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拓荆科技(688072):2025年度向特定对象发行A股股票预案
| 时间：2025年09月12日 20:00:59 中财网 |
原标题:拓荆科技:2025年度向特定对象发行A股股票预案
二〇二五年九月
公司声明
1、公司及董事会全体成员保证本预案内容真实、准确、完整，并确认不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏。
2、本预案按照《上市公司证券发行注册管理办法》等法规及规范性文件的要求编制。
3、本次向特定对象发行股票完成后，公司经营与收益的变化由公司自行负责；因本次向特定对象发行股票引致的投资风险，由投资者自行负责。
4、本预案是公司董事会对本次向特定对象发行股票的说明，任何与之相反的声明均属不实陈述。
5、投资者如有任何疑问，应咨询自己的股票经纪人、律师、专业会计师或其他专业顾问。
6、本预案所述事项并不代表审批机关对于本次向特定对象发行股票相关事项的实质性判断、确认、批准或核准，本预案所述本次向特定对象发行股票相关事项的生效和完成尚待公司股东大会审议通过、上交所审核通过并经中国证监会作出予以注册决定。
重大事项提示
本部分所述的词语或简称与本预案“释义”中所定义的词语或简称具有相同的含义。
1、本次向特定对象发行股票相关事项经公司第二届董事会第十八次会议审议通过后，尚需获得公司股东大会审议通过，并经上交所审核通过、中国证监会作出予以注册决定后方可实施。
2、本次发行对象为不超过35名符合中国证监会规定条件的特定对象，包括证券投资基金管理公司、证券公司、信托公司、财务公司、资产管理公司、保险机构投资者、合格境外机构投资者、其他境内法人投资者、自然人或其他合格投资者。证券投资基金管理公司、证券公司、合格境外机构投资者、人民币合格境外机构投资者以其管理的2只以上产品认购的，视为一个发行对象；信托公司作为发行对象的，只能以自有资金认购。
最终发行对象由公司董事会及其授权人士根据股东大会授权，在本次发行申请获得上交所审核通过并经中国证监会作出予以注册决定后，根据竞价情况与保荐机构（主承销商）协商确定。若发行时国家法律、法规或规范性文件对发行对象另有规定的，从其规定。所有发行对象均以人民币现金方式并按同一价格认购本次发行的股票。
3、本次向特定对象发行股票采取竞价发行方式，本次向特定对象发行的定价基准日为发行期首日。
本次向特定对象发行股票的发行价格为不低于定价基准日前二十个交易日（不含定价基准日，下同）公司股票交易均价的80%，上述均价的计算公式为：定价基准日前二十个交易日股票交易均价=定价基准日前二十个交易日股票交易总额/定价基准日前二十个交易日股票交易总量。若公司股票在该二十个交易日内发生因派息、送股、配股、资本公积转增股本等除权、除息事项引起股价调整的情形，则对调整前交易日的交易价格按经过相应除权、除息调整后的价格计算。
若公司股票在定价基准日至发行日期间发生派息、送股、资本公积金转增最终发行价格将在公司取得中国证监会对本次发行予以注册的决定后，由公司董事会或董事会授权人士根据股东大会授权与保荐机构（主承销商）按照相关法律法规的规定和监管部门的要求，遵照价格优先等原则，根据发行对象申购报价情况协商确定，但不低于前述发行底价。
4、本次向特定对象发行股票的数量按照募集资金总额除以发行价格确定，且不超过本次发行前公司总股本的30%，即本次发行不超过83,918,735股（含本数）。最终发行数量由公司董事会及其授权人士根据股东大会授权、中国证监会及上交所相关规定、中国证监会注册的发行数量上限与保荐机构（主承销商）协商确定。
若公司在审议本次向特定对象发行事项的董事会决议公告日至发行日期间发生送股、资本公积金转增股本等除权事项或者因股份回购、股权激励计划等事项导致公司总股本发生变化，本次向特定对象发行的股票数量上限将作相应调整。
若本次向特定对象发行的股份总数因监管政策变化或根据发行注册文件的要求予以变化或调减的，则本次向特定对象发行的股份总数及募集资金总额届时将相应变化或调减。
5、本次发行完成后，发行对象认购的股票自发行结束之日起六个月内不得转让。法律法规、规范性文件对限售期另有规定的，依其规定。
本次发行完成后至限售期届满之日止，发行对象基于本次发行所取得的股票因公司分配股票股利、资本公积金转增股本等情形所衍生取得的股票亦应遵守上述股份锁定安排。限售期届满后，该等股份的转让和交易还需遵守《公司法》《证券法》以及《上海证券交易所科创板股票上市规则》等相关法律法规及规范性文件的规定。
6 460,000.00
、本次向特定对象发行股票募集资金总额不超过人民币 万元
（含本数），扣除发行费用后的募集资金净额拟投入以下项目：
单位：万元
| 序号 | 项目名称 | 拟投资总额 | 拟使用本次募集资金 投资金额 |
| 1 | 高端半导体设备产业化基地建设项目 | 176,830.11 | 150,000.00 |
| 序号 | 项目名称 | 拟投资总额 | 拟使用本次募集资金 投资金额 |
| 2 | 前沿技术研发中心建设项目 | 200,129.38 | 200,000.00 |
| 3 | 补充流动资金 | 110,000.00 | 110,000.00 |
| 合计 | 486,959.49 | 460,000.00 |
在上述募集资金投资项目的范围内，公司可根据项目的进度、资金需求等实际情况，对相应募集资金投资项目的投入顺序和具体金额进行适当调整。募集资金到位前，公司可以根据募集资金投资项目的实际情况，以自有或自筹资金先行投入，并在募集资金到位后予以置换。募集资金到位后，若扣除发行费用后的实际募集资金净额少于拟投入募集资金总额，不足部分由公司以自有或自筹资金解决。
7、本次向特定对象发行股票不会导致公司无控股股东和实际控制人的情况发生变化，不会导致公司股权分布不具备上市条件。
8、本次向特定对象发行股票完成后，公司本次发行前滚存的未分配利润由公司新老股东按照本次发行完成后各自持有的公司股份比例共同享有。
9、根据中国证监会《上市公司监管指引第3号——上市公司现金分红》等相关规定的要求，公司进一步完善了股利分配政策，关于股利分配政策、最近三年现金分红金额及比例、未分配利润使用安排等情况请参见本预案“第四节公司利润分配政策及执行情况”。
10、根据《国务院办公厅关于进一步加强资本市场中小投资者合法权益保护工作的意见》（国办发〔2013〕110号）、《国务院关于进一步促进资本市场健康发展的若干意见》（国发〔2014〕17号）以及中国证监会发布的《关于首发及再融资、重大资产重组摊薄即期回报有关事项的指导意见》（中国证券监督管理委员会公告〔2015〕31号）等法律、法规、规章及其他规范性文件的要求，为保障中小投资者知情权、维护中小投资者利益，本预案已在“第五节关于本次向特定对象发行股票摊薄即期回报与公司采取填补措施及相关主体承诺”中就本次发行对公司即期回报摊薄的风险进行了认真分析，并就拟采取的措施进行了充分信息披露，请投资者予以关注。
公司所制定的填补回报措施不代表公司对未来经营情况及趋势的判断，不构成承诺，不构成盈利预测。投资者不应据此进行投资决策，投资者据此进行投资决策造成损失的，公司不承担赔偿责任。提请广大投资者注意。
11、董事会特别提醒投资者仔细阅读本预案“第三节董事会关于本次发行对公司影响的讨论与分析”之“六、本次股票发行相关的风险说明”有关内容，注意投资风险。
目录
公司声明...................................................................................................................1
重大事项提示...........................................................................................................2
.........................................................................................................................6
目录
释义.........................................................................................................................8
第一节本次向特定对象发行股票方案概要........................................................11一、公司基本情况.........................................................................................11
二、本次向特定对象发行股票的背景和目的.............................................11三、发行对象及其与公司的关系.................................................................15四、本次向特定对象发行股票概况.............................................................16五、本次发行是否构成关联交易.................................................................19六、本次发行是否导致公司控制权发生变化.............................................19.............................19
七、本次发行是否导致公司股权分布不具备上市条件
八、本次发行方案已取得的批准及尚需呈报的批准程序.........................19第二节董事会关于本次募集资金使用的可行性分析........................................21一、本次募集资金使用计划.........................................................................21二、项目方案概述及必要性、可行性分析.................................................21三、本次发行对公司经营管理和财务状况的影响.....................................33四、本次募集资金投向属于科技创新领域.................................................34....................................36
第三节董事会关于本次发行对公司影响的讨论与分析
一、本次发行后公司业务及资产、公司章程、股东结构、高管人员结构和业务结构的变化情况.................................................................................36
二、本次发行后公司财务状况、盈利能力及现金流量的变动情况.........36三、公司与控股股东及其关联人之间的业务关系、管理关系、关联交易及同业竞争等变化情况.................................................................................37
四、本次发行完成后，公司是否存在资金、资产被控股股东及其关联人占用的情形，或为控股股东及其关联人提供担保的情形.........................37五、本次发行对公司负债情况的影响.........................................................38.............................................................38六、本次股票发行相关的风险说明
第四节公司利润分配政策及执行情况................................................................45一、公司利润分配政策.................................................................................45
二、公司最近三年现金股利分配情况.........................................................48三、公司未来三年（2025年-2027年）股东分红回报规划........................49四、公司最近三年未分配利润使用安排情况.............................................52第五节关于本次向特定对象发行股票摊薄即期回报与公司采取填补措施及相关主体承诺.............................................................................................................53
一、本次发行摊薄即期回报对公司主要财务指标的影响.........................53二、本次发行摊薄即期回报的风险提示.....................................................55三、本次发行的必要性和合理性.................................................................55四、本次募集资金投资项目与公司现有业务的关系，公司从事募投项目在人员、技术、市场等方面的储备情况.....................................................55五、公司应对本次发行摊薄即期回报采取的措施.....................................57六、相关主体对公司本次发行摊薄即期回报采取填补措施出具的承诺.58释义
在本预案中，若无特别说明，下列词语具有以下特定含义：
| 拓荆科技、发行人、 公司、上市公司 | 指 | 拓荆科技股份有限公司（就本预案中涉及公司业务的相关内 容，除特别说明外，含合并报表范围内的下属公司） |
| 拓荆创益 | 指 | 拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，系公司全资子公司 |
| 拓荆上海 | 指 | 拓荆科技（上海）有限公司，系公司全资子公司 |
| 本预案 | 指 | 拓荆科技股份有限公司2025年度向特定对象发行A股股票预案 |
| 本次发行、本次向特 定对象发行、本次向 特定对象发行股票 | 指 | 拓荆科技股份有限公司2025年度向特定对象发行A股股票的行 为 |
| 发行方案 | 指 | 拓荆科技股份有限公司2025年度向特定对象发行A股股票方案 |
| A股 | 指 | 经中国证监会审批向境内投资者发行、在境内证券交易所上 市、以人民币认购和交易、每股面值为人民币1.00元的普通股 |
| 定价基准日 | 指 | 计算发行底价的基准日 |
| 股东大会 | 指 | 拓荆科技股份有限公司股东大会 |
| 董事会 | 指 | 拓荆科技股份有限公司董事会 |
| 监事会 | 指 | 拓荆科技股份有限公司监事会 |
| 最近三年 | 指 | 2022年度、2023年度及2024年度 |
| 报告期 | 指 | 2022年度、2023年度、2024年度及2025年1-6月 |
| 报告期各期末 | 指 | 2022年12月31日、2023年12月31日、2024年12月31日及2025年 6月30日 |
| 最近一期末 | 指 | 2025年6月30日 |
| 《公司法》 | 指 | 《中华人民共和国公司法》 |
| 《证券法》 | 指 | 《中华人民共和国证券法》 |
| 《注册管理办法》 | 指 | 《上市公司证券发行注册管理办法》 |
| 《证券期货法律适用 意见第18号》 | 指 | 《<上市公司证券发行注册管理办法>第九条、第十条、第十一 条、第十三条、第四十条、第五十七条、第六十条有关规定的 适用意见——证券期货法律适用意见第18号》 |
| 《公司章程》 | 指 | 《拓荆科技股份有限公司章程》 |
| 中国证监会、证监会 | 指 | 中国证券监督管理委员会 |
| 上交所、交易所 | 指 | 上海证券交易所 |
| 元、万元、亿元 | 指 | 人民币元、万元、亿元 |
| SEMI | 指 | SemiconductorEquipmentandMaterialsInternational，国际半导 体设备与材料协会 |
| Gartner | 指 | 一家IT研究与顾问咨询公司 |
| AMAT | 指 | AppliedMaterials,Inc. |
| Lam | 指 | LamResearchCorporation |
| TEL | 指 | TokyoElectronLimited |
| 薄膜沉积 | 指 | 半导体制造中任何在硅片衬底上沉积一层膜的工艺。这层膜可 以是导体、绝缘物质或者半导体材料。薄膜沉积设备在半导体 的前段工序FEOL（制作晶体管等部件）和后段布线工序BEOL （将在FEOL制造的各部件与金属材料连接布线以形成电路） 均有多处应用 |
| 晶圆 | 指 | 在氧化/扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、清洗与抛 光、金属化等特定工艺加工过程中的硅片 |
| 晶圆制造、芯片制造 | 指 | 通过一系列特定的加工工艺，将半导体硅片加工制造成芯片的 过程，一般分为前道晶圆制造和后道封装测试 |
| 晶圆厂 | 指 | 通过一系列特定的加工工艺，在硅片上加工制造半导体器件的 生产厂商 |
| 封装 | 指 | 在半导体制造的最后阶段，将一小块材料（如芯片）包裹在支 撑外壳中，以防止物理损坏和腐蚀，并允许芯片连接到电路板 的工艺 |
| 先进封装 | 指 | 处于前沿的封装形式和技术。目前，带有倒装芯片（FC）结构 封装、晶圆级封装（WLP）、系统级封装（SiP）、硅通孔技 术（TSV）、2.5D封装、3D封装等均被认为属于先进封装范畴 |
| CMOS | 指 | 互补金属氧化物半导体 |
| FinFET | 指 | 鳍式场效应晶体管 |
| FLASH存储芯片 | 指 | 闪存，一种非易失性存储器 |
| 3DNANDFLASH | 指 | 一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或 者平面NAND闪存带来的限制。 |
| CVD | 指 | ChemicalVaporDeposition，化学气相沉积，是指化学气体或蒸 汽在基底表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业 中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝 缘材料，大多数金属材料和金属合金材料 |
| PECVD | 指 | PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，等离子体增强化 学气相沉积 |
| ALD | 指 | AtomicLayerDeposition，原子层沉积 |
| PE-ALD | 指 | PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition，等离子体增强原子 层沉积 |
| Thermal-ALD | 指 | ThermalAtomicLayerDeposition，热处理原子层沉积 |
| SACVD | 指 | Sub-atmosphericPressureChemicalVaporDeposition，次常压化 学气相沉积 |
| HDPCVD | 指 | HighDensityPlasmaChemicalVaporDeposition，高密度等离子 体化学气相沉积 |
| FlowableCVD | 指 | FlowableChemicalVaporDeposition，流动性化学气相沉积 |
| 介质 | 指 | 电介质，亦称绝缘体，是一种不导电的物质 |
| ACHM | 指 | AmorphousCabonHardMask，非晶碳硬掩模，该薄膜能够提供 良好的刻蚀选择性 |
| Stack | 指 | 氧化物-氮化物-氧化物-氮化物交替沉积的薄膜工艺 |
| TEOS | 指 | TetraethylOrthosilicate，正硅酸乙酯，可作为SiO薄膜的反应源 2 |
| ThickTEOS | 微米级TEOS薄膜 | |
| PCT | 指 | PatentCooperationTreaty，即专利合作条约 |
第一节本次向特定对象发行股票方案概要
一、公司基本情况
公司基本情况列示如下：
| 中文名称 | 拓荆科技股份有限公司 |
| 英文名称 | PiotechInc. |
| 法定代表人 | 刘静 |
| 股票上市地 | 上交所 |
| 上市板块 | 科创板 |
| 股票简称 | 拓荆科技 |
| 股票代码 | 688072 |
| 上市时间 | 2022年4月20日 |
| 总股本 | 279,729,118股 |
| 公司住所 | 辽宁省沈阳市浑南区全运路109-3号（109-3号）14层 |
| 邮政编码 | 110169 |
| 电话号码 | 024-24188000-8089 |
| 传真号码 | 024-24188000-8080 |
| 公司网址 | www.piotech.cn |
| 电子邮箱 | ir@piotech.cn |
| 经营范围 | 一般项目：企业总部管理；企业管理；企业管理咨询；自有资 金投资的资产管理服务；以自有资金从事投资活动；财务咨 询；社会经济咨询服务；租赁服务（不含许可类租赁服务）； 国内贸易代理；销售代理。（除依法须经批准的项目外，凭营 业执照依法自主开展经营活动） |
（一）本次向特定对象发行股票的背景
1、国家政策的大力支持为高端半导体设备行业提供了良好的外部环境集成电路行业是支撑经济发展、社会进步、国防安全的重要力量，而高端半导体设备是驱动这一产业发展的基石。在数字经济成为经济发展新动力、半导体芯片技术持续迭代，并逐步向精密化、微小化发展的趋势下，高端半导体设备的重要地位日益凸显。
近年来，国家出台一系列鼓励扶持政策，为高端半导体设备行业的高质量发展提供了有力支持。相关政策具体内容列示如下：
| 序号 | 时间 | 发文部门 | 名称 | 主要内容 |
| 1 | 2024年9月 | 工信部 | 《首台（套）重大技 术装备推广应用指导 目录（2024年版）》 | 在集成电路生产装备领域， 将化学气相沉积装备等产品 列入目录。 |
| 2 | 2023年8月 | 工信部 财政部 | 《关于印发电子信息 制造业2023—2024年 稳增长行动方案的通 知》 | 面向数字经济等发展需求， 优化集成电路、新型显示等 产业布局并提升高端供给水 平，增强材料、设备及零配 件等配套能力。 |
| 3 | 2022年1月 | 国务院 | 《“十四五”数字经 济发展规划》 | 着力提升“基础软硬件、核 心电子元器件、关键基础材 料和生产装备的供给水平， 强化关键产品自给保障能 力”。 |
| 4 | 2021年3月 | 全国人大 | 《中华人民共和国国 民经济和社会发展第 十四个五年规划和 2035年远景目标纲 要》 | 培育先进制造业集群，推动 集成电路、航空航天、船舶 与海洋工程装备、机器人、 先进轨道交通装备、先进电 力装备、工程机械、高端数 控机床、医药及医疗设备等 产业创新发展。 |
| 5 | 2020年7月 | 国务院 | 《国务院关于印发新 时期促进集成电路产 业和软件产业高质量 发展若干政策的通 知》 | 在财税、投融资、研究开发 等多方面全面支持半导体产 业。 |
2、下游需求的不断增长为高端半导体设备行业提供了良好的发展机遇和广阔的市场空间
伴随着数字化、自动化、智能化趋势的不断深化，在人工智能（AI）、高性能计算、新能源汽车等新兴领域的需求带动下，晶圆厂将持续进行资本开支，扩充产能，进而提升高端半导体设备的市场需求量。受益于全球半导体产业的快速发展及晶圆产能的持续扩张，半导体设备行业正处于快速发展的机遇期。
在经济发展与行业发展的双轮驱动下，集成电路行业发展迅猛，为上游的高端半导体设备行业创造了巨大的市场空间。
根据SEMI统计，2024年全球半导体设备销售额为1,171亿美元，其中晶圆制造设备销售额占比约90%，达到约1,042亿美元。薄膜沉积设备作为集成电路前道生产工艺中的三大核心设备之一，其全球销售额约占晶圆制造设备销售额的22%，由此推算，2024年全球薄膜沉积设备市场规模约为230亿美元。结合中国大陆半导体制造设备销售额占全球半导体制造设备销售额约42%的比例测算，2024年中国大陆薄膜沉积设备市场规模约为97亿美元。
根据SEMI最新预测，2025年全球半导体设备销售额将达到1,255亿美元，2026年预计将创下1,381亿美元的新高；此外，从资本开支的角度，受益于半导体晶圆厂的本土化以及数据中心和端侧设备对人工智能芯片日益增长的需求，2025年至2027年，全球300mm晶圆厂设备支出预计将达到创纪录的4,000亿美元。
其中，中国大陆将保持其作为全球300mm晶圆厂设备支出第一的地位，未来三年将投资超过1,000亿美元，继续引领全球晶圆厂设备支出。晶圆产能的持续扩张为高端半导体设备产业提供了良好的发展机遇和广阔的市场空间。
3、芯片工艺的持续迭代提升了高端薄膜沉积设备的需求量与技术要求（1）产线对高端薄膜沉积设备的需求量因技术进步而大幅增加
随着芯片制造工艺的迭代和芯片结构复杂度的提升，相较于成熟技术，先进技术晶圆制造产线对高端薄膜沉积设备的需求量持续增加。例如，与90nm制程的CMOS芯片工艺需要约40道薄膜沉积工序相比，3nm制程的FinFET工艺产线大约需要超过100道薄膜沉积工序，涉及的薄膜材料由6种增加到近20种；在FLASH存储芯片领域，随着3D结构的主流化，3DNANDFLASH芯片的堆叠层数不断增高，薄膜沉积工序数量也随之大幅增加；此外，多重曝光技术是实现先进工艺的有效手段之一，而该技术需要将薄膜沉积设备与其他设备相结合，薄膜沉积设备的重要性及需求量将由此得到进一步提升。
（2）芯片制造厂对高端薄膜沉积设备的技术要求因需求多样而大幅提升在晶圆制造过程中，薄膜起到产生导电层或绝缘层、阻挡污染物和杂质渗透、提高吸光率、临时阻挡刻蚀等重要作用。随着晶圆制造工艺精密度、芯片结构复杂度、下游应用多样度的不断提升，先进晶圆制造厂商往往会对薄膜厚度、均匀性、颗粒度等性能指标提出更为严苛的技术要求。不同先进芯片结构所需要的不同薄膜材料种类、沉积工序也催生了大量的前沿技术薄膜沉积设备需求。
综上所述，芯片工艺的持续迭代大幅提升了下游客户对高端薄膜沉积设备的需求量与技术要求。
4、高端薄膜沉积设备自给率仍较低，市场国产化空间巨大
半导体设备产品具有技术复杂、投资金额大、研发周期长、参与门槛高的特点。国外龙头企业发展起步较早，其凭借多年的技术沉淀、产品线布局和品牌口碑积累，通过自主研发、并购等方式布局大量半导体设备细分市场，积累了较大的竞争优势。
目前我国高端半导体设备仍然主要依赖进口，自给率较低。这一境况不仅严重制约了我国半导体产业的发展，更对我国信息产业安全造成了重大隐患。
在全球贸易摩擦日趋激烈的背景下，中国高端半导体产业链的国产化提升需求迫在眉睫，以公司为代表的能够在未来实现持续技术突破的高端半导体设备厂商将收获巨大的成长空间与发展机遇。
（二）本次向特定对象发行股票的目的
1、扩大高端半导体设备产能，抓住行业高速发展机遇
自成立以来，公司始终专注于高端半导体设备的研发，形成了一系列具有自主知识产权的核心技术，并达到国际先进水平。公司核心技术广泛应用于主营业务产品中，解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键问题，在保证实现薄膜工艺性能的同时，可帮助客户提升生产效率、降低生产成本。目前，公司已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD等薄膜设备产品系列，可为集成电路芯片制造产线提供高端的专用半导体设备。
近年来，受益于下游市场需求旺盛，凭借在半导体薄膜沉积设备领域强大的技术实力，公司业务规模呈现快速增长趋势，产能利用率处于较高水平。为了应对未来市场需求不断增长、芯片工艺持续迭代所带来的高端半导体设备需求的增加，公司将通过本次募集资金投资项目扩大高端半导体设备产能，抓住行业高速发展机遇。
2、战略布局前沿技术，提升创新能力，强化产品优势
在高端半导体设备中，薄膜沉积设备与光刻设备、刻蚀设备共同构成了芯片制造的三大核心设备，决定了芯片制造工艺的先进程度。薄膜沉积设备所沉积的薄膜是芯片结构内的功能材料层，在芯片制造过程中需求量巨大，且直接影响芯片的性能。
面向国内半导体制造产业的实际需求和产线技术演进节奏，公司将通过本次募集资金投资项目战略布局薄膜沉积设备领域的前沿核心技术，开发可适用于前沿技术领域的新产品、新工艺，并将基于公司技术积累，对薄膜沉积设备进行进一步创新，提升产品工艺覆盖面与智能化水平，优化公司产品的各项性能指标，强化公司在薄膜沉积设备领域的产品优势，以更好地满足客户在技术节点更新迭代的过程中对先进薄膜性能指标的迫切需求。
3、增强资金实力，充分利用资本市场优势，促进公司业务稳步发展
公司所处的半导体设备行业具有显著的资本密集特征。一方面，随着业务的高速发展，公司技术研发、原材料采购、薪酬支出、生产运营及市场推广等日常经营需要大量、持续的资金投入；另一方面，鉴于薄膜的技术参数直接影响芯片性能，薄膜沉积设备在客户端的验证周期较长，公司需在前期生产中垫付大量资金。因此，维持一定规模的营运资金有利于公司各项业务的持续、健康发展。
通过本次发行，公司可充分利用资本市场优势，增强自身资金实力。本次发行中的部分募集资金拟用于补充流动资金，可满足公司日益增长的经营性现金流需要，优化资产负债结构，提高抗风险能力，增强核心竞争力和盈利能力，促进公司业务稳步发展。
三、发行对象及其与公司的关系
本次发行对象为不超过35名符合中国证监会规定条件的特定对象，包括证券投资基金管理公司、证券公司、信托公司、财务公司、资产管理公司、保险投资者。证券投资基金管理公司、证券公司、合格境外机构投资者、人民币合格境外机构投资者以其管理的2只以上产品认购的，视为一个发行对象；信托公司作为发行对象的，只能以自有资金认购。
最终发行对象由公司董事会及其授权人士根据股东大会授权，在本次发行申请获得上交所审核通过并经中国证监会作出予以注册决定后，根据竞价情况与保荐机构（主承销商）协商确定。若发行时国家法律、法规或规范性文件对发行对象另有规定的，从其规定。所有发行对象均以人民币现金方式并按同一价格认购本次发行的股票。
截至本预案公告日，公司尚未确定本次发行的发行对象，因而无法确定发行对象与公司的关系。发行对象与公司的关系将在发行结束后公告的发行情况报告书中予以披露。
四、本次向特定对象发行股票概况
（一）本次发行股票的种类和面值
本次发行的股票为境内上市人民币普通股（A股），每股面值人民币1.00元。
（二）本次发行方式和发行时间
本次发行全部采取向特定对象发行A股股票的方式，在经上交所审核通过以及获得中国证监会予以注册的文件后，将在规定的有效期内择机发行。
（三）本次发行对象及认购方式
本次发行对象为不超过35名符合中国证监会规定条件的特定对象，包括证券投资基金管理公司、证券公司、信托公司、财务公司、资产管理公司、保险机构投资者、合格境外机构投资者、其他境内法人投资者、自然人或其他合格投资者。证券投资基金管理公司、证券公司、合格境外机构投资者、人民币合格境外机构投资者以其管理的2只以上产品认购的，视为一个发行对象；信托公司作为发行对象的，只能以自有资金认购。
本次向特定对象发行A股股票的认购对象尚未确定，最终发行对象将在本次发行通过上交所审核并获得中国证监会予以注册的文件后，由董事会及其授权人士在股东大会授权范围内按照中国证监会、上交所等有权部门的相关规定，根据竞价情况与保荐机构（主承销商）协商确定。若发行时国家法律、法规或规范性文件对发行对象另有规定的，从其规定。所有发行对象均以同一价格认购本次发行股票，且以人民币现金方式认购。
（四）本次发行定价基准日、发行价格和定价原则
本次向特定对象发行股票采取竞价发行方式，本次向特定对象发行的定价基准日为发行期首日。
本次向特定对象发行股票的发行价格为不低于定价基准日前二十个交易日（不含定价基准日，下同）公司股票交易均价的80%，上述均价的计算公式为：定价基准日前二十个交易日股票交易均价=定价基准日前二十个交易日股票交易总额/定价基准日前二十个交易日股票交易总量。若公司股票在该二十个交易日内发生因派息、送股、配股、资本公积转增股本等除权、除息事项引起股价调整的情形，则对调整前交易日的交易价格按经过相应除权、除息调整后的价格计算。
若公司股票在定价基准日至发行日期间发生派息、送股、资本公积金转增股本等除权、除息事项，本次发行的发行价格将作相应调整。调整方式如下：派发现金股利：P =P ? D
1 0
送股或转增股本：P =P /（1 + N）
1 0
两项同时进行：P =（P ? D）/（1 + N）
1 0
其中，P为调整前的发行价格，D为每股派发现金股利，N为每股送股或转0
P
增股本数， 为调整后的发行价格。
1
最终发行价格将在本次发行申请获得上交所审核通过并经中国证监会作出予以注册决定后，由公司董事会及其授权人士根据股东大会授权与保荐机构（主承销商）按照相关法律法规的规定和监管部门的要求，遵照价格优先等原则，根据发行对象申购报价情况协商确定，但不低于前述发行底价。
（五）本次发行数量
本次向特定对象发行股票的数量按照募集资金总额除以发行价格确定，且不超过本次发行前公司总股本的30%，即本次发行不超过83,918,735股（含本数）。最终发行数量由公司董事会及其授权人士根据股东大会授权、中国证监会及上交所相关规定、中国证监会注册的发行数量上限与保荐机构（主承销商）协商确定。
若公司在审议本次向特定对象发行事项的董事会决议公告日至发行日期间发生送股、资本公积金转增股本等除权事项或者因股份回购、股权激励计划等事项导致公司总股本发生变化，本次向特定对象发行的股票数量上限将作相应调整。
若本次向特定对象发行的股份总数因监管政策变化或根据发行注册文件的要求予以变化或调减的，则本次向特定对象发行的股份总数及募集资金总额届时将相应变化或调减。
（六）本次发行股票的限售期
本次发行完成后，发行对象认购的股票自发行结束之日起六个月内不得转让。法律法规、规范性文件对限售期另有规定的，依其规定。
本次发行完成后至限售期届满之日止，发行对象基于本次发行所取得的股票因公司分配股票股利、资本公积金转增股本等情形所衍生取得的股票亦应遵守上述股份锁定安排。限售期届满后，该等股份的转让和交易还需遵守《公司法》《证券法》以及《上海证券交易所科创板股票上市规则》等相关法律法规及规范性文件的规定。
（七）本次发行募集资金投向
本次向特定对象发行股票募集资金总额不超过人民币460,000.00万元（含本数），扣除发行费用后的募集资金净额拟投入以下项目：
单位：万元
| 序 号 | 项目名称 | 拟投资总额 | 拟使用本次募集资金 投资金额 |
| 1 | 高端半导体设备产业化基地建设项目 | 176,830.11 | 150,000.00 |
| 2 | 前沿技术研发中心建设项目 | 200,129.38 | 200,000.00 |
| 3 | 补充流动资金 | 110,000.00 | 110,000.00 |
| 合计 | 486,959.49 | 460,000.00 |
（八）本次发行前的滚存利润分配安排
本次发行前的滚存未分配利润将由本次发行完成后的公司全体新老股东按本次发行后的股份比例共享。
（九）本次发行股票的上市地点
本次向特定对象发行的股票将申请在上交所科创板上市交易。
（十）本次向特定对象发行股票决议有效期
本次向特定对象发行股票决议的有效期为自公司股东大会审议通过之日起12个月。
五、本次发行是否构成关联交易
截至本预案公告日，公司尚未确定本次发行的具体发行对象，最终是否存在因关联方认购公司本次向特定对象发行股票构成关联交易的情形，将在发行结束后公告的发行情况报告书中予以披露。
六、本次发行是否导致公司控制权发生变化
本次发行完成后，公司的股本规模、股东结构及持股比例将发生变化，本次发行不会导致公司无控股股东及实际控制人的情况发生变化。
七、本次发行是否导致公司股权分布不具备上市条件
本次发行不会导致公司股权分布不具备上市条件的情形。
八、本次发行方案已取得的批准及尚需呈报的批准程序
本次向特定对象发行的方案及相关事项已经公司第二届董事会第十八次会议审议通过，尚需履行以下审批程序：
1、公司股东大会审议通过本次向特定对象发行A股股票；
2、上交所审核通过并经中国证监会作出予以注册决定。
第二节董事会关于本次募集资金使用的可行性分析
一、本次募集资金使用计划
本次向特定对象发行股票募集资金总额不超过人民币460,000.00万元（含本数），扣除发行费用后的募集资金净额拟投入以下项目：
单位：万元
| 序 号 | 项目名称 | 拟投资总额 | 拟使用本次募集资金 投资金额 |
| 1 | 高端半导体设备产业化基地建设项目 | 176,830.11 | 150,000.00 |
| 2 | 前沿技术研发中心建设项目 | 200,129.38 | 200,000.00 |
| 3 | 补充流动资金 | 110,000.00 | 110,000.00 |
| 合计 | 486,959.49 | 460,000.00 |
在上述募集资金投资项目的范围内，公司可根据项目的进度、资金需求等实际情况，对相应募集资金投资项目的投入顺序和具体金额进行适当调整，募集资金到位前，公司可以根据募集资金投资项目的实际情况，以自有或自筹资金先行投入，并在募集资金到位后予以置换。募集资金到位后，若扣除发行费用后的实际募集资金净额少于拟投入募集资金总额，不足部分由公司以自有或自筹资金解决。
二、项目方案概述及必要性、可行性分析
本次募集资金投资项目包括“高端半导体设备产业化基地建设项目”、“前沿技术研发中心建设项目”和补充流动资金。上述募投项目方案概述及必要性、可行性分析如下：
（一）高端半导体设备产业化基地建设项目
1、项目基本情况
本项目拟在辽宁省沈阳市浑南区新建产业化基地，包括生产洁净间、立体库房、测试实验室等，并引入先进的生产配套软硬件，打造规模化、智能化、数字化的高端半导体设备产业化基地。
本项目的实施将大幅提升公司高端半导体设备产能，支撑公司PECVD、SACVD、HDPCVD等薄膜沉积设备系列产品的产业化能力，并通过智能化配套设施建设，提升生产效率，以充分满足下游市场及客户需求，扩大公司业务规模，从而进一步提升公司竞争能力和市场地位。
本项目系公司使用部分首次公开发行募集资金投资的项目，原计划投资总额110,000.00万元。其中，26,826.60万元以公司首次公开发行募集资金投入，其余83,173.40万元以公司自筹资金投入。公司已取得本项目的土地使用权证、用地规划许可证和工程规划许可证，并签订总包施工合同，正在履行相关政府部门备案手续。公司根据实际需求，拟将项目投资总额由110,000.00万元增加至176,830.11万元，并计划将原拟由自筹资金投入的83,173.40万元（截至本预案公告日尚未投入）调整为由本次募集资金进行投入。
2、项目实施的必要性分析
（1）响应国家政策，推动高端半导体设备行业高质量发展
半导体设备产品具有技术复杂、投资金额大、研发周期长、参与门槛高的特点。国外龙头企业发展起步较早，其凭借多年的技术沉淀、产品线布局和品牌口碑积累，通过自主研发、并购等方式布局大量半导体设备细分市场，积累了较大的竞争优势。目前我国应用于集成电路领域的高端半导体设备自给率较低。这一境况不仅严重制约了我国半导体产业的发展，更对我国信息产业安全造成了重大隐患。在全球贸易摩擦日趋激烈的背景下，中国高端半导体产业链的国产化提升需求迫在眉睫。
为了加速半导体先进设备制造能力的提升，国家出台了一系列鼓励类产业政策，旨在通过政策引导和市场机制的双重作用，推动半导体设备产业的高质量发展。在此背景下，公司作为半导体专用设备领域的行业领军者，根据国家战略要求和国产化替代需求，依托自身的产品技术和人才基础，积极开展本高端半导体设备产业化基地建设项目，在行业内形成良好的正面示范效应，推动我国高端半导体设备行业高质量发展，有效增强我国半导体产业链的韧性。
2
（）面向行业发展需求，提升公司可持续增长能力
在人工智能（AI）、高性能计算等新兴领域的需求带动下，晶圆厂持续进行资本开支，扩充产能，进而提升高端半导体设备的市场需求量。受益于全球半导体产业的快速发展及晶圆产能的持续扩张，半导体设备行业正处于快速发展的机遇期。自成立以来，公司始终专注于高端半导体设备的研发，形成了一系列具有自主知识产权的核心技术，并达到国际先进水平。目前，公司已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD等薄膜设备产品系列，可为集成电路芯片制造产线提供高端的专用半导体设备。
近年来，受益于下游市场需求旺盛，凭借在半导体薄膜沉积设备领域强大的技术实力，公司业务规模呈现快速增长趋势，产能利用率处于较高水平。
2022年、2023年和2024年，公司分别实现营业收入17.06亿元、27.05亿元、41.03亿元，年复合增长率达到55.08%。未来，随着市场需求的不断增长、芯片工艺的持续迭代与国产化率的不断提升，公司目前的产能预计无法满足未来客户的订单需求。因此，本项目将通过建设新产线的方式增加公司高端半导体设备的生产能力，缓解公司未来产能瓶颈，促进公司业务规模持续增长，最终实现公司可持续增长能力的有效提升。
（3）扩充高端半导体设备产能，增强公司核心竞争优势
薄膜沉积设备作为晶圆制造的三大核心设备之一，其发展受益于我国半导体产业高端前沿工艺技术的进步和进口替代的加速。面对这一行业发展趋势，公司紧跟市场步伐，不断加大研发投入，积极探索新技术、新工艺、新设备，多个新产品系列已完成样机研发，并出货客户开展工艺验证和应用开发。本项目针对客户高端工艺需求进行扩产，并通过引入先进的生产配套设施，提升生产效率，打造规模化、智能化、数字化的高端半导体设备产业化基地，可以更好地满足市场对高性能薄膜沉积设备的迫切需求，从而在不断变化的市场环境中增强公司核心竞争优势。
3、项目实施的可行性分析
（1）广阔的市场空间为本项目产能释放提供了基础保障
近年来，受益于全球半导体产业的快速发展及晶圆产能的持续扩张，中国大陆的半导体设备行业正处于快速发展的机遇期。根据SEMI预测，全球300mm晶圆厂设备投资预计将在2025年增长20%至1,165亿美元，2026年将增长12%至1,305亿美元，在未来几年内将呈现大幅增长趋势；而中国大陆市场也将在2025年-2027年保持每年300亿美元以上的投资规模，继续引领全球晶圆厂设备支出。
据SEMI统计，作为半导体三大核心设备之一的薄膜沉积设备在半导体设备全球销售额中占比达到约22%，在晶圆产能持续扩张的大背景下，以薄膜沉积设备为代表的半导体设备产业将迎来新一轮的发展机遇与更广阔的市场空间。
此外，随着芯片制造工艺的迭代和芯片结构复杂度的提升，相较于成熟技术，先进技术晶圆制造产线对高端薄膜沉积设备的需求量持续增加。由于不同芯片结构所需要的薄膜材料种类不同、沉积工序不同、性能指标不同，因此产生了巨大的薄膜沉积设备市场需求。
综上所述，广阔的市场空间为本项目产能释放提供了基础保障。
（2）成熟的规模化生产经验为本项目顺利建设提供了实施保障
作为国内较早布局集成电路领域薄膜沉积设备的厂商，公司在技术工艺创新、产品开发和规模生产等方面具有显著优势。在技术工艺创新方面，公司以PECVD系列产品为依托，不断推进工艺迭代升级，拓宽其在薄膜工艺领域的应用范围，提升薄膜均匀性、颗粒度控制等指标，精准满足客户对高端薄膜材料日益严苛的性能要求。同时，公司不断丰富产品种类，实现了对ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD等高端薄膜沉积设备的研发和量产，能够覆盖100余种高端工艺应用。
在技术工艺不断创新和产品矩阵持续完善的过程中，公司积累了丰富的规模化生产经验，对设备选型、工艺优化、生产流程控制等关键环节均有深刻的理解，并建立了一套成熟的管理体系，实现了生产过程、质量状态、资源情况的实时监控与透明化管理，可实现生产效率和生产质量的有效提升。基于对生产环节的成熟经验和精准把控，公司不仅能够满足客户对产品的高性能要求，还能及时响应其对大规模产能的迫切需求。
综上所述，成熟的规模化生产经验为本项目顺利建设提供了实施保障。
（3）丰富的客户资源和卓越的服务能力为本项目提供重要保障
目前，公司已与国内主流晶圆厂形成了较为稳定的合作关系，并积极拓展海外市场。公司设备客户端产线生产运行稳定性表现优异，在晶圆制造产线的量产应用规模持续扩大，产品已进入超过70条生产线。针对客户提出的特定工艺材料和制造工序，公司具备快速响应半导体设备性能需求的能力，能够及时满足客户的定制化设备需求。凭借着公司优越的技术能力以成熟的服务能力，公司赢得了客户的广泛认可。良好的客户关系有助于公司加快实现新增产品的验证与销售。
综上所述，公司丰富的客户资源和卓越的服务能力为本项目的实施提供了重要保障。
4、项目实施主体与投资概算
本项目实施主体为拓荆科技及拓荆创益，拟投资总额176,830.11万元，其中拟使用本次募集资金150,000.00万元。本项目投资概算列示如下：
单位：万元
| 序号 | 项目名称 | 拟投资总额 | 拟使用本次募集 资金投资金额 | 首发募集资金使 用金额 | |
| 金额 | 占比 | ||||
| 1 | 工程建设费用 | 161,648.08 | 91.41% | 134,821.48 | 26,826.60 |
| 1.1 | 土地购置费 | 6,768.43 | 3.83% | 0.00 | 6,768.43 |
| 1.2 | 场地建造及装 修费 | 94,470.67 | 53.42% | 76,239.10 | 18,231.57 |
| 1.3 | 工程建造其他 费用 | 30,945.66 | 17.50% | 29,119.06 | 1,826.60 |
| 1.4 | 其他工程配套 设施费用 | 3,452.79 | 1.95% | 3,452.79 | 0.00 |
| 1.5 | 软硬件购置费 | 26,010.53 | 14.71% | 26,010.53 | 0.00 |
| 2 | 基本预备费 | 3,232.97 | 1.83% | 3,232.97 | 0.00 |
| 3 | 铺底流动资金 | 11,949.06 | 6.76% | 11,945.55 | 0.00 |
| 合计 | 176,830.11 | 100.00% | 150,000.00 | 26,826.60 |
本项目建设期为5年，项目开展将按照土地购置、工程建设、软硬件购置、生产线试运行及产线投产等进度来安排，公司自2024年开始已使用首次公开发行募集资金建设该项目，具体情况列示如下：
单位：月
| 时间 | T+6 | T+12 | T+18 | T+24 | T+30 | T+36 | T+42 | T+48 | T+54 | T+60 |
| 时间 | T+6 | T+12 | T+18 | T+24 | T+30 | T+36 | T+42 | T+48 | T+54 | T+60 |
| 土地购置 | ||||||||||
| 工程建设 | ||||||||||
| 软硬件购置 | ||||||||||
| 生产线试运行 | ||||||||||
| 产线投产 |
6、项目用地、涉及的审批、备案事项
本项目实施地点位于辽宁省沈阳市浑南区，建设用地为公司新取得使用权的土地，公司已取得编号为辽（2024）沈阳市不动产权第0293529号及辽（2024）沈阳市不动产权第0293532号的不动产权证书。截至本预案公告日，公司投资项目备案、环评等程序正在办理过程中。
（二）前沿技术研发中心建设项目
1、项目基本情况
根据公司的战略布局以及先进工艺对半导体设备的技术需求，本项目拟开展多款先进薄膜沉积设备的研发，包括PECVD、ALD、沟槽填充CVD等工艺设备，并逐步突破其中的前沿核心技术，进而形成一系列具有自主知识产权、面向前沿技术领域应用的先进薄膜沉积设备产品，同时，持续进行PECVD、ALD、沟槽填充CVD等产品的优化升级，不断提升产品性能，满足先进工艺的迭代需求，此外，本项目将进行新一代自动化控制系统和控制软件架构开发，通过智能算法、优化数据处理等方式，促进设备性能的提升和自主创新性，进一步强化公司薄膜沉积设备的市场竞争力。
2、项目实施的必要性分析
（1）响应国家战略需求，提升供应链安全自主水平
在目前的国内高端薄膜沉积设备行业中，以AMAT、Lam、TEL等为代表的国际知名半导体设备企业市场占有率较高。由于发展起步较晚、技术基础薄弱等诸多因素的限制，我国在高端薄膜沉积设备领域尚未建立起完善且独立的技术体系和产业生态。近年来，国内企业不断加强技术研发，在部分技术领域逐步实现了突破，但在工艺复杂度较高的关键环节仍与国际最先进水平存在着一定的差距。
针对上述情况，本项目将从设备的硬件创新设计、控制系统及软件开发、高性能薄膜工艺开发为核心切入点，对多种新型高端薄膜沉积设备进行研发、产线验证及优化，实现前沿核心技术的逐步突破，助力半导体产业链生态的整体国产化转型，提升国内半导体供应链的安全自主水平。
（2）推动公司前沿技术布局，实现核心技术突破
半导体行业历来遵循着“一代产品、一代工艺、一代设备”的发展规律，晶圆制造作为产业链的核心环节，需要超前于下游应用开发新一代工艺，而半导体设备则要超前于晶圆制造开发新一代设备。随着晶圆制造工艺精密度、芯片结构复杂度、下游应用多样度的不断提升，先进晶圆制造厂商往往会对薄膜厚度、均匀性、颗粒度等性能指标提出更为严苛的技术要求。不同先进芯片结构所需要的不同薄膜材料种类、沉积工序也催生了大量的前沿技术薄膜沉积设备需求。
为紧跟先进工艺的发展趋势和要求、满足先进芯片的复杂结构和功能设计，本项目将聚焦于薄膜沉积设备的前沿核心技术，开发可适用于前沿技术领域的新产品、新工艺，持续开发新型薄膜沉积设备，提升产品工艺覆盖面与智能化水平。本项目的建设，将推动公司前沿技术布局，实现核心技术突破，提升公司的产品性能，丰富公司的产品种类，进一步扩大公司市场占有率，推动公司业务规模持续增长。
（3）加快产品智能化升级，保持技术先进性
作为技术密集型产业，保持不断的技术研究和创新是薄膜沉积设备公司提升研发实力，巩固和增强市场竞争力的重要举措。自成立以来，公司始终保持高强度研发投入，不断进行产品与工艺的迭代升级，确保了公司产品的技术领先性和产品可靠性。本项目将基于公司技术积累，紧密围绕先进工艺对半导体设备的技术需求，对现有薄膜沉积设备进行工艺优化和性能提升，并通过智能SmartMachine
化软硬件系统（ ）实现设备实时监控，提升研发及生产效率，强
化公司在薄膜沉积设备领域的技术深度与产品优势。
本项目实施完成后，将进一步丰富公司在薄膜沉积设备领域的技术储备和研发经验，助力公司产品的智能化升级，保持公司的技术先进性。
3、项目实施的可行性分析
（1）持续的高研发投入和专业的研发团队为本项目提供研发能力保障公司始终将研发创新和人才发展作为公司发展的基石。在研发投入方面，2022-2024年，公司研发费用分别为3.79亿元、5.76亿元、7.56亿元，年复合增长率达到41.23%，呈现出快速增长的态势。在人才团队建设方面，公司通过积极引进资深专业人才、自主培养科研团队，已经建成了一支国际化、专业化的高端半导体专用设备技术研发及管理团队。截至2025年6月30日，公司研发人员共有638名，占公司员工总数的40.66%。研发人员中博士研究生53人，占比约8.31%；硕士研究生384人，占比约60.19%。公司的研发技术团队结构合理，分工明确，专业知识储备深厚，产线验证经验丰富，是奠定公司技术实力的基石，保障了公司产品的市场竞争力。
未来，公司拟进一步加大研发投入，持续引入高层次人才并强化自主培养体系，不断扩充公司研发团队规模，进一步提升研发团队综合能力与水平，为公司本次募集资金投资项目储备充足的人才。
综上，持续的高研发投入和公司专业的研发团队为本项目的建设提供了创新能力支撑和人才基础。
（2）丰富的技术储备为本项目提供技术积累保障
公司拥有丰富的技术储备，全面涵盖了自动化控制、软件架构设计、热控技术、超洁净组件、反应腔设计、腔体内关键件设计、气路设计、温度控制、射频控制以及流体控制等多个关键领域，为项目的实施提供了有力的技术支撑。
公司通过自主研发，形成了一系列独创性的设计，构建了完善的知识产权2025 6 30
体系并取得了多项自主知识产权。截至 年 月 日，公司累计申请专利1,783项（含PCT），获得授权专利581项，其中发明专利294项。
公司研发并推出的支持不同工艺型号的PECVD、ALD、SACVD、
HDPCVD FlowableCVD
及 薄膜系列设备均已在客户端实现量产，在半导体薄
膜沉积设备领域积累了多项研发及产业化的核心技术，构建了具有设备种类、工艺型号外延开发能力的研发平台，性能达到了国际同类设备水平。
综上，公司丰富的技术储备为本项目提供了技术积累保障。
（3）良好的产业政策环境为本项目提供政策支持保障
集成电路产业是驱动科技创新的重要引擎，更是支撑国家经济发展的关键基石，其发展水平直接影响一个国家在人工智能、信息技术、智能制造等前沿领域的核心竞争力。近年来，国家出台一系列鼓励扶持政策，为高端半导体行业的高质量发展提供了有力支持。2024年9月，工信部正式发布了《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》，该指导目录详细列出了集成电路生产设备多项关键的技术指标与推广重点。针对薄膜沉积设备，指导目录从三个方面提出了相关的技术要求。2023年8月，工信部、财政部发布《关于印发电子信息制造业2023—2024年稳增长行动方案》，指出要优化集成电路、新型显示等产业布局并提升高端供给水平，增强材料、设备及零配件等配套能力。2020年8月，国务院颁布《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》，发布税收、投资、融资、研发、进出口、人才、知识权、市场应用、国际合作等八个方面的相关政策，持续推进我国集成电路产业高质量发展。
综上，本项目属于半导体设备领域的研发创新，项目实施符合国家政策导向，具有良好的政策可行性。
4、项目实施主体与投资概算
本项目实施主体为拓荆创益及拓荆上海，拟投资总额200,129.38万元，其中拟使用本次募集资金200,000.00万元。本项目投资概算列示如下：单位：万元
| 序号 | 项目名称 | 拟投资总额 | 拟使用本次募集资 金投资金额 | |
| 金额 | 占比 | |||
| 1 | 硬件购置费 | 64,816.87 | 32.39% | 64,816.87 |
| 2 | 软件购置费 | 3,806.58 | 1.90% | 3,806.58 |
| 3 | 研发费用 | 127,581.83 | 63.75% | 127,581.83 |
| 序号 | 项目名称 | 拟投资总额 | 拟使用本次募集资 金投资金额 | |
| 金额 | 占比 | |||
| 3.1 | 研发人员工资 | 36,795.74 | 18.39% | 36,795.74 |
| 3.2 | 测试检测费 | 33,584.10 | 16.78% | 33,584.10 |
| 3.3 | 耗材费 | 55,123.99 | 27.54% | 55,123.99 |
| 3.4 | 其他研制费 | 2,078.00 | 1.04% | 2,078.00 |
| 4 | 基本预备费 | 3,924.10 | 1.96% | 3,794.72 |
| 合计 | 200,129.38 | 100.00% | 200,000.00 |
本项目主要研发内容列示如下：
（1）先进ALD系列产品及工艺研发与优化
面向前沿技术领域，研发先进的PE-ALD和Thermal-ALD系列薄膜设备，并持续进行迭代优化，聚焦高温/低温的SiO、SiN、AlO、TiO、TiON等多种2 2 3
先进介质、金属及金属化合物薄膜材料工艺，满足各类先进逻辑芯片、存储芯片领域客户产线对高产能、高性能指标的技术要求。
（2）先进PECVD系列产品及工艺研发与优化
面向前沿技术领域，研发先进的PECVD系列薄膜设备，并持续进行迭代优化，深度研发高深宽比孔硬掩模（ACHM）、掺钨碳薄膜（WDC）、晶圆背面薄膜（Bianca）、ThickTEOS、Stack（ONO）、低温NDC、TEOS等多种先进介质薄膜材料工艺，同时，通过设备关键部件/系统的研发与优化，持续提升产品的先进性，满足先进逻辑芯片、存储芯片、三维集成等领域客户产线对高产能、高性能指标的技术要求。
3 CVD
（）沟槽填充 系列产品及工艺研发与优化
面向前沿技术领域，深耕SACVD、HDPCVD、FlowableCVD等系列薄膜
设备的新产品研发和持续迭代优化，围绕先进逻辑芯片、存储芯片等领域日趋复杂的沟槽结构成型与性能要求，持续拓展沟槽填充薄膜材料工艺，包括高深宽比填充、超高深宽比填充等多种先进薄膜应用，满足客户产线对高产能、高性能指标的技术要求。
（4）新一代自动化控制系统及控制软件架构开发
本项目进行新一代自动化控制系统开发，通过机器学习、大模型等技术，建立半导体设备大数据模型，对设备海量数据进行分析、挖掘，并对公司产品的研发、优化、制造等环节提供可靠的分析和指导，进一步提升公司薄膜沉积设备的稳定性，提高公司生产效率，优化工艺过程，增进产品质量。
此外，本项目进行新一代控制软件架构开发，着力攻克跨平台兼容、架构优化以及调度算法改进等核心技术，并引入自动辨识机制优化调度方式，紧密结合产品特性，运用智能算法自动分析并优化传片逻辑，精准实现对调度方式的自动甄别与适配，确保整个生产流程紧密衔接、高效有序，进一步强化产品优势。
6、项目预计实施时间和整体进度安排
本项目建设期为3年，项目开展将按照软硬件购置、人员调配及招募、产品研发与测试等进度来安排，具体情况列示如下：
单位：月
| 时间 | T+6 | T+12 | T+18 | T+24 | T+30 | T+36 |
| 软硬件购置 | ||||||
| 人员调配及招募 | ||||||
| 产品研发与测试 |