存储产能洽谈已排至2030年！华邦电子提前启动扩产计划

时间：2026年08月20日 10:07:50 中财网

　　华邦电子提前启动高雄路竹厂Module B扩产计划，预计2027年动工、2029年装机，客户产能洽谈已排至2029年至2030年。AI驱动的存储需求被机构认为将“延续相当长时间”。此外，华邦电子已投入约40亿元布局矽电容产线，最快2027年量产，被视为逻辑与存储之外的第三成长动能。

　　AI拉动存储需求持续扩张，华邦电子不得不提前布局——客户已在抢订三年后的产能。

　　全球利基型存储IDM龙头企业华邦电子宣布提前启动中国台湾高雄路竹厂扩产规划，将原定分期推进的二、三期工程整并为Module B工厂同步开发。据台湾工商时报报道，该厂预计2027年动工兴建无尘室，最快2029年初开始装机。

　　机构人士指出，代理式AI(Agentic AI)正在推动存储容量与先进封装需求持续增加，“相关成长趋势预期将延续相当长时间”，这正是华邦电子决定提前启动Module B计划的直接原因。目前已有客户提前洽谈2029年、2030年的产能配额。

　　当季业绩：量价齐升，毛利率创高
　　华邦电子第二季合并营收598.43亿元新台币，季增56.4%，年增184.7%。

　　涨价是核心驱动力：DRAM价格单季上涨约100%，Flash上涨约43%。毛利率随之升至66.2%，每股税后纯益(EPS)达5.40元。

　　进入第三季，涨势仍在延续。中国台湾工商时报援引机构人士预计，利基型DRAM与SLC NAND均呈供不应求，价格季涨幅约50%；NOR Flash受云端服务供应商(CSP)大客户积极备货拉动，价格季涨幅约30%。

　　第四季涨幅预计收窄至2%至5%，但机构人士认为，受益于DRAM产能增加及出货量成长，华邦电子营收与获利仍可维持季增走势。

　　Module B：产品线全面对准AI
　　华邦电子高雄厂Module B的产品规划覆盖Standard DRAM、CUBE DRAM、Wafer-on-Wafer(WoW)及矽电容(Si-Cap)，并将支持14纳米及未来12纳米DRAM制程，后续亦规划导入EUV设备。

　　这一布局的逻辑清晰：AI推动存储向更高密度、更先进封装演进，华邦电子需要提前锁定制程与产能，才能在客户需求兑现时不落后于市场。

　　设备导入将依客户需求预测(Forecast)及长期协议(LTA)分阶段推进，而非一次性满产，以控制资本支出节奏。

　　Si-Cap：第三条成长曲线
　　矽电容(Si-Cap)是此次布局中值得单独关注的一块。

　　机构人士将其视为华邦电子在逻辑(Logic)与存储(Memory)之外的“第三股潜在成长动能”。华邦电子已投入约40亿元新台币建置专用Si-Cap产线。

　　目前量产产品的电容密度约为3,300 nF/mm2，最新样品已达约5,400 nF/mm2，主要面向AI先进封装及AI电源管理应用。报道预计，最快2027年第一季底步入量产。

　　Si-Cap的逻辑在于：AI芯片对电源稳定性要求极高，矽电容可在封装层面提供更高密度的电源去耦，是先进封装不可或缺的配套器件。华邦电子提前布局，意在卡位这一新兴需求。