[中报]中微公司(688012):2025年半年度报告
原标题:中微公司:2025年半年度报告 一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、重大风险提示 公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅第三节管理层讨论与分析“四、风险因素”部分内容。 三、公司全体董事出席董事会会议。 四、本半年度报告未经审计。 五、公司负责人尹志尧、主管会计工作负责人陈伟文及会计机构负责人（会计主管人员）陈伟文声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案无 七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用√不适用 八、前瞻性陈述的风险声明 √适用□不适用 本半年度报告中涉及的未来计划、发展战略等前瞻性陈述不构成公司对投资者的实质承诺，投资者及相关人士均应当对此保持足够的风险认识，并且应当理解计划、预测与承诺之间的差异，敬请投资者注意投资风险。 九、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性否 十二、其他 □适用√不适用 目录 第一节 释义........................................................................................................................................11 第二节 公司简介和主要财务指标....................................................................................................12 第三节 管理层讨论与分析................................................................................................................16 第四节 公司治理、环境和社会........................................................................................................51 第五节 重要事项................................................................................................................................53 第六节 股份变动及股东情况............................................................................................................64 第七节 债券相关情况........................................................................................................................71 第八节 财务报告................................................................................................................................72
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
一、公司基本情况
(一)公司股票简况 √适用□不适用
□适用√不适用 五、其他有关资料 □适用√不适用 六、公司主要会计数据和财务指标 (一)主要会计数据 单位：元 币种：人民币
√适用□不适用 2025年上半年公司营业收入约49.61亿元，较上年同期增加约15.13亿元，同比增长约43.88%。 其中，2025年上半年刻蚀设备销售约37.81亿元，同比增长约40.12%；LPCVD设备销售约1.99亿元，同比增长约608.19%；公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，在先进逻辑器件和先进存储器件中多种关键刻蚀工艺实现大规模量产。 2025年上半年归属于母公司所有者的净利润约7.06亿元，较上年同期增加约1.89亿元，同比增长约36.62%，主要原因：（1）2025年上半年营业收入增长43.88%下，毛利较去年增加约5.52亿元。（2）2025年上半年公司研发投入约14.92亿元，同比增加约5.21亿元（增长约53.70%），2025年上半年研发投入占公司营业收入比例约为30.07%，远高于科创板上市公司的平均研发投入水平（10%~15%）。2025年上半年研发费用11.16亿元，较上年同期增加约5.49亿元（增长约96.65%）。（3）经评估师评估，公司以公允价值计量且其变动计入当期损益的对外股权投资于2025年上半年产生公允价值变动收益和投资收益合计约1.68亿元，较2024年上半年亏损的0.08亿元增加约1.76亿元。 2025年上半年归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润约5.39亿元，较上年同期增加约0.56亿元，同比增长约11.49%，主要原因：2025年上半年营业收入增长43.88%，毛利较去年增加约5.52亿元，以及2025年上半年研发费用较去年增加约5.49亿元。 七、境内外会计准则下会计数据差异 □适用√不适用 八、非经常性损益项目和金额 √适用□不适用 单位:元 币种:人民币
九、存在股权激励、员工持股计划的公司可选择披露扣除股份支付影响后的净利润□适用√不适用 十、非企业会计准则业绩指标说明 √适用□不适用 单位：元 币种：人民币
中微公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世界科技前沿，基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED外延片生产、功率器件、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。 公司的等离子体刻蚀设备已应用在国际一线客户从65至5纳米及其他先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。公司的MOCVD设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列的氮化镓基LED设备制造商。公司近两年新开发的LPCVD薄膜设备和ALD薄膜设备，目前已有多款产品进入市场并获得大批量重复性订单。 公司主要为集成电路、LED外延片、功率器件、MEMS等半导体产品的制造企业提供刻蚀设 备、薄膜沉积设备、MOCVD设备及其他设备，其中主要产品的具体情况如下：报告期内，公司主营业务未发生变化。 （三）主要经营模式 1、盈利模式 公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售，通过向下游集成电路、LED外延片、先进封装、MEMS等半导体产品的制造公司销售等离子体刻蚀设备、薄膜沉积设备和MOCVD设备、提供配件及服务实现收入和利润。报告期内，公司主营业务收入来源于半导体设备产品的销售，其他收入来源于设备相关配件销售及设备支持服务等。 2、研发模式 公司主要采取自主研发的模式。根据公司产品成熟度，公司的研发流程主要包括概念与可行性阶段、Alpha阶段、Beta阶段、量产阶段。 公司按照刻蚀设备、薄膜沉积设备、MOCVD设备等不同研发对象和项目产品，组成了相对独立的研发团队。不同产品研发团队拥有各自独立的机械设计、工艺开发、产品管理和技术支持团队，而在电气工程、平台工程、软件工程等方面则采用共享的方式进行研发支持。通过这种矩阵管理的方法，实现了人才、营运等资源在不同的产品及技术服务之间灵活分配，实现共享经验知识，优化资源使用效率，使公司能够快速响应不断变化的研发要求，进行持续的技术创新。 3、采购模式 为保证公司产品的质量和性能，公司制定了严格的供应商选择和审核制度。达到经营资质、研发和设计能力、技术水平、质量管控能力、生产能力、产品价格、交货周期及付款周期等众多标准要求的供应商，被纳入公司合格供应商名录，并定期审核。目前，公司已经与全球众多供应商建立了长期、稳定的合作关系。 4、生产模式 公司主要实行订单式生产为主，结合少量库存式生产为辅的生产方式。订单式生产是指公司在与客户签订订单后，根据订单情况进行定制化设计及生产制造，以应对客户的差异化需求。库存式生产是指公司对设备通用组件或成批量出货设备常用组件根据内部需求及生产计划进行预生产，主要为快速响应交期及平衡产能。 5、营销及销售模式 公司采取直销为主的销售模式，因欧洲市场的客户较为分散，公司在该区域通过代理商模式进行销售。公司设有全球业务部负责公司所有产品的销售管理，下设中国大陆、中国台湾、韩国、日本、新加坡、美国等国家或地区的区域销售和支持部门。 新增重要非主营业务情况 □适用√不适用 二、经营情况的讨论与分析 数码产业已成为国民经济发展的重要引擎，而作为数码产业的基石，加工集成电路和各种微观器件的半导体设备产业，正成为备受关注的硬科技领域。作为国内外半导体高端设备的领先公司，中微公司迎来了快速发展机遇。 中微公司的主打产品等离子体刻蚀设备和薄膜沉积设备是除光刻机以外的核心微观加工设备，具有制程步骤最多、工艺过程开发难度最高的特点。微观器件的不断缩小推动了器件结构和加工工艺的变化。存储器件从平面2D到立体3D架构的转换，显著提升了等离子体刻蚀和薄膜沉积工艺的关键性，相应设备的需求量大大增加。同时，光刻机由于波长的限制，更小的微观结构要靠等离子体刻蚀和薄膜沉积设备的组合“二重模板”和“四重模板”工艺技术来加工，刻蚀机和薄膜设备的重要性和市场空间持续提升，相关设备市场的年平均增长速度远高于其他种类的设备，为中微公司带来了强劲增长动力。此外，随着半导体工艺节点持续缩小，量检测设备需满足更高精度要求，推动该设备市场快速增长，已成为占半导体前道设备总市场约13%的第四大设备门类。量检测设备主要涵盖光学量检测设备和电子束量检测设备。中微公司于2024年新发起设立了超微公司，重点开发电子束量检测设备等，公司将通过多种方式扩大对多门类量检测设备的市场参与和产品覆盖。 在集成电路产业飞速发展的浪潮中，中微公司站在先进制程工艺发展的最前沿，以高端半导体设备为核心，坚持技术的创新、产品的差异化和知识产权保护的基本原则。凭借强有力的研发司将整合产业链上下游和相关资源作为另一发力点，积极考虑投资和并购，推动公司更快发展。 预计未来五到十年，中微公司将通过自主研发以及携手行业合作伙伴，覆盖集成电路关键领域超 过60%的设备市场。近年来泛半导体产业的发展也非常迅猛。三五族化合物半导体器件，如照明和显示屏所用的发光二极管、氮化镓和碳化硅功率器件等市场发展极快。这些器件所需的MOCVD设备是重要的关键设备。与集成电路需要很多种设备、上千步循环的制造工艺不同，制造三五族化合物器件主要靠MOCVD设备实现，而且该设备的大部分市场集中在中国大陆。 中微公司瞄准世界科技前沿，持续践行三维发展战略，聚焦集成电路关键设备领域，扩展在泛半导体关键设备领域应用并探索其他新兴领域的机会，推进公司实现高速、稳定、健康、安全发展。公司坚持以市场和客户需求为导向，积极应对复杂形势，继续加大研发投入和业务开拓力度，推动以研发创新为驱动的高质量增长策略，抓住重点客户扩产投资机会，推进订制化、精细化生产模式，公司在刻蚀设备、薄膜沉积设备、MOCVD设备等设备产品研发、市场布局、新业务投资拓展等诸多方面取得了较大的突破和进展，产品不断获得海内外客户的认可，为公司持续健康发展提供了有力支撑。 公司同时兼顾外延性发展，在聚焦公司核心业务集成电路设备的同时积极探索布局包括健康 领域在内的新业绩增长点，子公司中微惠创、中微汇链、芯汇康及公司参与投资的标的公司在各 自细分领域取得了卓有成效的进展。 公司位于南昌的约14万平方米的生产和研发基地、在上海临港的约18万平方米的生产和研 发基地已投入使用，产能大幅提升；上海临港滴水湖畔约10万平方米的总部大楼暨研发中心也在 顺利建设；为确保今后十年有足够的厂房，并保障众多新产品研发和产能高速增长的需求，公司 规划将在广州增城区及成都高新区建造新的生产和研发基地。（图：中微南昌生产和研发基地项目整体航拍图） （图：上海临港生产和研发基地项目整体航拍图） 报告期内公司持续提升综合竞争力，在技术进步、业务发展、业绩增长、规范治理等方面不断向国际先进水平的方向努力，实现公司高速、稳定、健康、安全发展。 报告期内重点任务完成情况 报告期内，公司在研发创新、知识产权体系建设、生产经营、外延式生长等方面取得了积极成果： 1、产品研发及客户拓展方面 公司坚持自主创新，产品布局及技术研发面向世界科技前沿。报告期内，公司继续保持较高的研发投入，与国内外一流客户保持紧密合作，相关设备产品研发进展顺利、客户端验证情况良好，在部分关键客户市场占有率稳步提升。2025年上半年公司研发投入总额14.92亿元，较上年同期增加53.70%，研发投入总额占营业收入比例为30.07%。公司目前在研项目涵盖六类设备，包含多个关键制程工艺的核心设备开发。 公司积极参与有影响力的市场活动，不断强化公司技术和品牌优势。报告期内，公司发挥产品性能、技术及销售服务竞争优势，持续深化同海内外客户的业务合作，以更好的市场形象和更专业的服务为客户提供产品解决方案。在持续改善量产机台的运行时间和生产效率的同时，研发团队和客户紧密合作，进行更多的关键制程工艺开发和验证，进一步提高产品的技术先进性和市场竞争力，拓宽机台的生产能力并赢得更多的量产机会。 公司主要产品的进展情况如下： （1）CCP刻蚀设备 公司CCP刻蚀设备中双反应台机型PrimoD-RIE、PrimoAD-RIE、PrimoAD-RIE-e和单反应 台机型PrimoHD-RIE等产品已广泛应用于国内外一线客户的生产线，用于高精度高选择比刻蚀 e 工艺的单反应台产品PrimoHD-RIE和用于超高深宽比刻蚀工艺的PrimoUD-RIE持续获得客户订 e 单，其中PrimoHD-RIE在2025年上半年累计装机超过120个反应台，PrimoUD-RIE累计装机 接近200个反应台。截至2025年上半年，CCP刻蚀设备累计装机量超过4500个反应台，较2024 年同期增长超过900个反应台。其中，双反应台刻蚀产品凭借独特设计，为成熟和先进技术节点 的客户提供了均衡的解决方案，持续获得批量订单，截至2025年上半年累计装机突破了3300个 反应台。单反应台产品近年来在关键工艺取得持续突破，截至2025年上半年累计装机接近1200 个反应台。公司的刻蚀产品已经对28纳米以上的绝大部分CCP刻蚀应用和28纳米及以下的大部分CCP刻蚀应用形成较为全面的覆盖。针对28纳米及以下的逻辑器件生产中广泛采用的一体化大马士革刻蚀工艺，公司开发的可调节电极间距的CCP刻蚀机PrimoSD-RIE已进入国内领先的逻辑芯片制造客户端进行验证，目前电性验证已经通过，并且在多个客户通过了器件可靠性的测试。PrimoSD-RIE也已经进入28纳米以下的研发线，就多项关键刻蚀工艺开展现场研发工作。针对28纳米以下和存储器件工艺中广泛用到的晶边刻蚀，公司推出了12英寸晶边刻蚀设备PrimoHalona。该设备采用具有中微公司特有的双反应台设计，可配置最多三个双反应台，同时处理六片晶圆，在保证较低生产成本的同时，实现更高的产出密度和生产效率。此外，设备腔体搭载Quadra-arm机械臂，其操控精准灵活，腔体内部采用抗腐蚀材料设计，可抵抗卤素气体腐蚀，提供了更强的设备稳定性与耐久性。 在存储器件制造工艺中，公司的产品已覆盖存储器件制造中的绝大部分应用。公司针对超高深宽比刻蚀工艺（深宽比60:1）自主开发的PrimoUD-RIE，该设备具有超大功率的60MHz和400kHz射频馈入，并且配备了国际首创的主动边缘阻抗调节系统，该系统具有完全自主的知识产权，目前已大规模应用于先进的存储器件生产线。PrimoUD-RIE在大规模量产场景下的可靠性持续得到验证，各项量产指标也在不断提升。针对超高深宽比工艺的未来发展趋势，公司积极布局超低温刻蚀技术，在超低温静电吸盘技术和新型刻蚀气体研究上投入大量资源，以满足超高深宽比刻蚀技术迭代的需求。 （2）ICP刻蚀设备 报告期内，公司的ICP刻蚀设备在涵盖逻辑、DRAM、3DNAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的50多个客户的生产线上大规模量产，并继续验证更多ICP刻蚀工艺。截至2025年上半年，ICP刻蚀设备累计装机量超过1200个反应台。 报告期内，公司NanovaLUX-Cryo在客户端认证通过，并取得重复订单。与此同时，下一代ICP刻蚀设备PrimoNanova3G在实验室已经完成Alpha反应腔的搭建，正展开反应腔体表征。 公司ICP双台机机型PrimoTwin-Star则在海内外客户的逻辑芯片、功率器件、微型发光二极管Micro-LED、AR和VR智能眼镜用的超透镜（Metalens）等特色器件的产线上实现量产，并取得重复订单。 报告期内，公司8英寸和12英寸深硅刻蚀设备PrimoTSV200E、PrimoTSV300E在晶圆级先进封装、2.5D封装和微机电系统芯片生产线等成熟市场继续获得重复订单的同时，在12英寸3D芯片的硅通孔刻蚀工艺上得到成功验证，并获得在欧洲客户12英寸微机电系统芯片产线上进行机台认证的机会，这些新工艺的验证为公司PrimoTSV300E刻蚀设备拓展了新的市场。公司PrimoMenova?12寸金属刻蚀设备全球首台机顺利付运国内一家重要集成电路研发设计及制造服务商，开始现场验证。 公司根据客户和市场技术发展需求，有序推进更多先进ICP刻蚀技术研发，为推出下一代ICP刻蚀设备进行技术储备，以满足新一代的逻辑、DRAM和3DNAND存储等芯片制造对ICP刻蚀的需求。 （3）MOCVD设备 报告期内，公司用于蓝光照明的PRISMOA7、用于深紫外LED的PRISMOHiT3、用于Mini-LED显示的PRISMOUniMax等产品持续服务客户，公司持续保持国际氮化镓基MOCVD设备市场领先地位。其中PRISMOUniMax产品自2021年6月正式发布以来，凭借其高产量、高波长均匀性、高良率等优点，受到下游客户的广泛认可，在Mini-LED显示外延片生产设备领域处于国际领先。 （图：PRISMOUniMaxMOCVD设备） 公司于2023年底付运Micro-LED应用的设备样机PreciomoUdx至国内领先客户开展生产验 证。报告期内样机验证顺利，满足客户小批量生产要求，并已取得客户重复订单。（图：PreciomoUdxMOCVD设备） 公司紧跟市场发展趋势，积极拓展MOCVD设备的应用范围；已启动用于红黄光LED的MOCVD设备开发，目前开发进展顺利，实验室测试已实现优良的波长均匀性。报告期内，公司已付运首台红黄光LED专用的MOCVD设备至国内领先客户开展生产验证。 随着电动汽车、消费电子、人工智能、风力与光伏储能和轨道交通等应用的快速发展，市场对氮化镓和碳化硅功率器件的需求呈现爆发式增长。公司在氮化镓LED外延装备的领先优势基础上，进一步研发了面向硅基氮化镓异质外延功率器件的专用设备。公司于2022年推出了用于氮化镓功率器件生产应用的MOCVD设备PRISMOPD5，目前已交付客户进行生产验证，并取得了重备性能，降低客户生产成本，持续提升公司在氮化镓基MOCVD设备领域的竞争力，并尽快付运 样机至客户端进行验证。 报告期内，公司在碳化硅功率器件外延生产设备的开发取得较大的技术进展，实现了优良的 工艺结果，正与多家领先客户开展商务洽谈，并持续推进样机在国内领先客户端开展生产验证。 （4）薄膜沉积设备研发 中微公司已开发出六款薄膜沉积产品并推向市场。公司钨系列薄膜沉积产品：CVD（化学气 相沉积）钨设备，HAR（高深宽比）钨设备和ALD（原子层沉积）钨设备，可覆盖存储器件所有 钨应用。该系列设备均已通过关键存储客户端现场验证，满足先进存储应用中所有金属互联应用 （包含高深宽比金属互联应用）及三维存储器件字线应用各项性能指标，并获得客户重复量产订 单。同时，公司钨系列产品也可满足先进逻辑客户钨接触孔应用性能需求，已付运机台到多个逻 辑客户，验证顺利推进中，为进一步积累市场优势打下基础。 同期，公司开发出应用于先进逻辑器件的金属栅系列产品：ALD氮化钛，ALD钛铝，ALD 氮化钽产品，已完成多个先进逻辑客户设备验证，在满足先进逻辑客户性能需求的同时，设备的 薄膜均一性，污染物控制和生产效率均达到世界先进水平。该系列设备已付运到先进逻辑客户端 进行验证，核准推进顺利。其中，ALD氮化钛薄膜也是先进存储器件中钨填充阻挡层和粘结层的 主要选择，公司开发的ALD氮化钛设备可满足先进存储器件高深宽比及三维结构的台阶覆盖率需 求及各项性能指标，并已通过多个关键存储客户的样品验证，有利于进一步扩大市场规模。 中微公司在现有的金属CVD和ALD设备研发基础上，同步推进多款CVD和ALD设备开发， 增加薄膜设备的覆盖率和市场占有率。公司的薄膜沉积设备采用独特的双腔设计，每个腔体可独立进行工艺调节，保证产品性能的 同时，大幅提高了生产效率，降低了材料成本。设备采用中微独立自主的IP设计，确保了更优化 的产品性能，也保障了产品未来的可持续迭代升级。公司EPI设备研发团队，通过基础研究和采纳关键客户的技术反馈，已经开发出具有自主知识产权及创新的平台，预处理和外延反应腔,目前公司减压EPI设备已顺利付运成熟制程客户进行量产验证，并已经进入先进制程工艺验证和客户验证阶段；新一代高选择比预清洁腔体满足先进工艺的需求，已顺利付运先进制程客户端，进入工艺验证和客户验证阶段；常压外延设备现已完成开发，进入工艺调试阶段；常压EPI设备已完成开发，进入工艺验证阶段。 （5）净化设备 子公司中微惠创利用分子筛的吸附原理的化学反应器，开发制造了工业用大型净化设备。设备可根据客户的要求灵活配置不同处理规模的系统，提供给客户可靠、稳定、安全和节能的净化解决方案。中微惠创与德国DAS环境专家有限公司签订战略合作协议后，双方秉承协议内容按计划实施，在半导体行业尾气处理设备领域展开紧密的合作，目前已经生产制造的净化设备顺利地应用在各个客户端，共同推动环保科技行业的发展。此外，中微惠创还在积极探索新能源领域的相关研究。 （图：净化设备） （6）分布式生态工业互联网平台 子公司中微汇链基于多年来在中微公司沉淀的业务管理经验以及在高科技制造领域多家企业的数字化服务实践经验，研发和推广数字化运营体系及产品，专注服务以集成电路为代表的高科技制造行业与行业内企业。 汇链推出的“We”系列数字化产品不仅全面提升企业从研发、制造，到质量、售后的管理能力，还助力企业融入产业生态，全面参与产业协作体系，推动本土制造产业培育更多“专精特新”和单项冠军企业。汇链还为高科技制造产业打造企业间协同互信、资源共享的生态型平台We-Linkin。目前，中微汇链产品体系已涵盖超80个场景应用、超900项微服务。 中微汇链为国家信通院“星火·链网”半导体骨干节点技术建设单位、上海市工业互联网协会首批理事单位、上海及苏州等多地中小企业数字化转型城市试点服务商、中国产业区块链企业50强，并代表中微公司成为上海市与上海浦东新区集成电路产业数字化转型“链主”培育企业并行使具体职责；入选2025年上海”工赋软件精选101“名单；获得上海市质量管理数字化转型案例十佳案例、工赋新质-上海市工业互联网创新发展实践案例等奖项；并参与制定《区块链服务基于区块链的去中心化标识（DID）技术要求》、《区块链服务数字孪生开发平台技术规范》等多项数字化领域团体标准。 报告期内，公司研发方向和产品符合市场趋势和需求，与产业发展深度融合。各产品的研发成果均取得行业主流客户的认可，客户验证情况良好，巩固了公司产品的竞争优势。 2、生产基地建设 公司位于南昌的约14万平方米的生产和研发基地、在上海临港的约18万平方米的生产和研发基地已投入使用，产能大幅提升；上海临港滴水湖畔约10万平方米的总部大楼暨研发中心也在顺利建设；为确保今后十年有足够的厂房，并保障众多新产品研发和产能高速增长的需求，公司规划将在广州增城区及成都高新区建造新的生产和研发基地。 3、供应保障方面 公司在需求预测、库存管理和供应商管理三方面建立了动态协调机制，使生产所需的零部件原材料能够高效流转。公司持续开发关键零部件的供应商，非常重视零部件的国产化工作。公司建立了高效的库存管控体系，设置合理的库存警戒线，以加快存货周转。随着智能工厂项目和精益管理的持续推进，人员效率和人均产能将稳步提升，制造成本更富竞争力。同时，公司深入强化质量管理体系建设，增强员工质量意识，产品质量缺陷数量呈逐年下降态势。 4、营运管理方面 公司在营运管理中采用关键指标管理，尤其在生产管理、材料管理、客户技术支持和设备运行表现方面设定了一系列的关键考核指标，覆盖了质量、效率、成本和安全等众多方面。公司定期跟踪各项指标的执行情况，并根据统计结果和客户反馈，制定出关键指标的改进要求。 报告期内，公司营运效率持续提高，设备交付按时率保持在较高水准、物料成本控制等指标达到预期水平。 5、知识产权保障方面 公司高度重视科技创新和知识产权保护工作。报告期内，公司新增专利申请130项，其中发明专利85项。截至2025年6月30日，公司已申请3038项专利，其中发明专利2507项；已获授权专利1901项，其中发明专利1593项。公司鼓励创新，组织开展优秀专利奖项的评选活动，着重奖励在产品创新方面取得杰出成效的员工。 2025年1月9日，公司和南昌中微共同拥有的发明专利“一种化学气相沉积装置及其清洁方法”（专利号：ZL201510218357.1）荣获第二十五届中国专利奖银奖。中国专利奖是我国专利领域的最高荣誉，由国家知识产权局和世界知识产权组织联合主办，旨在鼓励和表彰专利权人和发明人对技术创新及经济社会发展所作出的突出贡献。至此，中微公司已荣获中国专利奖2项金奖、1项银奖和3项优秀奖，这标志着中微公司在技术创新和知识产权保护方面所取得的卓越成就。 6、人才建设方面 公司视员工为最宝贵的资产，致力于为员工提供广阔的职业发展空间，构建专业线、管理线发展双通道，并设计了针对不同发展阶段，包括从入职、成长到成熟，形式多样的职业规划，拓展人才发展渠道，无论普通员工，还是高管团队均能获得充分的发展机会。同时，公司践行“五个十大”的公司文化，打造赋能型、人性化、全员参与式的学习氛围，不断激发员工活力，助力员工实现自身职业理想，与企业共同成长发展。报告期内，公司进一步拓宽人才吸引渠道，从国内外吸引了行业经验丰富的管理及技术人才，并从知名院校中挑选了一批优秀的毕业生，公司2025年上半年新入职员工278人。公司注重激发组织和员工活力，组织开展多项深入的专题培训、学习交流，涵盖工程技术、战略商务、运营管理、财会金融、人工智能和人才发展六大学习版块，有力促进培养组织需要的技能，提升组织及人员竞争力，建立学习型组织文化氛围。公司持续优化人才绩效评估体系及人才晋升机制，使得优势资源更进一步向高绩效员工倾斜。2025年6月10日，公司向2458名激励对象授予1000万股限制性股票。公司持续优化人才梯队，为业务可持续发展提供人才保障。 7、外延式发展方面 公司不断践行外延式发展策略，公司下属的中微汇链、中微惠创、芯汇康在新业务拓展领域取得了良好的进展，得到了市场和用户的认可。公司同时积极探索在相关领域的投资机会，公司诸多参股投资的公司营运表现良好，形成了良好的产业链协同效应。 8、内部治理方面 公司建立了较为完善的公司内控制度和公司治理结构，报告期内持续完善公司治理机制，强化风险管理和内部控制，严格贯彻执行相关制度，切实保障公司和股东的合法权益，为企业持续健康发展提供坚实基础。 9、信息披露及防范内幕交易方面 公司严格遵守法律法规和监管机构规定，严格执行公司信息披露管理制度，真实、准确、完整、及时、公平地履行信息披露义务，通过上市公司公告、投资者交流会、业绩说明会、上证e互动、电话、邮件等诸多渠道，与投资者保持有效沟通，并确保信息披露的合规。报告期内，公司荣获“2024新财富杂志最佳上市公司”、证券时报“最受机构青睐（科创板）上市公司TOP5榜单”、中国证券报“金牛上市公司科创奖”、证券时报“第十六届投资者关系管理天马奖”等多个奖项。 公司高度重视内幕交易防范，做好内幕信息知情人登记管理和防范内幕交易工作。对公司董事、监事、高级管理人员及相关员工定期作出禁止内幕交易的警示及教育，敦促董事、监事、高级管理人员及相关知情人员严格履行保密义务并严格遵守买卖股票规定。 非企业会计准则财务指标变动情况分析及展望 □适用√不适用 报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项 □适用√不适用 三、报告期内核心竞争力分析 (一)核心竞争力分析 √适用□不适用 公司主要从事半导体及泛半导体设备的研发、生产和销售，为全球半导体制造商及其相关的高科技新兴产业公司提供加工设备和工艺技术解决方案，助力他们提升技术水平、提高生产效率、降低生产成本。公司围绕这一目标，不断加强管理和研发能力，形成了优秀的技术和管理团队持续研发创新并推出有技术和市场竞争力的产品。 （一）突出的创始人及技术团队保证公司在高端半导体设备研发和运营的竞争优势中微公司的创始团队及技术人员拥有国际领先半导体设备公司的从业经验，是国内具有国际化优势的半导体设备研发和运营团队之一。 中微公司的创始人、董事长及总经理尹志尧博士在半导体芯片和设备产业有超过40年的行业经验，是国际等离子体刻蚀技术发展和产业化的重要推动者之一。中微公司的其他联合创始人、核心技术人员和重要的技术、工程人员，包括各专业领域的专家，其中很多是在国际半导体设备产业耕耘数十年，为行业发展做出杰出贡献的资深技术和管理专家。他们在参与创立或后续加入中微公司后，不断创造新的技术、工艺和设计，为公司产品和技术发展做出了不可替代的贡献。 中微公司以合作共赢的团队精神和全员持股的激励制度，吸引了来自世界各地具有丰富经验的半导体设备专家，形成了成熟的研发和工程技术团队。截至报告期末，公司共有研发人员1,321名，占员工总数的50.08%，涵盖了等离子体物理、射频及微波学、结构化学、微观分子动力学、光谱及能谱学、真空机械传输等相关学科的专业人员。凭借研发团队多年的努力以及持续不断的研发投入，公司成功研发了具有市场竞争力的半导体刻蚀设备、薄膜设备及MOCVD设备，积累了丰富的研发和产业化密切结合的经验和雄厚的技术、专利储备。 公司成功打造了一支具有创造力和竞争力的技术和研发团队，有力地保障了公司产品和服务不断创新改进。 （二）持续高水平的研发投入，依照产业发展提前布局 持续较高水平的研发投入是公司保持核心竞争力的关键。半导体制造对设备的可靠性、稳定性和一致性提出了极高的要求，半导体设备行业技术门槛较高，行业新进入者需要经过较长时间的技术积累才能进入该领域。 公司面向世界先进技术前沿，以国际先进的研发理念为依托，专注于高端微观加工设备的自主研发和创新。公司始终保持大额的研发投入和较高的研发投入占比。公司具有一支技术精湛、勇于创新的国际化人才研发队伍，形成了良好的企业创新文化，为公司持续创新和研发提供保障力量。 公司积累了深厚的技术储备和丰富的研发经验，这一优势保证了公司产品和服务的不断进步。 公司拥有多项自主知识产权和核心技术，截至2025年6月30日，公司已申请3038项专利，其中发明专利2507项；已获授权专利1901项，其中发明专利1593项。 在逻辑集成电路制造环节，公司开发的12英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户最先进的生产线上并用于5纳米、5纳米以下器件中若干关键步骤的加工；同时，公司根据先进集成电路厂商的需求持续进行设备开发和工艺优化。在3DNAND芯片制造环节，公司的等离子体刻蚀设备已应用于128层及以上的量产，同时公司根据存储器件客户的需求正在开发极高深宽比的刻蚀 设备和工艺；公司也根据逻辑器件客户的需求，正在开发更先进刻蚀应用的设备。公司的MOCVD 设备PrismoA7、PrismoUniMax能分别实现单腔34片4英寸和41片4英寸外延片加工能力。公 司的PrismoA7与PrismoUniMax设备技术实力突出，已在全球氮化镓基LEDMOCVD市场中占 据领先地位。公司和诸多一流的LED外延片厂商公司紧密合作，实现了产业深度融合。公司开发 的12英寸低压薄膜沉积设备可以用于先进逻辑电路接触孔填充工艺，以及128层及以上3DNAND 的多个工艺的制程要求，同时公司还致力于更先进逻辑电路的接触孔填充设备和更多层数的存储 器件接触孔和金属互联填充设备的开发和工艺验证。具体在研项目情况详见第三节管理层讨论与 分析部分“三、报告期内核心竞争力分析”中关于核心技术与研发进展部分。 公司高端设备产品和技术处于世界先进水平，产品研发提前布局，符合行业发展趋势。 （三）持续优化营销和服务网络，在产品认证和使用过程与客户形成深度的绑定合作关系积 极打造中微特色的服务优势 经过多年的努力，公司凭借在刻蚀设备及MOCVD设备领域的技术和服务优势，产品已成功 进入了海内外半导体制造企业，形成了较强的客户资源优势。 半导体设备制造商的售后服务尤为关键，关系到设备能否在客户生产线上正常、稳定地运行。 随着半导体制造环节向亚洲转移，相较于国际竞争对手，公司在地域上更接近主流客户，能提供 快捷的技术支持和客户维护。 公司良好的产品性能表现以及专业售后服务能力已在业内树立了良好的品牌形象。 （四）持续拓展泛半导体设备产品，扩大产品覆盖优势 公司的设备产品覆盖集成电路、MEMS、LED、平板显示等不同的下游半导体应用市场，具 有不同的周期性，多产品覆盖能够一定程度平抑各细分市场波动对公司业绩带来的影响。（五）建立全球化采购体系，持续提升公司生产交付的服务水平 公司对于零部件供应商的选择十分慎重，对供应商的工艺经验、技术水平、商业信用进行严 格考核，并对零部件进行严格测试。公司建立了全球化的采购体系，与全球供应商建立了稳定的 合作关系。同时，公司注重零部件的本土化，在国内培育了众多的本土零部件供应企业，有力地 保障了公司产品零部件供应和服务水平的持续提升。 （六）充分发挥员工主观能动性，打造“总能量”和“净能量”最大化的企业文化 公司高度重视企业管理文化建设，经过20多年的实践发展，总结出了一套科创企业发展和成 熟必须要遵循的客观规律和经验法则，形成了以“产品开发十大原则”、“战略销售十大准则”、 “营运管理十大章法”、“领导能力十大要点”和“精神文化十大作风”为核心的企业管理与发 展的哲学。中微一直秉承“自强不息，厚德载物”和“攀登勇者，志在巅峰”的企业精神，不断 攀登新的发展高峰，力争使中微成为总能量最大化和净能量也最大化的强大而成功的企业。(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施□适用√不适用 (三)核心技术与研发进展 1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况 公司特别重视核心技术的创新。在开发、设计和制造刻蚀设备、薄膜沉积设备和MOCVD等设备的过程中，始终强调创新和差异化并保持高强度的研发投入。通过核心技术的创新，公司的产品已达到国际先进水平。 1、刻蚀设备技术 报告期内，公司紧跟技术发展趋势和客户需求，坚持自主创新，致力于产品的差异化，持续 强化刻蚀设备的技术领先优势。公司在过去的20多年着力开发了一个完整系列的18种等离子体 刻蚀设备，并积累了大量的芯片生产线量产数据和客户验证数据。公司CCP和ICP刻蚀机的单双 反应台并举策略的优势凸显，对各个技术节点的工艺应用形成有效的覆盖。同时，公司大力投入 先进芯片制造技术中关键刻蚀设备的研发和验证，目前针对逻辑和存储芯片制造中最关键刻蚀工 艺的设备在客户的产线验证进展顺利，CCP和ICP设备中的部分先进机型成为先进器件生产中关 键工艺的主力机型。同时，公司始终以最先进器件制造的需求为指引，不断加大投入，着力研发 先进器件生产亟需的高端设备。在逻辑芯片制造方面，公司开发的12英寸高端刻蚀设备持续获得国际国内知名客户的订单，已经在从65至5纳米及更先进技术结点大量量产；同时，先进逻辑器件制造对加工的精确性，重复性，微粒污染水平，以及反应腔之间的匹配度等都提出了更高的要求，公司针对5纳米及更先进技术节点的刻蚀设备进行了多项性能改进，并已经在生产线上实施，极大提升了设备的生产效率和生产质量。针对5纳米及以下更严苛的工艺要求，公司正积极研发下一代机型，以实现更高的刻蚀选择比和均匀性控制，以及达到更稳定的量产表现。 在存储芯片制造环节，公司的等离子体刻蚀设备已大量用于先进三维闪存和动态随机存储器件的量产。公司致力于提供超高深宽比掩膜（≥40:1）ICP刻蚀设备和超高深宽比介质刻蚀(≥60:1)CCP刻蚀设备的解决方案。配备超低频偏压射频的用于超高深宽比掩膜刻蚀的ICP刻蚀机目前已经在生产线上大规模应用，工艺能力可以满足国内最先进的存储芯片制造的需求。配备超低频高功率偏压射频的用于超高深宽比介质刻蚀的CCP刻蚀设备也在最关键的超高深宽比刻蚀工艺大规模生产，并逐步拓展应用。 此外，公司和国内外特殊器件制造客户合作，在先进封装、功率器件、电源管理、微机电系技术的研发，在虚拟现实技术和医疗诊断有广泛应用前景的超透镜（Metalens）和基于12英寸晶 圆的微机电系统制造等方面都取得可喜的进展，公司设备已经在相应的生产线上进行最新技术的 研发和试产。 在不断扩大刻蚀应用市场占有率和提升产品性能的同时，公司致力于建立完整的供应商体系， 非常注重与本土供应商的合作，力争实现以点带面，合作共赢，共同突破。在带动一批本土供应 商成长的同时也极大地助力公司的高速、稳定、健康和安全发展。近年来，公司继续加大供应商 本土化和多元化的投入，在合作的深度和广度上进一步加强，为降本增效和供应链安全提供更加 坚实的保障。 2、MOCVD设备技术 用于Mini-LED生产的MOCVD设备PRISMOUniMax，具有行业领先的高产能和高灵活性的 特点，在同一系统中可配备多达4个反应腔，每个反应腔都可实现独立控制。PRISMOUniMax 配置了785mm大直径石墨托盘，可实现同时加工164片4英寸或72片6英寸外延晶片，有效提 高产能并降低生产成本；创新的多区辅助加热调节系统，能精确控制托盘局部区域温度，有助于 更大程度上提升LED波长均匀性。PRISMOUniMax已在领先客户端开始进行规模化生产。 用于Micro-LED生产的MOCVD设备PreciomoUdx，兼具行业领先的高产能、高波长均匀性、 长维护周期等竞争优势，已在行业领先客户端用于Micro-LED的小批量生产验证并获得重复订单。 用于硅基氮化镓功率器件用MOCVD设备PRISMOPD5，具有高灵活性的特点，在同一系统 中可配备多达4个反应腔，每个反应腔都可实现独立控制，仅通过更换石墨托盘即可实现6英寸 与8英寸工艺的便捷切换，PRISMOPD5设备已在客户生产线上验证通过并获得重复订单。 下一代硅基氮化镓功率器件用MOCVD设备正按计划顺利开发。该设备兼容6英寸与8英寸 工艺，并在厚度及组分均匀性、外延片表面颗粒控制水平、自动化传输等方面实现了性能提升。 用于碳化硅功率器件外延生产的设备正在开发中，该设备具备优异的厚度与掺杂均匀性能； 同时，具备行业领先的低缺陷颗粒水平和长维护周期，目前正于客户端开展验证测试。3、薄膜沉积设备技术 公司已经实现六种薄膜沉积设备的高效研发与交付。公司完全自主设计开发的双台机钨系列设备，生产效率达到业界领先水平，在保证较低的化学品消耗的同时，具有优秀的阶梯覆盖率和填充能力，能够满足先进存储器件关键字线应用、接触孔填充应用及其他多个关键应用，同时也可满足先进逻辑应用中钨接触孔应用需求，中微独创的接触孔填充方案能够在60比1深宽比的深孔结构中获得国际领先的填充效果。此外，中微开发的金属钨系列在生产稳定性上也表现出了突出性能，其中原子层沉积金属钨产品晶圆间薄膜均一性达到了小于1%的水平。公司新推出自主开发的金属栅系列产品，继承中微独特的双反应台设计，通过中微专利的多级匀气混气设计，基于模型算法的加热系统设计和可实现高效原子层沉积反应的反应腔流导设计等，具备高输出效率的同时，产品性能达到国际先进水平，可满足先进逻辑关键金属栅应用需求。 公司EPI设备研发团队，通过基础研究和采纳关键客户的技术反馈，已经开发出具有自主知识产权及创新的平台，预处理和外延反应腔,目前公司减压EPI设备已顺利付运成熟制程客户进行量产验证，并已经进入先进制程工艺验证和客户验证阶段；新一代高选择比预清洁腔体满足先进工艺的需求，已顺利付运先进制程客户端，进入工艺验证和客户验证阶段；常压外延设备现已完成开发，进入工艺调试阶段；常压EPI设备已完成开发，进入工艺验证阶段。 国家科学技术奖项获奖情况 □适用√不适用 国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况 √适用□不适用
具体内容见下表 报告期内获得的知识产权列表
√适用□不适用 报告期内，公司持续进行较高水平的研发投入，以保持公司的核心竞争力。本期研发投入总额14.92亿元，较上年同期增长53.70%，主要由于随着更多研发项目的开展，研发材料投入增加以及研发人员增加下职工薪酬增长。 公司站在先进制程工艺发展的最前沿，坚持技术的创新、产品的差异化和知识产权保护的基本原则。坚持原创的设计，和国际领先的半导体客户公司同步前行。公司目前在研项目涵盖六类设备，超二十款新设备的开发。公司研发新产品的速度显著加快，过去通常需要三到五年开发一款新设备，现在只需两年或更短时间就能开发出有竞争力的新设备，并顺利进入市场，公司有望在未来几年更大规模地推出新产品。（未完）  |