[中报]ST臻镭(688270):浙江臻镭科技股份有限公司2026年半年度报告

时间：2026年08月26日 19:51:56 中财网

原标题:ST臻镭:浙江臻镭科技股份有限公司2026年半年度报告

公司代码：688270 公司简称：ST臻镭
浙江臻镭科技股份有限公司
2026年半年度报告
重要提示
一、本公司董事会及董事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

二、重大风险提示
报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的特别重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分内容。

三、公司全体董事出席董事会会议。

四、本半年度报告未经审计。

五、公司负责人张兵、主管会计工作负责人李娜及会计机构负责人（会计主管人员）李娜声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。

六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案无
七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用√不适用
八、前瞻性陈述的风险声明
√适用□不适用
本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。

九、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否
十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否
十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性否
十二、其他
□适用√不适用
目录
第一节 释义..........................................................................................................................................4
第二节 公司简介和主要财务指标......................................................................................................7
第三节 管理层讨论与分析................................................................................................................11
第四节 公司治理、环境和社会........................................................................................................40
第五节 重要事项................................................................................................................................42
第六节 股份变动及股东情况............................................................................................................53
第七节 债券相关情况........................................................................................................................58
第八节 财务报告................................................................................................................................59

备查文件目录	载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管 人员）签名并盖章的财务报表。
	报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。
	经现任法定代表人签字和公司盖章的本次半年报全文和摘要。

第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：

常用词语释义
公司、本公司、母公司、臻镭科技	指	浙江臻镭科技股份有限公司
城芯科技、城芯公司	指	杭州城芯科技有限公司，公司全资子公司
航芯源、航芯源公司	指	浙江航芯源集成电路科技有限公司，公司全资子公司
集迈科、集迈科公司	指	浙江集迈科微电子有限公司
钰煌科技、钰煌公司	指	杭州钰煌科技有限公司
基尔科技	指	杭州基尔科技有限公司
中国证监会	指	中国证券监督管理委员会
《公司章程》	指	浙江臻镭科技股份有限公司章程
《公司法》	指	《中华人民共和国公司法》
《证券法》	指	《中华人民共和国证券法》
报告期	指	2026年1-6月
报告期末	指	2026年6月30日
元、万元	指	人民币元、人民币万元
芯片、集成电路	指	集成电路是一种微型电子器件或部件，采用集成电路 加工工艺，按照要求将所需的晶体管、电阻、电容和 电感等电子元器件连接起来，制作在同一晶圆衬底 上，实现特定功能的电路，按功能划分，主要可分为 数字集成电路、模拟集成电路以及数/模混合集成电 路
Fabless	指	无晶圆厂的集成电路企业经营模式，采用该模式的厂 商仅进行芯片的设计、研发、应用和销售，而将晶圆 制造、封装和测试外包给专业的晶圆代工、封装和测 试厂商
晶圆	指	又称Wafer、圆片、晶片，用以制造集成电路的圆形 硅或化合物晶体半导体材料
流片	指	为了验证集成电路设计是否成功，必须进行流片，即 从一个电路图到一块芯片，检验每一个工艺步骤是否 可行，检验电路是否具备所需要的功能和性能。如果 流片成功，就可以大规模地制造芯片；反之，则需定 位原因，并进行相应的优化设计—上述过程一般称之 为工程试作流片。在工程试作流片成功后进行的大规 模批量生产则称之为量产流片
相控阵雷达	指	利用电子技术控制阵列天线各辐射单元的相位，使天 线波束指向在空间快速变化的雷达。其特点是：目标 容量大、数据率高，可同时监视和跟踪多目标；具有 搜索识别、跟踪、制导等多种功能；对复杂目标环境 的适应能力强，抗干扰性能好，可靠性高
数字相控阵	指	采用数字算法实现波束形成或同时多波束的相控阵 系统
微波	指	频率范围为300MHz~300GHz的电磁波，是无线电波中 一个有限频带的简称，即波长在1毫米～1米之间的 电磁波。根据频率由低到高依次包括：L波段 （1~2GHz）、S波段（2~4GHz）、C波段（4~8GHz）、 X波段（8~12GHz）、Ku波段（12~18GHz）、K波段 （18~26.5GHz）、Ka波段（26.5~40GHz）、Q波段
		（30~50GHz）等
毫米波	指	微波中一类高频的电磁波，频率范围为 30GHz~300GHz，波长在1毫米～10毫米之间
射频、RF	指	RadioFrequency，简称RF，用于无线通信的高频交 流电信号，频率范围在300kHz～300GHz之间
射频收发芯片	指	位于射频前端芯片与基带芯片之间，具有频率变换、 滤波、增益控制和采样等功能，实现数字信号和模拟 信号的互相转换
电源管理芯片	指	在电子设备系统中负责电能的变换、分配、检测及其 它电能管理功能的芯片
固态电子开关	指	采用半导体集成电路技术实现隔离控制电源或用电 器功率回路通断的装置，具备寿命长、可靠性高、无 机械结构、无高压拉弧、无开关寿命次数限制等优点， 并且结合半导体集成电路工艺，可将保护电路、电流 监测电路等功能集成于固态电子开关内部，实现功能 的一体化
T/R组件	指	一个无线收发系统连接中频处理单元与天线之间的 部分，实现射频信号的发射、接收、放大、移相、衰 减、滤波和信道切换等功能
ADC/DAC	指	模数转换器/数模转化器
SDR	指	软件定义无线电
射频微系统	指	在传统模组基础上，采用垂直互联、MEMS硅腔、TSV 硅转接板、高精度MMIC微组装以及晶圆级键合等技 术，将多功能异质芯片及无源器件进行一体化三维异 构集成，形成多种高集成度、高可靠性的微系统产品
基带芯片	指	用来合成发射的基带信号或对接收到的信号进行解 码的芯片
馈电网络	指	对相控阵天线中对各个天线单元进行馈电和馈相的 网络
雷达	指	利用电磁波探测目标，并测定其距离、方位、速度的 一种电子设备
时钟分配器	指	一种将输入时钟脉冲经过一定的分频后分别送到各 路输出的逻辑电路
数据链	指	一种在多个传感器、指挥信息系统等单元之间，采用 一种或多种网络结构，按照规定的通信协议和消息标 准传递格式化战术信息的数据信息系统
新一代电台	指	采用现代化的通信技术和数字化技术，具备更高性 能、更广覆盖、更灵活可靠、更安全便捷的通信终端 设备
卫星互联网	指	通过卫星为全球提供互联网接入服务
卫星载荷	指	安装于卫星平台之上，用于直接执行特定任务的仪器 设备，是卫星在轨发挥功能的核心部分
Sip（systeminpackage）系统级 封装	指	将一个系统或子系统的全部或大部分电子功能配置 在整合型基板内，而芯片以2d、3d的方式接合到整 合型基板的封装方式
卫星通信	指	地球上（包括地面和低层大气中）的无线电通信站间 利用卫星作为中继而进行的通信
电子对抗	指	双方为削弱、破坏对方电子设备的使用效能、保障己
		方电子设备发挥效能而采取的各种电子措施和行动
DBF	指	数字波束成形（又称数字波束合成）(DigitalBeam Forming），是一种多通道信号处理技术，它通过对多 个天线元件的信号进行加权、相位调整和合成，形成 一个方向性的波束

第二节 公司简介和主要财务指标
一、公司基本情况

公司的中文名称	浙江臻镭科技股份有限公司
公司的中文简称	臻镭科技
公司的外文名称	Great Microwave Technology Co.,Ltd.
公司的外文名称缩写	GREAT MICROWAVE
公司的法定代表人	张兵
公司注册地址	浙江省杭州市西湖区智强路428号云创镓谷研发中心7 号楼、8号楼1-3层
公司注册地址的历史变更情况	2017年3月1日注册地址由杭州市余杭区仓前街道绿汀 路1号1幢565室变更为杭州市西湖区西园三路3号5幢 502室；2017年3月9日注册地址由杭州市西湖区西园三 路3号5幢502室变更为杭州市西湖区三墩镇西园三路3 号5幢502室；2017年5月4日注册地址由杭州市西湖区 三墩镇西园三路3号5幢502室变更为浙江省杭州市西湖 区三墩镇西园三路3号5幢502室；2024年1月24日，注 册地址由浙江省杭州市西湖区三墩镇西园三路3号5幢 502室变更为浙江省杭州市西湖区智强路428号云创镓 谷研发中心7号楼、8号楼1-3层
公司办公地址	浙江省杭州市西湖区智强路428号云创镓谷研发中心7 号楼、8号楼1-3层
公司办公地址的邮政编码	310030
公司网址	http://www.greatmicrowave.com/
电子信箱	ir@greatmicrowave.com
报告期内变更情况查询索引	无

二、联系人和联系方式

	董事会秘书（信息披露境内代表）	证券事务代表
姓名	郁发新（董事长代行董事会秘书职责）	朱元红
联系地址	浙江省杭州市西湖区智强路428号云创镓 谷研发中心8号楼	浙江省杭州市西湖区智强路428 号云创镓谷研发中心8号楼
电话	0571-81023677	0571-81023677
传真	0571-81023675	0571-81023675
电子信箱	ir@greatmicrowave.com	ir@greatmicrowave.com

三、信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称	上海证券报（www.cnstock.com）、证券时报（www.s tcn.com）、证券日报（www.zqrb.cn）、经济参考网 （www.jjckb.cn）
登载半年度报告的网站地址	www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点	浙江省杭州市西湖区智强路428号云创镓谷研发中心8 号楼2楼证券部
报告期内变更情况查询索引	www.sse.com.cn

四、公司股票/存托凭证简况
(一)公司股票简况
√适用□不适用

公司股票简况
股票种类	股票上市交易所 及板块	股票简称	股票代码	变更前股票简称
A股	上海证券交易所 科创板	ST臻镭	688270	臻镭科技

(二)公司存托凭证简况
□适用√不适用
五、其他有关资料
□适用√不适用
六、公司主要会计数据和财务指标
(一)主要会计数据
单位：元币种：人民币

主要会计数据	本报告期 （1－6月）	上年同期	本报告期比上年 同期增减(%)
营业收入	219,533,788.85	204,867,001.88	7.16
利润总额	76,528,319.46	65,107,263.45	17.54
归属于上市公司股东的净利润	74,791,489.70	65,107,263.45	14.87
归属于上市公司股东的扣除非经常性 损益的净利润	69,759,030.27	55,682,597.62	25.28
经营活动产生的现金流量净额	43,581,184.09	10,211,387.10	326.79
	本报告期末	上年度末	本报告期末比上 年度末增减(%)
归属于上市公司股东的净资产	2,331,069,366.53	2,254,175,239.14	3.41
总资产	2,474,512,310.14	2,421,591,131.77	2.19

(二)主要财务指标

主要财务指标	本报告期 （1－6月）	上年同期	本报告期比上年 同期增减(%)
基本每股收益（元／股）	0.25	0.21	19.05
稀释每股收益（元／股）	0.25	0.21	19.05
扣除非经常性损益后的基本每股收 益（元／股）	0.23	0.19	21.05
加权平均净资产收益率（%）	3.26	3.00	增加0.26个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率（%）	3.04	2.56	增加0.48个百分点
研发投入占营业收入的比例（%）	23.15	32.51	减少9.36个百分点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用□不适用
2026年上半年，公司在传统优势与新兴赛道上实现双轮驱动。一方面，持续巩固数据链、电子对抗、无线通信终端、新一代电台及相控阵通信等核心领域的市场优势；另一方面，紧抓商业航天、低空经济、深海科技等战略性新兴产业的发展机遇。依托前瞻性的研发布局与深厚的技术壁垒，凭借过硬的技术功底、良好的行业口碑和优质的客户服务，实现了营业收入和净利润的稳步双增长。

2026年 1-6月公司营业收入规模较上年同期稳步增长，同比增长 7.16%；2026年 1-6月利润总额同比增长 17.54%，归属于上市公司股东的净利润同比增长 14.87%，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润同比增长 25.28%，主要原因系公司业务布局的持续拓展与项目订单的高效交付。随着各项生产交付工作的积极推进，公司主营业务收入实现稳步增长，规模效应进一步显现，整体盈利能力得到提升所致。

2026年 1-6月经营活动产生的现金流量净额同比增长 326.79%，主要系销售商品、提供劳务收到的现金较上年同期增加所致。

报告期内，研发投入占营业收入的比例减少，主要系报告期内研发阶段的不同导致技术服务费投入和材料耗用减少以及营业收入增长所致。

七、境内外会计准则下会计数据差异
□适用√不适用
八、非经常性损益项目和金额
√适用□不适用
单位：元币种：人民币

非经常性损益项目	金额	附注（如适用）
非流动性资产处置损益，包括已计提资产减 值准备的冲销部分
计入当期损益的政府补助，但与公司正常经 营业务密切相关、符合国家政策规定、按照 确定的标准享有、对公司损益产生持续影响 的政府补助除外	2,024,608.98
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值 业务外，非金融企业持有金融资产和金融负 债产生的公允价值变动损益以及处置金融资 产和金融负债产生的损益	3,007,726.03
计入当期损益的对非金融企业收取的资金占 用费
委托他人投资或管理资产的损益
对外委托贷款取得的损益
因不可抗力因素，如遭受自然灾害而产生的 各项资产损失
单独进行减值测试的应收款项减值准备转回
非经常性损益项目	金额	附注（如适用）
企业取得子公司、联营企业及合营企业的投 资成本小于取得投资时应享有被投资单位可 辨认净资产公允价值产生的收益
同一控制下企业合并产生的子公司期初至合 并日的当期净损益
非货币性资产交换损益
债务重组损益
企业因相关经营活动不再持续而发生的一次 性费用，如安置职工的支出等
因税收、会计等法律、法规的调整对当期损 益产生的一次性影响
因取消、修改股权激励计划一次性确认的股 份支付费用
对于现金结算的股份支付，在可行权日之 后，应付职工薪酬的公允价值变动产生的损 益
采用公允价值模式进行后续计量的投资性房 地产公允价值变动产生的损益
交易价格显失公允的交易产生的收益
与公司正常经营业务无关的或有事项产生的 损益
受托经营取得的托管费收入
除上述各项之外的其他营业外收入和支出	157.39
其他符合非经常性损益定义的损益项目
减：所得税影响额	32.97
少数股东权益影响额（税后）
合计	5,032,459.43

对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》未列举的项目认定为非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因□适用√不适用
九、存在股权激励、员工持股计划的公司可选择披露扣除股份支付影响后的净利润□适用√不适用
十、非企业会计准则业绩指标说明
□适用√不适用
第三节 管理层讨论与分析
一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
(一)所属行业
公司专注于集成电路芯片和微系统的研发、生产和销售，并围绕相关产品提供技术服务。根据中国证监会发布的《上市公司行业分类指引（2012年修订）》，公司所处行业为“计算机、通信和其他电子设备制造业（分类代码：C39）”；根据《国民经济行业分类（GB/T4754-2017）》，公司所处行业属于“软件和信息技术服务业”中的“集成电路设计”，行业代码“6520”。

集成电路行业具有显著的周期性特征，其景气波动受供需关系、技术迭代及宏观环境等多重变量驱动。由于半导体产业链链条较长，终端需求信号向上传递存在时滞，供需调节难以同步，易加剧供需错配与行业震荡。根据 WSTS（世界半导体贸易统计协会）最新统计数据，2025年全球半导体市场销售额达到 7956亿美元，同比增长 26.2%。2026年，受人工智能基础设施、高带宽存储、加速运算平台等需求驱动，WSTS预计 2026年全球半导体销售额将持续增长，超过万亿美元。

2026年上半年，我国集成电路行业整体保持增长，行业景气呈现显著结构性分化，传统消费电子需求偏弱，而 AI算力建设、新型基础设施、商业航天等产业景气度提升。面对外部技术约束及产品验证周期较长等挑战，国产替代正持续推进，成熟制程供给能力稳步增强。

政策层面，“十五五”规划纲要明确提出“适度超前建设新型基础设施”，部署完善信息通信网络、构建全国一体化算力网、加快低轨卫星互联网组网等重点任务，以新一代通信网、全国一体化算力网、卫星互联网为代表的新型基础设施建设将全面提速。工业和信息化部进一步明确，新一代通信网建设将重点推进三方面工作：一是网络建设部署，推动 5G-A、万兆光网等规模商用；二是产业支撑赋能，加强 6G移动通信、卫星通信等核心技术创新攻关；三是应用创新推广，促进脑机接口、具身智能、智能网联汽车与 5G-A/6G、卫星互联网融合创新发展。密集释放的政策红利正催生海量硬件需求，为公司的自研芯片创造了长期、稳定、规模化的下游市场空间。面对细分领域技术壁垒高、产品可靠性要求严苛、客户准入认证周期长及外部技术管制带来的供应链不确定性等挑战，公司将持续深耕核心技术研发，紧抓国产替代市场的发展机遇，在行业的演进中实现更高质量的发展。

(二)主营业务情况说明
公司主要产品包括射频收发芯片及高速高精度 ADC/DAC芯片、电源管理芯片、微系统及模组等，为客户提供从天线到信号处理之间的芯片及微系统产品和技术解决方案。

公司产品及技术主要应用于数据链、电子对抗、无线通信终端、新一代电台、相控阵通信、相控阵雷达、电子系统供配电等领域。公司产品作为核心芯片批量应用于多个装备型号，且亮相纪念中国人民抗日战争暨世界反法西斯战争胜利 80周年阅兵、70周年国庆阅兵、军民融合发展式发展中起到了重要作用；在卫星互联网领域，公司产品推动了卫星和载荷系统小型化、轻量化， 已与行业内主流核心科研院所及多家优势企业开展合作，已成为国产基础元器件重要供应商之一， 卡位和份额优势显著；在星载和数据链等领域，通过三维异构集成等技术，公司微系统及模组产 品实现极致小型化、轻量化，可使卫星载荷体积缩小 60%、重量降低 40%，其中星载宽带载荷射 频模块将芯片直接集成在多层陶瓷基板上，大幅减小无源器件占用面积，易于批量化装配生产， 显著推动我国卫星互联网卫星和载荷系统小型化、轻量化发展，在轨运行情况良好。 公司各类产品在卫星互联网产业链中的应用示意图如下：公司各类产品应用在卫星载荷/终端系统中的原理示意图如下：注：公司提供虚线框中的产品和技术方案
(三)公司主要产品
1、射频收发芯片及高速高精度ADC/DAC芯片
射频收发芯片及高速高精度 ADC/DAC芯片主要功能为发射通道和接收通道的射频模拟信号处理。发射通道将来自基带芯片的数字基带信号通过数模转换、滤波、混频、增益放大转换为模拟射频信号后，发送给功放芯片进行放大输出；接收通道将来自低噪放芯片的射频信号通过增益放大、混频、滤波、模数转换为数字信号后，发送给基带芯片进行信号处理。

公司的射频收发芯片，系基于 SDR设计思想自主设计研发的，具有软件可重构、多模并发、宽窄带信号兼容、快速跳频、低功耗、小型化等特点；公司的高速高精度 ADC/DAC芯片、中速高精度 ADC/DAC芯片，具有高集成度、大带宽、高动态、多功能、低功耗等特点，可集成片上同步时钟、可编程增益放大器等。两类产品可广泛应用于包括数字相控阵雷达、综合通信系统、相控阵通信及基站、卫星通信系统等各类场景。

2、数字波束成形器、运算放大器及时钟分配器/发生器
公司正向研发的数字波束成形器，具有软件可重构、低功耗、高集成度、多片严格同步工作等特点，可与公司的射频收发芯片和 ADC/DAC芯片采用高速数字接口互连，形成完整的数字相控阵解决方案。数字波束成形器芯片是数字相控阵天线中的多通道信号处理器，其独立调整每个天线单元信号的相位和幅度并进行合成，从而实现数字波束成形、方向图控制。数字相控阵具有高灵活性、高分辨率、多任务、抗干扰的优点，数字波束成形器芯片能大大降低大规模数字相控阵的功耗、开发难度和物料成本。公司的运算放大器为全差分结构，具备低噪声、高线性特性，适用于高精度 ADC驱动、差分信号驱动、音频信号接收放大等领域。公司的时钟分配器/发射器是给射频收发芯片和射频直采芯片配套的，可生成多路高精度的同步时钟，低附加抖动、低功耗，各路的延时、分频器和输出模式均可独立配置，适用于各类信号处理板、数字相控阵应用场景。

3、电源管理芯片
电源管理芯片是一种在电子设备中负责电能变换、分配、检测和监控的芯片，其功能一般包括电压转换、电流控制、低压差稳压、动态电压调节、电源开关时序控制等供配电管理。电源管理芯片的性能和可靠性对电子产品的性能和可靠性有着直接影响，是电子设备中的关键器件，广泛应用于几乎所有的电子产品和设备。

公司的电源管理芯片包括负载点电源芯片、PWM控制器、低压差线性稳压器、T/R电源管理芯片、MOSFET/GaN驱动器、负载开关和电子保险丝、电源检测芯片产品线，产品具有小体积、耐辐射、高效率、高可靠、高集成等特点，可广泛应用于航天器电源配电、热控、载荷、模拟和数字芯片供电等多个领域，年供货超过几十万颗；在宇航高可靠电源配电领域，公司具备完善的型谱化星用抗辐照电源芯片及模块产品，是国内星用电源芯片型谱覆盖最全的单位之一，公司开发的多款宇航用电源芯片已为国内多个重大星载项目供货。在地面相控阵雷达通信系统中，公司高可靠电源管理芯片为大批量装备提供完善的解决方案及价格支撑。

针对宇航低成本应用要求，公司推出了全套抗辐射塑封配电产品。该方案在保障抗辐照指标达标的基础上，能够显著降低生产成本、提升生产效率，公司也是宇航塑封抗辐照器件质保大纲起草单位之一；为响应低轨卫星低成本、高可靠发展需求，公司提供单粒子闩锁保护方案，支持采用高可靠电源+低成本商用器件（如 CPU、FPGA等）的选型方案；针对星载相控阵 GaAs和GaN T/R组件需求，公司推出射频应用电源管理解决方案，单颗芯片可支撑单个收发通道全部电源需求，有效缩减组件内布线面积，大幅提升组件供电能力与集成度，助力星载相控阵 TR射频单元实现轻量化设计。

公司电源管理产品在航空航天尤其是卫星产业的市场覆盖率、核心竞争力和市场占有率持续提升，客户认可度高，已成为多家国内主流、重点科研院所及民营航天企业的合格供应商。未来几年，公司将持续紧跟我国航空航天产业的发展潮流，依托更短的研发周期、更低的研发成本以及更高的成果转化效率，前瞻布局标准化、系统化、模块化产品矩阵，为我国航空航天产业的跨越式发展贡献力量。

（4）电源套片及电源模块
公司电源套片具有参数指标优异、封装尺寸小、高可靠性等技术优势，广泛应用于地面、航空航天等领域，目前已被各大主流院所选用，部分电源隔离套片方案已被国内重点电源大所选用设计。公司电源模块分为三大类产品线，分为宇航级点负载模块系列、微模块系列和宇航级二次电源系统：宇航级点负载模块系列产品具有高功率密度、高可靠、耐辐射等技术优势，通过将电源芯片集成到高可靠封装内，采用紧凑设计，体积小、重量轻，适合航天器的空间和重量限制要求，模块的高集成度，减少了外部电感等元件需求，简化了外围设计，经过严格的测试与认证，模块能满足在极端环境下工作，并且具有高精度与稳定性，能保障长期运行的稳定性；微模块系列产品具备高集成度、低功耗、高精度与高性能、电源管理等特点，可将多路开关电源集成到微小型封装内，实现超小体积超高功率密度应用，满足客户对电源超小体积超高功率密度的需求；宇航级二次电源系统产品由原来的 VDMOS方案升级成高功率密度的 GaN宇航隔离二次电源，功率密度提高三倍以上，具备技术和成本上的核心竞争力，三大类电源模块产品广泛应用于卫星、火箭、无人机、航空电子设备等电子系统。

（5）微系统及模组
微系统及模组是一种将各类芯片利用垂直互联、MEMS硅腔、TSV硅转接板、高精度 MMIC微组装以及晶圆级键合等三维异构集成技术进行小型化集成加工的先进封装产品，它的出现可以解决各类设备中所使用的芯片种类和芯片数量日益繁多的问题。根据不同的工作环境和不同的性能要求，微系统及模组的构成形式不尽相同，但其基本结构一致，主要采用多芯片组装和三维封装技术，将功率放大器、低噪声放大器、数控移相衰减、射频收发芯片、混频器、滤波器、ADC/DAC等功能器件与电源管理、波控电路、数字处理电路进行异构集成。

公司的微系统、SIP模组及组件具有高集成度、高效率、低噪声、高可靠、小型轻量化等特点，可以极大地降低了下游的发射成本，产品聚焦航天、卫星通信等高端应用领域，深度绑定国内各大主流研究院所及优势企业，客户群体稳定且优质，形成高粘性、高壁垒的市场格局。在星载领域，公司的宽带载荷单面/双面射频接收模块、单面/双面射频发射模块货架产品，模块内部芯片直接集成在多层陶瓷基板上，可以大幅减小无源器件和网络占用的面积，易于批量化装配和生产，双面开腔版本还有更好的隔离度，其显著推动了我国卫星互联网卫星和载荷系统小型化、轻量化发展进程，目前在轨运行情况良好，客户覆盖国内各大主流研究院所。在数据链等行业领域，公司的 SIP组件产品具有集成度高、重量轻、低剖面等特点，一体化解决方案可大幅降低成本，适装性强，主要应用于相控阵雷达通信系统等，客户反馈良好；公司的相控阵天线系统，具有高集成度、轻量化、单通道功耗低等特点，可大幅降低系统成本，广泛应用于民用航空、低空监测领域。

新增重要非主营业务情况
□适用√不适用
二、经营情况的讨论与分析
1、公司经营业绩
报告期内，公司营业收入规模较上年同期稳步增长，实现营业收入 21,953.38万元，较上年同期同比增长 7.16%，实现归属于母公司所有者的净利润为 7,479.15万元，较上年同期同比增长14.87%，归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润为 6,975.90万元，较上年同期同比增长 25.28%。

2026年上半年，在宏观政策与产业升级的双重驱动下，公司依托卫星互联网加速组网、装备信息化全面升级及核心元器件自主可控等行业机遇，整体经营态势呈现出持续向好的势头。一方面，公司稳扎稳打，持续巩固数据链、电子对抗、相控阵通信等存量市场的优势，筑牢了业绩的基本盘；另一方面，公司把握商业航天、低空经济、深海科技等战略性新兴产业发展的机遇，积极将技术储备转化，推动了营业收入和净利润双双实现稳健的增长。

2、公司业务情况
（1）射频收发芯片及高速高精度 ADC/DAC芯片：报告期内公司完成了多款星用射频收发芯片的鉴定及在轨验证，为后续商业航天批量应用奠定基础；同时立项并开展了多款新型毫米波变频及数据转换芯片的研制，在现有产品的基础上将工作频段进一步扩展到毫米波频段，具备多通道、大带宽、大动态、低功耗、可同步等特性，可应用于低轨卫星、下一代移动通信网络、数字相控阵雷达等领域；针对卫星互联网手机直连卫星载荷应用需求，公司定型并推广应用基于CX9840N、CX1620DFN、CX3E04N系列化套片，提供低功耗、高性能、高可靠的卫星通信数字相控阵解决方案；
（2）数字波束成形器、运算放大器及时钟分配器/发生器：报告期内立项并开展了多款新型数字波束成形器与高精度时钟生成芯片的研制，新型数字波束成形器在现有产品基础上集成射频通道，并可实现多片数据级联与控制信号级联功能，大幅降低对基带的接口数量要求；高精度时钟生成芯片具备宽工作频段、低抖动、温度漂移小特性，可满足毫米波频段数字相控阵的多芯片同步要求；
（3）电源管理芯片：报告期内公司电源管理芯片产品门类持续拓展和型谱化，完成了多款电源管理芯片的定型，包括面向光模块、AI算力等需求的部分产品，也在向更高效率和更高性能延伸，以形成完整解决方案；隔离电源控制器也从硬开关拓展到移相全桥、LLC等软开关拓扑，适应更大功率需求。新一代大电流电源模块已在定型中；针对 GaN功率器件设计的驱动器已定型，推动宇航电源朝着更高功率密度、更小体积方向迭代升级；温度传感器和电源监测芯片等也已小批量供货，为星载电源健康管理领域提供更完善的解决方案；
（4）电源套片及电源模块：报告期内公司完成多款电源模块产品的第三方机构认证，产品实现由小批量供货向批量生产过渡，多款产品顺利完成在轨飞行验证，同时公司积极响应宇航低成本应用要求，推出系列化抗辐射塑封微模块产品。电源模块产品完成 MS1244ARH、MS1230RH、MS2805RH在第三方鉴定机构的验证，满足宇航板载电源对多路小电流及单路大电流的需求，搭配小型化塑封抗辐射 LDO、DDR稳压器、电平转换器等产品，能够为客户提供一体化板载供电系统解决方案；
（5）微系统及模组：报告期内，伴随国内卫星互联网、数据链等领域产业建设持续推进，下游系统端需求不断释放，公司持续推进微系统和模组业务的产品迭代、客户导入与项目落地，相关业务实现稳步拓展，业务规模持续提升，逐步成为公司营业收入增长的重要支撑力量。

公司各应用领域项目和订单逐步释放，生产交付排期有序推进。未来，公司将积极开拓新的市场和业务领域，持续完善覆盖上下游的全链条产品能力，深化多产品线的协同布局与交叉销售，力求进一步提升在各细分领域的市场占有率，构筑并巩固核心竞争壁垒；同时公司也将不断强化内部基础管理体系建设，着力提升公司整体经营质量与抗风险能力，为实现长期可持续发展奠定坚实基础。

非企业会计准则财务指标变动情况分析及展望
□适用√不适用
报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项
□适用√不适用
三、报告期内核心竞争力分析
(一)核心竞争力分析
√适用□不适用
公司构建了覆盖射频收发、高速高精度 ADC/DAC、电源管理、微系统及模组的全品类产品线，实现从天线到信号处理的全链路覆盖，可提供一体化解决方案，适配星载、地面、车载、船载等多场景需求。这种垂直整合的产业链布局，不仅保障了核心芯片、关键器件的自主可控，降低了集成成本，还实现了产品设计、研发、生产的协同联动，能够快速响应客户定制化需求，大幅提升产品交付效率和适配性。

公司产品可以分为四大业务品类：射频收发及高速高精度 ADC/DAC芯片、电源管理芯片、终端射频前端芯片、微系统及模组，具体产品包括射频收发器、直采收发器、数字波束成形器、运算放大器、时钟分配器、频率综合器、电源管理芯片、电源套片及模块、终端射频前端芯片、微系统及模组等，公司典型产品与同行业可比公司对标产品的性能指标对比如下：1.射频收发及高速高精度ADC/DAC芯片
（1）高速高精度射频直采收发器CX8845

公司	臻镭科技	德州仪器 （TI）	亚德诺 （ADI）	产品比较说明
型号	CX8845	AFE7422	AD9082	——
通道数	8T8R	2T2R	4T2R	通道数与对标产品 相当
AD位宽/ADC最 高采样率 （bit/GSPS）	14/4	14/3	12/6	ADC位数/采样频率 与对标产品相当
输入频率范围 （MHz）	10~6000	10~6000	最大为8000	输入频率范围与对 标产品相当
ADC无杂散动 态范围（SFDR）	75dBFS @2.3G （0.8Vpp、- 2dBFS）	73dBc@2.6G （-3dBFS）	65.2dBFS @2.7G （1.475V、- 1dBFS）	ADC无杂散动态范 围优于对标产品
ADC噪底 （NSD）	-151.3dBFS/Hz （0.8Vpp、 4GSPS）	-151dBFS/Hz	-153dBFS/Hz （1.475Vpp、 6GSPS）	ADC噪底与对标产 品相当
单通道接收功耗 （W）（接口+数 字+ADC）	1.8	1.9	未公开 （总功耗 11.45W）	接收功耗与对标产 品相当
DA位宽/DAC最 高采样率 （bit/GSPS）	14/12	14/9	16/12	DAC位数/采样频率 与对标产品相当
输出频率范围 （MHz）	10~6000	10~6000	最大为6000	输出频率范围与对 标产品相当
DAC无杂散动 态范围（SFDR）	69.4dBc @12GSPS （1.5GHz）	未公开	68.5dBc @12GSPS （1.9GHz）	DAC无杂散动态范 围与对标产品相当
DAC噪底 （NSD）	-162.4dBm/Hz @700MHz	未公开	-166.7dBc/Hz @500MHz	DAC噪底与对标产 品相当
单通道发射功耗 （W）（接口+数 字+DAC）	1.8	1.8	未公开 （总功耗 11.45W）	发射功耗与对标产 品相当

CX8845芯片功能框图和产品图示：
（2）高精度射频直采接收器CX74E1N

公司	臻镭科技	德州仪器（TI）	产品比较说明
型号	CX74E1N	ADS1274	——
通道数	4	4	通道数与对标产品相当
位宽	24bit	24bit	位宽与对标产品相当
增益调节范围	-6dB~25dB, step 1dB	/	增益调节范围和精度优于对 标产品
SNR	110dB@5kHz带宽； 95dB@150kHz带宽	106dB@70kHz带 宽	信噪比与对标产品相当
SFDR	103dBFS@10kHz	109dBFS@10kHz	动态范围劣于对标产品
噪底	-145dBFS/Hz	/	——
电压	3.3V、1.3V	5V、1.8V	低电压供电优于对标产品
功耗	4mW/ch	31mW/ch	功耗远优于对标产品

CX74E1N芯片功能框图和产品图示：（3）宽窄带融合射频收发器CX9261A

公司	臻镭科技	亚德诺（ADI）	产品比较说明
型号	CX9261A	AD9361	——
通道数	3收 2发	2收 2发	集成度优于对标产品
射频频段 (MHz)	30~7000	70~6000	射频频段范围与对标产品一致
中频带宽 (MHz)	0.02~60	0.02~56	中频带宽优于对标产品，应用 范围更广
接收噪 声系数	≤3.6dB @40dB增益	≤3.8dB @最大 RX增益	接收噪声系数与对标产品相当
接收输入三阶	-5dBm	-17dBm	接收输入三阶交调截点与对标
公司	臻镭科技	亚德诺（ADI）	产品比较说明
交调截点	@55dB增益	@最大模拟增益	产品相当
发射输出三阶 交调截点	20dBm@2.5GHz	19dBm@2.4GHz	发射输出三阶交调截点与对标 产品相当
通道间隔离度 （dB）	70	55	通道间隔离度优于对标产品， 产品多通道并发工作时相互干 扰相对更小
频综积分 相噪	0.29°@2.4GHz	0.37°@2.4GHz	频综积分相噪优于对标产品， 支持更高阶的调制及更优抗干 扰能力
频率切换时间	≤1μs	未公开	——
片上处理器	有	无	通过集成处理器可配置度优于 对标产品
数字预失真 （DPD）功能	有	无	通过集成 DPD功能，相比对 标产品可支持更高线性的波形 输出
工作温度 （℃）	-55~125	-40~85	工作温度优于对标产品，应用 范围相对更广

CX9261A芯片功能框图和产品图示：（4）大带宽射频直采收发器CX8242KA

公司	臻镭科技	德州仪器（TI）	产品比较说明
型号	CX8242KA（2021）	AFE7955（2023）	——
通道数	2T2R+1FB	2T3R	通道数与对标产品相当
频率范围	10MHz~6GHz	10MHz~12GHz	频率范围劣于对标产品
最大瞬时带宽	1.2GHz	1.2GHz	与对标产品一致
ADC最高采样 率	3GSPS/14bit	3GSPS/14bit	与对标产品一致
接收机NSD	-153dBFS/Hz	-151dBFS/Hz	接收机NSD优于对标产品
接收机SNR	58dBFS	52dBFS	接收机SNR优于对标产品
接收机SFDR （杂散）	70dBc	68dBc	接收机SFDR优于对标产 品
DAC最高采样 率	12GSPS/14bit	12GSPS/14bit	与对标产品一致
公司	臻镭科技	德州仪器（TI）	产品比较说明
发射机NSD	-161dBm/Hz	-153dBFS/Hz	发射机NSD优于对标产品
发射机SFDR	70dBc	73dBc	发射机SFDR劣于对标产 品
SerDes接口最大 速率	25Gbps	15Gbps	接口最大速率优于对标产 品
功耗（单通道）	R:1.2W@3GSPS、 T:1.2W@12GSPS	R:1.9W@3GSPS、 T:1.9W@9GSPS	功耗优于对标产品
封装尺寸	12mm×12mm BGA	17mm×17mm BGA	尺寸小于对标产品

CX8242KA芯片功能框图和产品图示：（5）差分运算放大器CX2401

公司	臻镭科技	德州仪器（TI）	产品比较说明
型号	CX2401	THS4524	——
通道数	4	4	通道数与对标产品相当
噪声	4.7nv/Hz^0.5 （@10kHz）	4.6nv/Hz^0.5 （@10kHz）	噪声性能与对标产品相当
直流增益	120dB	119dB	直流增益与对标产品相当
增益带宽积	85MHz	145MHz	增益带宽积低于对标产品
HD2	-95dBc（@100kHz， 1 Vpp输出）	-85dBc（@1MHz，2 Vpp输出）	HD2线性度优于对标产品
HD3	-95dBc（@100kHz， 1 Vpp输出）	-90dBc（@1MHz，2 Vpp输出）	HD3线性度优于对标产品
是否全差分	是	是	与对标产品一致

CX2401芯片功能框图和产品图示：（6）抗辐照射频收发器CX9840N

公司	臻镭科技	亚德诺（ADI）	产品比较说明
型号	CX9840N	AD9371	——
频率范围	1.5GHz~4GHz	300MHz~6GHz	频率范围劣于对标产品
带宽	1MHz~100MHz	8MHz~100MHz	带宽优于对标产品
通道数	8T8R	2T2R	集成度远优于对标产品
相位噪声	0.28°rms@3.5GHz	0.55°rms@3.5GHz	相位噪声优于对标产品
接收调节范围	40dB/1dB step	30dB/1dB step	接收调节范围优于对标 产品
接收 IIP3	22dBm@3.5GHz	20dBm@3.5GHz	接收 IIP3优于对标产品
发射调节范围	36dB	42dB	发射调节范围劣于对标 产品
发射 NSD	-150dBm/Hz	-152dBm/Hz	发射 NSD与对标产品相 当
发射 OIP3	16dBm@3.5GHz	25dBm@3.5GHz	发射 OIP3劣于对标产品
参考钟	40MHz~250MHz	10MHz~320MHz	——
多片同步	内、外本振	外本振	——
功耗	0.125W/ch	0.7W/ch	功耗远优于对标产品

CX9840N芯片功能框图和产品图示：（7）抗辐照数字波束成形器CX1620DF/CX1620DFN
公司 CX1620DF/CX1620DFN是一款低功耗、多通道收发数字波束成形器，主要应用于数字相控阵系统、卫星载荷中。该款产品具有高集成度、低功耗、抗辐照等特点。

CX1620DF/CX1620DFN指标情况如下：

型号	通道数/波束/带宽	波束 切换 时间	接口模式	级 联 方 式	辐照特性	封装方式
CX1620DF	最大通道数： 128T128R(12bit) 最大波束数量： 128(16bit)	≤70us	JESD204B/C	并 行	抗总剂： 100Krad(si) 抗单粒子 SEL	BGA900塑 封 25mm×25mm
CX1620DFN	最大带宽：80MHz 典型功耗： ≤7W(32T32R32B40M) ≤9W(64T64R32B20M) 权重系数分发： LVDS/SPI 通道、波束、带宽可 配				阈值： 75MeV.cm2/mg

CX1620DF/CX1620DFN芯片功能框图和产品图示：2.电源管理芯片
（1）抗辐照隔离驱动芯片C43719RHC

公司	臻镭科技	亚德诺（ADI）	产品比较说明
型号	C43719RHC	ADuM4221	——
通道数	2	2	通道数与对标产品一致
峰值电流（A）	4	4	峰值驱动电流与对标产 品相当
传输延时时间 （ns）	≤50	≤44	传播延时与对标产品相 当
驱动负载类型	MOS/GaN	MOS	相比于对标产品，应用 场景更丰富
抗辐照能力	抗电离总剂量能力： ≥100krad（Si）；单粒子阈 2 值：≥75MeV?cm /mg	无	抗辐照能力优于对标产 品

C43719RHC芯片功能框图和产品图示：（2）低压差线性稳压芯片C41141RHSC

公司	臻镭科技	德州仪器（TI）	产品比较说明
型号	C41141RHSC	TPS74401	——
额定工作电压 （V）	≤5.5	≤5.5	额定工作电压和对标产 品一致
最大额定工作电 流（A）	4	3	额定最大工作电流高于 对标产品，满载更大负 载要求
静态电流 （mA）	≤2	≤4	静态电流较对标产品更 小，功耗更低
电流采样比例 （A/A）	3690~4510	无	增加高精度电流采样功 能，用于通道电流监测
输出噪声 （μV ） rms	16*V OUT	16*V OUT	输出噪声性能相当，可 满足低噪声应用场景
抗辐照能力	抗电离总剂量能力： ≥100krad（Si）；单 粒子阈值： 2 ≥75MeV?cm /mg	无	抗辐照能力强，对标产 品无抗辐照能力

C41141RHSC芯片功能框图和产品图示：(3)PWM控制芯片C42604RHC

公司	臻镭科技	亚德诺（ADI）	产品比较说明
型号	C42604RHC	ADP1074	——
适用拓扑	正激、反激同步整流拓扑	正激、反激同步整 流拓扑	适用的拓扑相同
抗辐射性能	总剂量：≥100krad(Si) 单粒子：≥79.3MeV.cm2/mg	无	抗辐射能力强，对标 产品无抗辐射能力
结壳热阻	46.5℃/W	65.4℃/W	更低的结壳热阻，可 以带来更低的温升及 结温，可获得高可 靠，长寿命
MOS驱动能力	驱动源电流：1.5A， 驱动灌电流：3A	驱动源电流：1A， 驱动灌电流：1A	更大的拉灌电流能 力，可以加快MOS管开 通和关断速度，减小 开关损耗，提高效率
过流保护功能	默认频率1MHz，同步频率 1MHz	默认频率600kHz， 同步频率660kHz	驱动工作频率更高， 可用于驱动氮化镓等 功率管
其他功能	芯片具备死区时间可调、前 沿消隐时间可调、NTC引脚过 温保护等功能	无此功能	外围电路可配置性更 高，可实现更多功能

C42604RHC芯片功能框图和产品图示：

12V 稳压钳位 源边 10.8V 稳压钳位 1.2V 4.5V 稳压器 带隙基准 驱动供电 振荡器 /锁相环 过温保护 Tx 开关逻辑 控制 前沿 消隐 斜坡补偿 电流 电压 9.9μA 转换 最大占空 比限制 打嗝保护 Rx 电压转换 解码 Rx 9.9μA 使能 1.2V 信号	副边 12V 稳压钳位 12V 稳压钳位 1.2V 带隙基准 4.5V 稳压器 驱动供电 开关逻辑 Rx 控制 9.9μA 看门狗 Tx 1.36V 1.36V Tx 逻辑 控制 1.1V 编码 1.2V 19.8μA 轻载 模式
斜坡 电 9.9 1.2V	前 消 补偿
		逻 控 轻载 模式	1.36V 辑 制 1.1V 1.2V 19.8μA
					1.1V 1.2V
			轻载 模式

（4）负载点电源模块MS2805RH（未完）