12.28-2019.12.27 7 5935717 1 2010.11.14-2020.11.13 8 5935718 1 2010.1.7-2020.1.6 9 5935719 1 2010.1.7-2020.1.6 C:\Users\Administrator\Desktop\QQ截图20170209141748.jpg 10 5935720 1 2010.1.7-2020.1.6 11 5935721 11 2009.12.14-2019.12.13 12 5935722 11 2009.12.14-2019.12.13 13 5935723 11 2009.12.14-2019.12.13 14 5935724 11 2009.12.14-2019.12.13 15 5935725 9 2010.4.21-2020.4.20 16 5935726 9 2009.12.14-2019.12.13 17 5935727 9 2010.2.21-2020.2.20 18 5935728 9 2010.1.28-2020.1.27 19 5935729 7 2010.1.21-2020.1.20 20 5935730 7 2009.11.7-2019.11.6 21 5935731 28 2010.6.21-2020.6.20 22 5935732 28 2010.2.14-2020.2.13 23 5935733 28 2010.2.14-2020.2.13 24 5935734 28 2010.2.14-2020.2.13 25 5455961 14 2009.08.14-2019.08.13 C:\Users\Administrator\Desktop\QQ截图20170209141915.jpg C:\Users\Administrator\Desktop\QQ截图20170209142041.jpg D:\工作\Library\Containers\com.tencent.xinWeChat\Data\Library\Application Support\Wechat\1.2\5425b6995814e8b5bdf28cb88e553b95\Message\MessageTemp\9e20f478899dc29eb19741386f9343c8\AppData\Roaming\Tencent\Users\470686166\QQ\WinTemp\RichOle\ERP2BPYBUI@%GP79ZS_R(T3.png D:\工作\Library\Containers\com.tencent.xinWeChat\Data\Library\Application Support\Wechat\1.2\5425b6995814e8b5bdf28cb88e553b95\Message\MessageTemp\9e20f478899dc29eb19741386f9343c8\AppData\Roaming\Tencent\Users\470686166\QQ\WinTemp\RichOle\ERP2BPYBUI@%GP79ZS_R(T3.png 26 01307887 14 2008.04.16-2028.04.15 27 758206 14 2008.08.22-2028.08.22 28 9168509 9 2012.3.7-2022.3.6 29 9168510 9 2012.3.7-2022.3.6 30 1646509 9 2011.10.7-2021.10.06 31 9168508 9 2014.2.21-2024.2.20 3、专利 截至报告期，公司拥有已授权专利410项，其中实用新型专利74项，发明专利335项,外观设计1项。另有361项正在审核过程中。 公司已获授权的专利具体情况如下： 序 号 专利名称 授权号 类型 专利申请日 授权公告日 保护期 （年） 1 一种在蓝宝石衬底材料上外延生长 AlXGa1-XN单晶薄膜的方法 ZL200610019545.2 发明 2006-7-5 2009-10-14 20 2 一种避免或减少蓝绿光发光二极管 材料的V-型缺陷的方法 ZL200610019720.8 发明 2006-7-26 2008-7-16 20 3 增加内量子效率的半导体发光二极 管的量子阱结构 ZL200610124789.7 发明 2006-10-18 2009-5-6 20 4 一种氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 器件的电极 ZL200610166563.3 发明 2006-12-30 2008-7-16 20 5 倒装焊发光二极管芯片的制造方法 ZL200710053027.7 发明 2007-8-24 2010-2-17 20 6 氮化镓基发光二极管芯片 ZL200810047953.8 发明 2008-6-10 2011-1-26 20 7 倒装焊发光二极管硅基板及其制造 方法 ZL200810048739.4 发明 2008-8-8 2010-2-17 20 8 具有光子晶体侧向光提取器的发光 二极管芯片 ZL200810236734.4 发明 2008-12-9 2010-10-13 20 9 在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓 薄膜的方法 ZL200810236950.9 发明 2008-12-22 2010-6-2 20 10 一种提高发光二极管外量子效率的 方法 ZL200910061316.0 发明 2009-3-27 2013-7-31 20 11 带热沉的LED芯片及其制造方法 ZL200910062024.9 发明 2009-5-8 2011-4-14 20 12 一种提高氮化镓基发光二极管抗静 电能力的方法 ZL200910062768.0 发明 2009-6-22 2012-5-30 20 13 垂直结构发光二极管芯片结构及其 制造方法 ZL200910272579.6 发明 2009-10-30 2012-1-25 20 14 高效抗静电氮化镓基发光器件及其 制作方法 ZL201010181048.9 发明 2010-5-19 2012-10-3 20 15 一种湿法腐蚀与干法刻蚀向结合图 形化蓝宝石的方法 ZL201110078480.X 发明 2011-3-30 2012-11-7 20 16 一种纳米级PSS衬底制作方法 ZL201110330648.1 发明 2011-10-27 2016-6-1 20 17 一种简易纳米级PSS衬底制备方法 ZL201110330647.7 发明 2011-10-27 2016-12-14 20 18 一种弯曲衬底侧面的发光二极管芯 片及其制备方法 ZL201110199127.7 发明 2011-7-18 2013-3-6 20 19 一种通过湿法剥离GaN基外延层和蓝 宝石衬底来制备垂直结构发光二极 管的方法 ZL201110217923.9 发明 2011-8-1 2013-9-4 20 20 一种氮化镓基发光二极管多量子阱 的生长方法 ZL201110258692.6 发明 2011-9-5 2013-3-27 20 21 一种提高发光二极管发光效率的方 法 ZL201110258718.7 发明 2011-9-5 2014-4-30 20 22 一种提高半导体二极管多量子阱发 光效率的方法 ZL201110330736.1 发明 2011-10-27 2016-4-20 20 23 提高ESD的复合n-GaN层结构的制备 方法 ZL201110330664.0 发明 2011-10-27 2016-6-22 20 24 一种用于感应离子耦合刻蚀机承载 被刻蚀外延片的样品台 ZL201120414928.6 实用新型 2011-10-27 2012-8-1 10 25 一种基于红绿光LED芯片的交通信号 灯 ZL201120414930.3 实用新型 2011-10-27 2012-6-6 10 26 侧光式背光模组 ZL201120414941.1 实用新型 2011-10-27 2012-6-6 10 27 一种发光二极管外延片的生长方法 及发光二极管外延片 ZL201410788163.0 发明 2014-12-17 2017-10-3 20 28 半导体发光二级管及其制造方法 ZL201210056382.0 发明 2012-3-6 2015-6-24 20 29 一种回收图形化蓝宝石衬底的方法 ZL201210056756.9 发明 2012-3-7 2014-7-9 20 30 一种提高载流子复合效率的多量子 阱中的垒的结构 ZL201210122393.4 发明 2012-4-25 2015-7-8 20 31 渐变电子阻挡层的紫外光氮化镓半 导体发光二极管 ZL201210122392.X 发明 2012-4-25 2014-5-7 20 32 LED芯片的制造方法 ZL201210093271.7 发明 2012-4-1 2014-12-24 20 33 一种GAN基LED量子阱有源区的外延 生长方法 ZL201210189941.5 发明 2012-6-11 2015-4-1 20 34 一种发光二极管的外延片及其制造 方法 ZL201210224723.0 发明 2012-7-2 2015-5-20 20 35 一种倒三角形发光二极管芯片的制 作方法 ZL201210208670.3 发明 2012-6-21 2014-12-10 20 36 一种透明导电层和发光二极管 ZL201220338044.1 实用新型 2012-7-12 2013-2-13 10 37 一种发光二极管的外延片及其制造 方法 ZL201210240976.7 发明 2012-7-12 2015-9-23 20 38 一种晶圆的裂片装置和方法 ZL201210273144.5 发明 2012-8-2 2015-4-22 20 39 一种高压发光二极管芯片 ZL201220399415.7 实用新型 2012-8-13 2013-2-13 10 40 一种发光二极管的芯片及该芯片的 制备方法 ZL201210563894.6 发明 2012-12-21 2015-12-9 20 41 一种发光二极管的外延片及其制造 方法 ZL201210318437.0 发明 2012-8-31 2016-2-3 20 42 一种发光二极管芯片 ZL201220476129.6 实用新型 2012-9-17 2013-3-27 10 43 一种提高GaN基LED发光效率的外延 方法 ZL201210299221.4 发明 2012-8-22 2015-2-11 20 44 一种发光二极管芯片的外延层生长 方法 ZL201210312441.6 发明 2012-8-29 2015-12-9 20 45 一种发光二极管的外延片以及发光 ZL201210384250.0 发明 2012-10-10 2015-9-30 20 二极管 46 一种蓝绿光二极管外延片及其制造 方法 ZL201210394267.4 发明 2012-10-17 2015-4-22 20 47 LIGHT-EMITTINGDIODEANDMETHODFORPREPARINGTHESAME US9087933 发明 2012-7-27 2015-7-21 20 48 Semiconductorlight-emittingdiodeandmethodformanufacturingthesame US9269852 发明 2012-7-27 2016-2-23 20 49 一种发光二极管芯片及其制造方法 ZL201210544495.5 发明 2012-12-13 2015-4-1 20 50 一种发光二极管芯片及其制备方法 ZL201210537617.8 发明 2012-12-12 2016-4-20 20 51 一种发光二极管外延片及其制备方 法 ZL201210540920.3 发明 2012-12-12 2016-6-1 20 52 一种发光二极管外延片及其制备方 法 ZL201210544173.0 发明 2012-12-13 2016-6-1 20 53 一种发光二极管外延片 ZL201210438181.7 发明 2012-11-6 2016-2-17 20 54 一种半导体探测器 ZL201220690685.3 实用新型 2012-12-12 2013-8-28 10 55 一种发光二极管的外延片及其制造 方法 ZL201210546009.3 发明 2012-12-14 2015-12-9 20 56 一种发光二极管芯片及其制造方法 ZL201310040746.0 发明 2013-2-1 2015-10-28 20 57 一种GaN基外延片衬底的回收方法 ZL201310021876.X 发明 2013-1-21 2016-3-2 20 58 一种GaN基探测器 ZL201320276416.7 实用新型 2013-5-20 2013-9-4 10 59 一种发光二极管的外延片及其制造 方法 ZL201310156773.4 发明 2013-4-28 2016-1-20 20 60 一种正装结构的发光二极管外延片 ZL201320324998.1 实用新型 2013-6-6 2014-3-26 10 61 发光二极管外延片及其制造方法 ZL201310188694.1 发明 2013-5-21 2017-7-25 20 62 一种发光二极管的外延片 ZL201310220372.0 发明 2013-6-6 2016-8-10 20 63 一种在缓冲层上生长氮化镓外延层 的方法 ZL201310282192.5 发明 2013-7-5 2016-8-10 20 64 一种GaN基发光二极管外延片及其制 ZL201310329712.3 发明 2013-7-31 2016-2-3 20 作方法 65 半导体发光二极管的外延片及其制 造方法 ZL201310280553.2 发明 2013-7-5 2016-12-28 20 66 氮化镓基发光二极管 ZL201320447686.X 实用新型 2013-7-25 2013-10-31 10 67 Si衬底GaN基发光二极管外延片及其 制作方法 ZL201310391310.6 发明 2013-8-30 2016-1-20 20 68 一种GaN基发光二极管芯片的生长方 法 ZL201310435856.7 发明 2013-9-13 2016-10-19 20 69 一种发光二极管芯片及其制作方法 ZL201310435895.7 发明 2013-9-23 2017-4-26 20 70 一种GaN基发光二极管外延片及其制 作方法 ZL201310386364.3 发明 2013-8-30 2016-4-20 20 71 一种发光二极管芯片 ZL201320613260.7 实用新型 2013-9-29 2014-3-26 10 72 一种GaN基发光二极管外延片及其制 作方法 ZL201310396504.5 发明 2013-9-3 2017-3-8 20 73 适用于LED测试机的辅助吹气装置 ZL201320569531.3 实用新型 2013-9-13 2014-3-5 10 74 高光效发光二极管芯片及其制备方 法 ZL201310552255.4 发明 2013-11-8 2016-8-17 20 75 具有对称电极的倒装发光二极管及 其制作方法 ZL201310560581.X 发明 2013-11-12 2016-4-13 20 76 一种氮化镓发光二极管及其制备方 法 ZL201310434926.7 发明 2013-9-23 2016-6-26 20 77 一种发光二极管的外延片及其制作 方法 ZL201310593671.9 发明 2013-11-21 2016-5-25 20 78 一种GaN基白光发光二极管及其制备 方法 ZL201310552311.4 发明 2013-11-8 2016-8-3 20 79 一种图形化的蓝宝石衬底 ZL201320703572.7 实用新型 2013-11-8 2014-5-7 10 80 半导体发光器件 ZL201320746056.2 实用新型 2013-11-21 2014-5-7 10 81 一种发光二极管制造方法及采用该 方法制得的发光二极管 ZL201310681224.9 发明 2013-12-13 2016-8-3 20 82 一种具有全方位反射镜的发光二极 ZL201420022213.X 实用新型 2014-1-15 2014-7-16 10 管 83 一种发光二极管外延片及其制作方 法 ZL201410111793.4 发明 2014-3-24 2016-8-17 20 84 一种GaN基发光二极管外延片及其制 作方法 ZL201410111404.8 发明 2014-3-24 2016-10-5 20 85 发光二极管外延片及其制造方法 ZL201410072064.2 发明 2014-2-28 2018-1-12 20 86 图形化蓝宝石衬底及其制作方法、外 延片的制作方法 ZL201410043544.6 发明 2014-1-29 2017-6-27 20 87 一种白光发光二极管LED及其LED芯 片 ZL201420273414.7 实用新型 2014-5-26 2014-12-10 10 88 具备分布式布拉格反射镜的发光二 极管外延片的返工方法 ZL201410177932.3 发明 2014-4-29 2017-5-3 20 89 一种发光二极管外延片及其制造方 法 ZL201410222155.X 发明 2014-5-23 2017-6-30 20 90 一种白光发光二极管LED及其LED芯 片 ZL201420273088.X 实用新型 2014-5-26 2014-10-29 10 91 一种发光二极管的外延结构 ZL201410235976.7 发明 2014-5-30 2017-5-3 20 92 GaN基发光二极管的外延片及其制作 方法 ZL201410235690.9 发明 2014-5-30 2017-2-15 20 93 一种发光二极管外延片及其制造方 法 ZL201410261342.9 发明 2014-6-12 2018-3-6 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