斯达半导(603290):斯达半导体股份有限公司向不特定对象发行可转换公司债券申请文件的审核问询函的回复报告（修订稿）
原标题:斯达半导:关于斯达半导体股份有限公司向不特定对象发行可转换公司债券申请文件的审核问询函的回复报告（修订稿） 二〇二六年一月 上海证券交易所： 贵所于 2025年 11月 6日出具的上证上审（再融资）〔2025〕356号《关于斯达半导体股份有限公司向不特定对象发行可转换公司债券申请文件的审核问询函》（以下简称“问询函”）已收悉，斯达半导体股份有限公司（以下简称“斯达半导”“发行人”“公司”）、中信证券股份有限公司（以下简称“保荐机构”“中信证券”）对问询函中的相关问题逐项进行了研究和落实，现对问询函问题回复如下，请予审核。 如无特别说明，本问询函回复报告中的简称或名词的释义与募集说明书（申报稿）中的相同。本回复报告中的字体：
问题1、关于本次募投项目 根据申报材料，1）发行人本次募集资金不超过 15亿元，拟用于“车规级SiC MOSFET模块制造项目”“IPM模块制造项目”“车规级 GaN模块产业化项目”和补充流动资金。2）本次募投项目均为模块制造项目，包括车规级 SiC MOSFET模块、IPM模块的扩产以及车规级 GaN模块的产业化，前述募投项目均未取得环评批复。3）本次募投项目建成且达产后预计内部收益率分别为18.45%、16.00%、18.73%。 请发行人说明：（1）本次募投项目环评批复文件的最新办理进展以及预计取得时间，是否存在障碍或不确定性；明确“IPM模块制造项目”“车规级 GaN模块产业化项目”相关用地的计划，取得土地的具体安排和最新进度；（2）结合本次募投项目与现有业务或产品的区别与联系、各产品报告期内的产销情况、技术难点、上游原材料是否存在短缺风险，说明本次募投项目实施是否存在重大不确定性；（3）结合本次募投项目各产品的市场供需情况及竞争格局、报告期内产销量及产能利用情况、公司现有或在建产能、客户储备情况、在手订单或意向性协议等，说明本次募投项目是否存在产能消化风险；（4）建筑工程费、设备购置及安装费等具体内容、测算依据及过程；本次募投项目中非资本性支出占比是否符合规定，是否存在置换董事会前投入的情形；效益预测中产品价格、成本费用等关键指标的具体预测过程及依据，相关预测是否审慎、合理。 请保荐机构进行核查并发表明确意见。请保荐机构及申报会计师根据《监管规则适用指引—发行类第 7号》第 5条、《证券期货法律适用意见第 18号》第 5条对问题（4）进行核查并发表明确意见。 回复： 一、发行人说明 （一）本次募投项目环评批复文件的最新办理进展以及预计取得时间，是否存在障碍或不确定性；明确“IPM模块制造项目”“车规级 GaN模块产业化项目”相关用地的计划，取得土地的具体安排和最新进度。 1、本次募投项目环评批复文件的最新办理进展以及预计取得时间，是否存在障碍或不确定性 （1）本次募投项目相关环评规定 根据《中华人民共和国环境影响评价法》第十六条的规定，建设单位应当按照下列规定组织编制环境影响报告书、环境影响报告表或者填报环境影响登记表（以下统称环境影响评价文件）：（一）可能造成重大环境影响的，应当编制环境影响报告书，对产生的环境影响进行全面评价；（二）可能造成轻度环境影响的，应当编制环境影响报告表，对产生的环境影响进行分析或者专项评价；（三）对环境影响很小、不需要进行环境影响评价的，应当填报环境影响登记表。建设项目的环境影响评价分类管理名录，由国务院生态环境主管部门制定并公布。 对照《建设项目环境影响评价分类管理名录》（2021年版），本次发行募集资金投资项目中的“车规级 SiC MOSFET模块制造项目”“IPM模块制造项目”和“车规级 GaN模块产业化项目”属于“三十六、计算机、通信和其他电子设备制造业 39”中“80电子器件制造 397”类别，公司本次募投项目属于轻度环境影响的类别，仅需编制《建设项目环境影响评价报告表》。 （2）本次募投项目环评批复文件的最新办理进展以及预计取得时间 本次募投项目中的“车规级 SiC MOSFET模块制造项目”“IPM模块制造项目”和“车规级 GaN模块产业化项目”系生产型项目，需要履行环评手续，最新办理进展及预计取得时间如下： 1）车规级 SiC MOSFET模块制造项目 根据嘉兴市生态环境局2025年12月24日出具的《嘉兴市生态环境局关于斯达半导体股份有限公司车规级SiC MOSFET模块制造项目环境影响报告表的审查意见》[嘉（南）环建〔2025〕93号]，截至本回复出具日，发行人已取得车规级SiC MOSFET模块制造项目的环评批复。 2）IPM模块制造项目 根据重庆高新区生态环境局 2025年 12月 15日出具的《重庆市建设项目环境影响评价文件批准书》[渝（高新）环准〔2025〕75号]，截至本回复出具日，发行人已取得 IPM模块制造项目的环评批复。 3）车规级 GaN模块产业化项目 根据上海市嘉定区生态环境局2025年12月24日出具的《上海市嘉定区生态环境局关于上海道之科技有限公司车规 GaN模块产业化项目环境影响报告表的审批意见》[沪114环保许管〔2025〕223号]，截至本回复出具日，发行人已取得车规级GaN模块产业化项目的环评批复。 综上，发行人本次募投项目中涉及履行环评手续的“车规级SiC MOSFET模块制造项目”“IPM模块制造项目”和“车规级GaN模块产业化项目”均已于2025年12月取得环评批复。 2、明确“IPM模块制造项目”“车规级 GaN模块产业化项目”相关用地的计划，取得土地的具体安排和最新进度 （1）IPM模块制造项目 “IPM模块制造项目”系本次募投项目之一，由斯达半导体（重庆）有限公司实施，实施地点为重庆市高新区。本项目已于 2025年 10月 10日获得《重庆市企业投资项目备案证》（项目代码：2510-500356-07-01-247407）。 公司与重庆高新技术产业开发区管理委员会就“IPM模块制造项目”用地达成一致，目前《斯达半导体 IPM模块制造项目合同》已在签章流程中。《斯达半导体 IPM模块制造项目合同》中已确定用地的面积、性质、位置等（净用地面积 35亩，用地性质为一类工业用地，使用年限 50年，具体位置为高新区西永组团 T62-1/05（部分）地块）。 根据重庆西永微电子产业园区开发有限公司 2025年 12月 15日出具的《情况说明》，确认“根据项目投资及其建设规模的要求，重庆高新区管委会将支持项目公司在符合当地政府规划的区域内进行项目选址并供给土地。项目用地拟选址重庆高新区直管园范围内，净用地面积约 35 亩，用地性质为一类工业用地，使用年限 50年。具体位置为西永组团 T62-1/05（部分）地块。项目土地取得预计不存在重大不确定性。” 截至本回复出具日，公司上述募投用地尚需履行招拍挂程序、缴纳土地出让金、办理土地使用权等程序方可取得，公司将积极办理、跟进土地出让手续。 （2）车规级 GaN模块产业化项目 “车规级 GaN模块产业化项目”系本次募投项目之一，由上海道之实施，实施地点为上海市嘉定区。本项目已于 2025年 10月 14日获得《上海市企业投资项目备案证明》（项目代码：2510-310114-04-01-545395），明确项目用地位于上海市嘉定区外冈镇新能港 14-03地块。 上海道之“车规级 GaN模块产业化项目”用地项目已通过嘉定区评审准入，明确该地块位于汽车新能港，用地面积约 17.50亩，用地性质为工业用地。同时，该地块已获得农转用批复（沪府土〔2025〕274号）、土地供地文（沪嘉府土〔2025〕73号）等批文，正在办理地块出让征询中。 截至本回复出具日，公司上述募投用地尚需履行招拍挂程序、缴纳土地出让金、办理土地使用权等程序方可取得，公司将积极办理、跟进土地出让手续。 综上，“IPM模块制造项目”“车规级 GaN模块产业化项目”已就项目投资和土地取得达成一致，相关用地符合相关法律法规及政策，后续将在履行招拍挂等必要程序后正式取得土地使用权及办理土地不动产权证书。 （二）结合本次募投项目与现有业务或产品的区别与联系、各产品报告期内的产销情况、技术难点、上游原材料是否存在短缺风险，说明本次募投项目实施是否存在重大不确定性。 1、本次募投项目与现有业务或产品的区别与联系 公司主营业务是以 IGBT、SiC为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产，并以模块的形式对外实现销售，主要产品包含 IGBT模块、SiC MOSFET模块及 IPM模块等。 “车规级 SiC MOSFET模块制造项目”和“车规级 GaN模块产业化项目”是在现有产品结构基础上，紧密结合下游行业需求与技术发展方向，进行第三代功率半导体模块产品的布局与拓展。公司在充分考虑新能源汽车主电机控制器、OBC、充电桩、AI服务器电源等下游行业的需求以及技术发展趋势，依托现有技术，进而实施车规级 SiC MOSFET模块扩产项目和车规级 GaN模块产业化项目，丰富公司产品矩阵，扩大市场占有率。 同时，“IPM模块制造项目”亦是在现有产品结构基础上，依托公司在大型商用变频空调领域积累的一大批高黏性的白色家电行业客户，拓展公司 IPM模块在白色家电行业的市场份额，扩大公司业务规模。 （1）车规级 SiC MOSFET模块制造项目 报告期内，公司一直专注于以 IGBT和 SiC为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售，多年来持续加大技术创新和产品优化力度，相关产品深受国内外市场的认可和信赖。在 SiC领域，公司自 2020年起陆续获得了国内外多个 SiC MOSFET主电机控制器项目定点，并于 2022年实现国内首个 800V高压 SiC主电机控制器平台批量装车。目前，公司车规级 SiC MOSFET芯片和模块已经在国内外主流整车厂多车型大批量装车，产品销量持续快速增长。 随着车规级 SiC MOSFET模块在新能源汽车主电机控制器渗透率的不断扩大及公司多个 SiC MOSFET主电机控制器定点项目相关车型陆续上市，公司亟需迅速扩充车规级 SiC MOSFET模块产能以满足下游客户日益增长的需求。因此，公司拟通过本项目的建设，新建厂房、洁净车间及相关配套基础设施，购置先进制造设备，建设车规级 SiC MOSFET模块生产线，进一步扩大公司车规级SiC MOSFET模块的产能，提升公司在新能源汽车行业的市场份额。 （2）IPM模块制造项目 IPM模块是一种将功率开关器件和驱动电路等集成在一起的功率半导体模块，因其集成驱动、电流检测、过流保护等功能，在提升电机驱动性能、提高系统效率方面发挥关键作用，系变频家电不可或缺的关键组件之一，广泛应用于变频空调、冰箱、洗衣机等白色家电行业以及工业变频器、伺服器、车用空调等领域。目前，公司 IPM模块已在工业变频器、伺服器、车用空调等领域广泛应用，产品技术成熟、质量稳定，得到了客户的高度认可。白色家电行业是公司重点布局行业之一，公司在该领域获取了稳定的客户群体，与美的、格力、海信、海尔等国内主流家电行业客户形成了密切的合作关系。公司拟通过本项目的实施扩大IPM模块产能，提升公司在白色家电行业的市场份额。 （3）车规级 GaN模块产业化项目 GaN模块是基于第三代半导体氮化镓的功率半导体模块，具有高电子迁移率、高饱和漂移速度、高热稳定性和高耐辐照性等优点，在高频、高效率及高温环境的应用场景下表现优异。基于上述特性，GaN模块在新能源汽车主电机控制器、新能源汽车充电桩、车载充电机（OBC）、AI服务器电源、数据中心等应用场景具有较强的竞争力。目前，公司车规级 GaN模块已获得了主电机控制器平台定点，2026年将进入装车应用阶段，预计后续将取得更多的平台定点。 本项目的实施将进一步增强公司车规级功率模块的市场份额，同时有助于公司把握 AI服务器电源、数据中心等新兴领域的市场机会，保持技术领先地位。 综上所述，公司本次募集资金投资项目属于公司主营业务，与公司现有业务和产品紧密相关。 2、各产品报告期内的产销情况、技术难点、上游原材料是否存在短缺风险 （1）产销情况 报告期内，公司募投项目各产品的产销量、收入逐年增长，下游客户需求旺盛。 1）SiC MOSFET模块 自 2020年起，公司持续斩获国内外多个 SiC MOSFET主电机控制器项目定点，2022年成功实现国内首个 800V高压 SiC主电机控制器平台批量装车。目前，车规级 SiC MOSFET 芯片及模块已在国内外主流整车厂多车型大批量应用，销量保持快速增长态势，2025年 1-6月公司 SiC MOSFET模块销量已超过去年全年水平，产销率达到 103.01%。截至目前，公司 SiC MOSFET模块已累计获得超过 30个新能源汽车主电机控制器项目定点，随着相关定点车型陆续上市以及 SiC MOSFET模块在新能源汽车主电机控制器的渗透率持续提升，公司现有生产能MOSFET模块产能，相较公司现有产能将实现跨越式增长，可保障公司新能源汽车客户对车规级 SiC MOSFET模块的需求。 2）IPM模块 公司 IPM模块技术成熟、质量稳定，已与美的、格力、海信、海尔等主流白色家电行业客户建立密切合作，当前产销已趋近饱和。根据产业在线数据，2024年中国白色家电市场总产量同比上涨 15.80%，对 IPM模块的国内需求规模达到4.4亿颗，同比增长 20.8%，白色家电市场规模庞大，发展前景广阔。本次募投项目将预计新增约 3,000万个/年 IPM模块产能，相较公司现有产能将实现跨越式增长，可保障公司白色家电行业客户对 IPM模块的需求。 3）GaN模块 公司本次募投的GaN模块主要应用于400V及以下电池电压的新能源汽车主电机控制器领域及 OBC和充电桩领域。目前公司车规级 GaN模块已拿下主电机控制器平台定点，预计 2026年进入装车应用阶段，后续将斩获更多平台定点。 随着车规级 GaN模块在新能源汽车行业的大批量应用，公司需新建车规级 GaN模块的生产线以实现产业化，保障公司在新能源汽车行业的领先地位。 （2）技术难点 公司是国内功率半导体行业的领军企业，拥有多名具有国际著名功率半导体公司研发经历的一流研发技术专家，并培养了一批具备超过十五年工作经验的研发骨干。同时，公司具有全球化的研发布局，分别于 2014年和 2023年在德国纽伦堡和瑞士苏黎世设立了研发中心，广纳国际人才。截至 2025年 6月 30日，公司已成功申请了 410项中国境内专利，其中包括 75项发明专利。 “车规级 SiC MOSFET模块制造项目”和“IPM模块制造项目”的产品为车规级 SiC MOSFET模块和 IPM模块，报告期内已实现大批量生产与销售，本次募投项目的实施主要是扩产，不存在研发生产相关的技术难点。 “车规级 GaN模块产业化项目”的产品为车规级 GaN模块，公司目前已研发成功，并于 2024年拿下主电机控制器平台定点，预计 2026年进入装车应用阶段，因此在研发方面不存在技术难点。同时，公司自设立以来一直从事功率半导体模块的研发及生产，具有丰富的产业化经验，为本项目的实施奠定了坚实的基础。 因此，本次募投项目不存在影响项目实施的技术难点。 3、上游原材料是否存在短缺风险 （1）SiC MOSFET模块 SiC MOSFET模块上游主要原材料为 SiC MOSFET芯片、DBC、外壳、基板等材料。SiC MOSFET模块核心原材料 SiC MOSFET芯片采用自产与外购相结合的模式，其中自产部分芯片通过公司自有的 SiC MOSFET芯片生产线供应，外购部分通过采购海外主流品牌的 SiC MOSFET芯片，可以充分保证本次募投项目的芯片需求。DBC、外壳和基板等其他原材料为公司的通用原材料，公司通过与国内外优质供应商建立长期稳定的合作关系，构建了多渠道、可替代的供应网络，建立了完善的供应链体系，确保原材料供应的稳定性与可靠性。同时，公司具备成熟的库存管理与需求预测体系，能够根据生产计划精准调配原材料资源，提升供应链响应效率。因此，SiC MOSFET模块不存在上游原材料短缺的风险。 （2）IPM模块 IPM模块上游主要原材料为 IGBT芯片、快恢复二极管芯片、驱动 IC芯片及其他材料。其中核心原材料 IGBT芯片、快恢复二极管芯片以及驱动 IC芯片均采用公司自主的芯片，芯片生产采用委外代工以及自主生产相结合的方式，可以充分保证本次募投项目的芯片需求。其他原材料主要包括铜框架、注塑材料等，亦为公司的通用原材料，公司成熟的供应链体系和库存管理体系与需求预测体系，可保证相关材料的供应，不存在上游原材料短缺的风险。 （3）GaN模块 GaN模块上游主要原材料为 GaN HEMT芯片、DBC、外壳、基板等材料。 其中核心原材料为 GaN HEMT芯片，目前公司 GaN HEMT芯片通过外购的方式进行采购，后续公司将根据 GaN模块的产业化进度逐步推出自主的 GaN HEMT芯片。DBC、外壳和基板等其他原材料为公司的通用原材料，公司成熟的供应链体系和库存管理体系与需求预测体系，可保证相关材料的供应，不存在上游原材4、本次募投项目实施是否存在重大不确定性 综上所述，本次募投项目系现有业务的规模扩张与延伸拓展，与公司现有业务和产品紧密相关，各产品的产销量、收入逐年增长，不存在重大技术难点或障碍，且不存在上游原材料短缺的情况，因此，公司本次募投项目实施不存在重大不确定性。 （三）结合本次募投项目各产品的市场供需情况及竞争格局、报告期内产销量及产能利用情况、公司现有或在建产能、客户储备情况、在手订单或意向性协议等，说明本次募投项目是否存在产能消化风险。 1、各产品的市场供需情况及竞争格局 公司本次募集资金投资项目包括车规级 SiC MOSFET模块制造项目、IPM模块制造项目、车规级 GaN模块产业化项目。公司本次募集资金投资项目的下游应用领域主要包含新能源汽车行业、变频白色家电行业等。 （1）公司本次募投项目各产品的市场供需情况 1）SiC MOSFET模块 SiC具有禁带宽度大、击穿场强高、饱和漂移速率高、热导率高等优点，可以承受更高的电压和具有更高的热导率。相比传统的硅基 IGBT方案，SiC MOSFET因其低导通电阻和低开关损耗，大幅降低了电机控制系统的损耗，提升了行驶里程，符合新能源汽车的应用需求。SiC MOSFET在 SiC衬底材料、外延技术、芯片设计、芯片制造等相关环节技术的不断突破，SiC MOSFET模块成本不断降低，SiC MOSFET方案将成为新能源汽车主电机控制器的主要解决方案之一。 根据中国汽车工业协会数据，2024年，中国新能源汽车产销累计完成 1,288.8万辆和 1,286.6万辆，同比分别增长 34.4%和 35.5%，中国新能源汽车新车销量达到汽车新车总销量的 40.9%；根据中国科学技术协会的数据，2024年，全球新能源汽车产销累计完成 1,770.7万辆，同比增长了 24%，全球新能源汽车销量达到汽车总销量的 19.3%，持续保持快速增长态势。随着 SiC MOSFET模块成本不断降低，SiC MOSFET方案由高端的纯电新能源汽车逐步向经济型纯电新能源汽车以及增程/混动车型渗透，预计 SiC MOSFET方案渗透率将迅速提高，未来市场空间广阔。 2）IPM模块 IPM模块是变频白色家电中的核心器件，广泛应用于变频空调、冰箱、洗衣机等领域。根据全国家用电器工业信息中心发布的《2024年中国家电行业年度报告》，2024年中国家电市场零售额为 8,468亿元，同比增长 9.0%。根据产业在线数据，2024年中国白色家电市场对 IPM模块的国内需求规模达到 4.4亿颗，同比增长 20.8%。目前，我国正不断加大对绿色智能家电的政策倾斜力度，持续推进白色家电节能减排和产品结构调整，空调、冰箱及洗衣机等白色家电的变频市场份额占比也在不断提升，IPM模块的需求量将持续增大。变频白色家电行业广阔的市场空间为项目实施提供了坚实的市场基础。 3）GaN模块 根据 CASA Research的数据，目前国内第三代功率半导体已开始进入高速增长阶段，2023年第三代功率器件模块市场规模约为 153.2亿元，同比增长 45%，其中新能源汽车用第三代功率器件模块市场约 104.1亿元，预计到 2027年将达到 347.3亿元。GaN凭借其高频、高效、耐高温的特性，在第三代半导体中占据不可替代的地位, 将在新能源汽车主电机控制器、新能源汽车充电桩、车载充电机（OBC）、AI服务器电源、数据中心等领域广泛应用。根据 Yole数据，2023年全球GaN功率器件市场规模约为2.6亿美元，2023-2029年复合增长率约41%，2029年预计达 20.1亿美元。 （2）竞争格局 目前全球范围内，功率半导体市场主要由欧洲、日本及美国企业占领，国内企业通过多年的技术积累和发展，逐步拓展在全球市场中的市场份额。公司是国内功率半导体行业的领军企业，除公司外，目前功率半导体国内外主要参与者如下： 1）英飞凌科技公司（Infineon Technologies） 英飞凌科技公司是德国半导体制造商，成立于 1999年，专注于汽车电子、工业电子、功率半导体和安全芯片。其前身是西门子的半导体部门，在功率器件（如 IGBT）、汽车微控制器、安全解决方案等领域处于全球领先地位。 2）三菱电机株式会社（Mitsubishi Electric Corporation） 三菱电机株式会社是三菱集团的核心企业之一，成立于 1921年。三菱电机在全球的电力设备、通信设备、工业自动化、电子元器件、家电等市场占据着重要的地位。三菱电机半导体产品包括功率模块（IGBT、IPM、MOSFET等）、微波/射频和高频光器件、光模块和标准工业用的 TFTLCD等。 3）富士电机株式会社（Fuji Electric） 富士电机株式会社成立于 1923年，在全球生产和销售 IGBT、MOSFET等功率半导体。富士电机 IGBT芯片的设计和生产主要集中在本国进行，在英国、日本和菲律宾都设有功率器件生产工厂。作为业内领先的 IGBT企业，富士电机主要生产 IGBT模块和 IPM模块，产品在工业控制和变频家电中广泛使用。 4）赛米控（SEMIKRON） 赛米控成立于 1951年，总部位于德国纽伦堡，是全球领先的电力电子制造商，发明了全球第一款带绝缘设计的功率模块，主要生产中等功率输出范围（约2KW至 10MW）中广泛应用的电力电子组件和系统。生产产品包括芯片、分立器件、二极管、晶闸管、IGBT功率模块和系统功率组件。 5）中车时代 中车时代成立于 2005年，总部位于湖南省株洲市公司主要从事轨道交通装备产品的研发、设计、制造、销售并提供相关服务，具有“器件+系统+整机”的产业结构，产品主要包括以轨道交通牵引变流系统为主的轨道交通电气装备、轨道工程机械、通信信号系统等。在器件层面，中车时代产品包含了 IGBT和 SiC MOSFET等器件。 6）士兰微 士兰微坐落于杭州高新技术产业开发区，是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业，产品覆盖功率半导体和半导体化合物器件、功率驱动与控制系统、MEMS传感器、ASIC产品、光电产品等多个领域。 2、报告期内产销量及产能利用情况、公司现有或在建产能、客户储备情况、在手订单或意向性协议等 （1）报告期内产销量及产能利用情况 报告期内，公司 GaN模块暂未形成收入，目前已取得项目定点，独立的 GaN产线正在建设中，预计 2026年进入装车应用阶段，实现规模化收入。 2022年至 2024年，公司 SiC MOSFET模块大量项目处于项目验证和定点阶段；公司 IPM模块的主要客户主要集中在工业变频器、伺服器、车用空调等领域，与白色家电行业相比，上述领域对于 IPM模块的需求数量相对较小。2022年至2024年，公司SiC MOSFET模块和IPM模块产品合计收入占比分别为1.78％、1.93％和 3.10％。 2025年 1-6月，公司 SiC MOSFET模块多个项目进入量产阶段，同期收入占比大幅提升至 10.82% 公司 IPM模块在白色家电行业收入规模迅速提升，同期收入占比提升至 4.06%，其产能、产量、销量及相关比率情况分别如下：
报告期内，公司业务稳步推进，各产品凭借旺盛的下游需求，产销量与收入实现逐年增长，现有产能情况详见本问询回复之“问题 1”之“（三）、2、（1）报告期内产销量及产能利用情况”。公司在建产能布局与市场需求匹配，本次募投项目是公司 SiC MOSFET模块、IPM模块和 GaN模块目前在建产能的主要来源。 （3）公司客户储备情况、在手订单或意向性协议情况 公司是国内功率半导体行业的领军企业，具有良好的市场基础。从客户储备情况来看，在新能源汽车领域，公司是国内车规级 IGBT/SiC MOSFET模块的主要供应商，公司积极开拓海外市场并获得了多家国外头部 Tier 1的主电机控制器项目定点。目前，车规级 SiC MOSFET模块已实现多车型大批量销售及应用，批量合作和已定点的车型/项目已超过 30个，车规级 GaN模块已于 2025年上半年取得了主电机控制器项目定点。在白色家电领域，公司已成为美的、格力、海信、海尔等国内主流白色家电行业客户的主要供应商之一。 从在手订单或意向性协议来看，公司主要客户采取滚动订单的下单模式，即客户根据未来 1-6个月的需求量向公司进行下单采购或提供书面性需求计划。截至 2025年 10月 31日，公司 IGBT模块在手订单及意向订单金额为 141,532.12万元，SiC MOSFET模块在手订单及意向订单金额为 20,427.47万元，IPM模块在手订单及意向订单金额为 4,394.49万元，在手订单充足，需求稳定。GaN模块目前暂无在手订单，根据定点项目车型的上市进度，预计 2026年可实现规模化收入。 3、本次募投项目是否存在产能消化风险 本次募投项目各产品的市场需求较大，公司是国内功率半导体行业的领军企业，具有良好的客户和市场基础，可在市场竞争中取得优势。同时，公司产销率较高，产能利用率饱和，在手订单稳定持续，募投项目产品需求快速增长，公司亟需通过本次募投项目扩产以满足客户的需求。综上，本次募投项目产能消化风险较小。 （四）建筑工程费、设备购置及安装费等具体内容、测算依据及过程；本次募投项目中非资本性支出占比是否符合规定，是否存在置换董事会前投入的情形；效益预测中产品价格、成本费用等关键指标的具体预测过程及依据，相关预测是否审慎、合理。 1、建筑工程费、设备购置及安装费等具体内容、测算依据及过程 （1）车规级 SiC MOSFET模块制造项目 本项目总投资为 100,245.26万元，主要投资概况如下： 单位：万元
本项目的建筑工程总投资为 14,541.02万元，建设内容主要为车间、仓库及工程监理费等建筑工程其他费用。 建筑工程费用金额由预计建筑面积和单位造价、装修单价确定，其中单位造价、装修单价参考市场行情及历史价格水平测算；建筑工程其他费用主要包括建设工程监理费、工程勘察费、工程设计费、建设单位管理费等，主要参考现行相关文件比例要求等进行估算。具体情况如下： 单位：万元
2）设备选型依据及投资明细 本项目的设备购置及安装费为 81,813.60万元，主要为工艺设备、研发检测设备和公用工程设备。 公司根据项目需求和现有设备情况，基于适用性、先进性以及性价比原则，进行设备选型和合理配置。设备及软件的单价综合考虑了供应商的报价及公司历史采购单价，设备数量则依据本项目未来生产、运营所需，合理预估得出，具体情况如下： 单位：万元
本项目总投资为 30,080.35万元，主要投资概况如下： 单位：万元
本项目的建筑工程总投资为 8,301.56万元，建设内容主要为车间、仓库及工程监理费等建筑工程其他费用。 建筑工程费用金额由预计建筑面积和单位造价、装修单价确定，其中单位造价、装修单价参考市场行情及历史价格水平测算；建筑工程其他费用主要包括建设工程监理费、工程勘察费、工程设计费、建设单位管理费等，主要参考现行相关文件比例要求等进行估算。具体情况如下： 单位：万元
本项目的设备购置及安装费为 18,718.20万元，主要为工艺设备、研发检测设备和公用工程设备。 公司根据项目需求和现有设备情况，基于适用性、先进性以及性价比原则，进行设备选型和合理配置。设备单价综合考虑了供应商的报价及公司历史采购单价，设备数量则依据本项目未来生产、运营所需，合理预估得出，具体情况如下： 单位：万元
本项目总投资为 31,680.05万元，主要投资概况如下： 单位：万元
本项目建筑工程总投资为 8,131.49万元，建设内容主要为车间、仓库及工程监理费等建筑工程其他费用。 建筑工程费用由预计建筑面积和单位造价、装修单价确定，其中单位造价、装修单价参考市场行情及历史价格水平测算；建筑工程其他费用主要包括建设工程监理费、工程勘察费、工程设计费、建设单位管理费等，主要参考现行相关文件比例要求等进行估算。具体情况如下： 单位：万元
本项目的设备购置及安装费为 20,800.60万元，主要为工艺设备、研发检测设备和公用工程设备。 公司根据项目需求和现有设备情况，基于适用性、先进性以及性价比原则，进行设备选型和合理配置。设备及软件的单价综合考虑了供应商的报价及公司历史采购单价，设备数量则依据本项目未来生产、运营所需，合理预估得出，具体情况如下： 单位：万元
（1）非资本性支出占比是否符合规定 根据《证券期货法律适用意见第 18号》的规定，通过配股、发行优先股或者董事会确定发行对象的向特定对象发行股票方式募集资金的，可以将募集资金全部用于补充流动资金和偿还债务。通过其他方式募集资金的，用于补充流动资金和偿还债务的比例不得超过募集资金总额的百分之三十。对于具有轻资产、高研发投入特点的企业，补充流动资金和偿还债务超过上述比例的，应当充分论证其合理性，且超过部分原则上应当用于主营业务相关的研发投入。 本次募集资金投资项目募集资金中资本性支出情况如下： 单位：万元
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