长鑫科技G5量产+4F2 RDIMM突破 服务器DRAM突围在即
近期机构研报指出,公司加速推进4F2 DRAM架构研发,预计2026年底推出面向服务器的DDR5 RDIMM产品,该技术可提升同面积存储密度30%~50%,且直接切入高门槛、高毛利的服务器市场,验证标准严苛,利于建立高端信任背书。 研报认为,G5量产与4F2 RDIMM双线突破,标志长鑫从消费级向核心基础设施领域跃迁;3D DRAM布局进一步打开定制化增量空间。回购计划虽处提议阶段,但释放积极信号。盈利预测维持高位,2026年PE仅18倍,估值具备安全边际。 中财网
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